ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Semicorex ၏ ICP Silicon Carbon Coated Graphite သည် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် ပါးလွှာသော ဖလင်စုဆောင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို တောင်းဆိုရန်အတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူတူညီမှုပင်၊ နှင့် အကောင်းဆုံးသော laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံများရှိသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသော Wafer သယ်ဆောင်သူများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သောဓာတုသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိရပါမည်။ Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite susceptors များကို ဤတောင်းဆိုနေသော epitaxy စက်ကိရိယာဆိုင်ရာ အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အထူးဖန်တီးထားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်သည် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သောဓာတုသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် အင်ဂျင်နီယာချုပ်လုပ်ထားပြီး အသက်ရှည်မှုနှင့် အကောင်းဆုံးရလဒ်များကို သေချာစေသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ICP Silicon Carbon Coated Graphite သည် အပူပရိုဖိုင်၏ ညီညာမှုကို သေချာစေရန် အကောင်းဆုံး laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံကို ရရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် wafer ချစ်ပ်ပေါ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုကို သေချာစေရန် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးရန် ကူညီပေးသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ICP Silicon Carbon Coated Graphite အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ICP Silicon Carbon Coated Graphite ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC Î² အဆင့်
သိပ်သည်းဆ	g/cm ³	3.21
မာကျောခြင်း။	Vickers မာကျောမှု	2500
စပါးအရွယ်အစား	Î¼m	၂~၁၀
ဓာတုသန့်စင်မှု	%	99.99995
Heat Capacity ၊	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation အပူချိန်	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 မှတ်)	415
Young’s Modulus	Gpa (4pt bend, 1300â¹۔)	430
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)	10-6K-1	4.5
အပူစီးကူးမှု	(W/mK)	300