- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
PVT နည်းလမ်းဖြင့် AlN ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု
Galium nitride (GaN)၊ silicon carbide (SiC) နှင့် aluminium nitride (AlN) အပါအဝင် wide bandgap semiconductor ပစ္စည်းများ၏ တတိယမျိုးဆက်သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်၊ အပူပိုင်းနှင့် acousto-optical ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြသထားသည်။ ဤပစ္စည်းများသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်း၏ ပထမနှင့် ဒုတိယမျိုးဆက်၏ ကန့်သတ်ချက......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Chip ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် SiGe- ပရော်ဖက်ရှင်နယ် သတင်းအစီရင်ခံစာ
ခေတ်မီဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာနယ်ပယ်တွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် SiGe (Silicon Germanium) သည် ၎င်း၏ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာချစ်ပ်များထုတ်လုပ်ရာတွင် ရွေးချယ်စရာပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာရှိ ယူနစ်- Angstrom
အလျားယူနစ်တစ်ခုအနေဖြင့် Angstrom (Å) သည် ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် နေရာအနှံ့တွင်ရှိသည်။ ပစ္စည်းအထူကို တိကျသောထိန်းချုပ်မှုမှ စက်ပစ္စည်းအရွယ်အစားအသေးစားနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းအထိ၊ Angstrom scale ၏နားလည်မှုနှင့်အသုံးချမှုသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာနည်းပညာ၏စဉ်ဆက်မပြတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
