ICP Etching Carrier Plate

Semicorex ၏ ICP Etching Carrier Plate သည် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် ပါးလွှာသော ဖလင်ထုတ်ယူခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို တောင်းဆိုရန်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူနှင့် သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူတူညီမှု နှင့် laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံများကိုပင် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ သန့်ရှင်းပြီး ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်ဖြင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ ကယ်ရီယာသည် သန့်ရှင်းသော wafer များကို ကိုင်တွယ်ရန်အတွက် ပြီးပြည့်စုံပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex ၏ ICP Etching Carrier Plate သည် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် ပါးလွှာသော ဖလင်စုဆောင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော ကြာရှည်ခံမှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူနှင့်ချေးခံနိုင်ရည်၊ အပူတူညီညီမှုနှင့် laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံများပင်ဖြစ်ပါသည်။ သန့်ရှင်းပြီး ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်ဖြင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝန်ဆောင်မှုပေးသူသည် သန့်စင်သော wafers များကို အကောင်းဆုံးကိုင်တွယ်ရန် သေချာစေသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ဓာတုဆေးကြောသန့်စင်ခြင်းအပြင် မြင့်မားသောအပူတစ်ထပ်တည်းဖြစ်စေခြင်း။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ICP Etching Carrier Plate အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ICP Etching Carrier Plate ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC Î² အဆင့်
သိပ်သည်းဆ	g/cm ³	3.21
မာကျောခြင်း။	Vickers မာကျောမှု	2500
စပါးအရွယ်အစား	Î¼m	၂~၁၀
ဓာတုသန့်စင်မှု	%	99.99995
Heat Capacity ၊	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation အပူချိန်	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 မှတ်)	415
Young’s Modulus	Gpa (4pt bend, 1300â¹۔)	430
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)	10-6K-1	4.5
အပူစီးကူးမှု	(W/mK)	300