မြင့်မားသော purme ser cantilever လှော်

Semicorex မြင့်သောသန့်စင်ခြင်း sic cantileever လှော်ဖြင့်ပြုလုပ်သည်Silicon carbide ကြွေထည်ယေဘုယျအားဖြင့်ဆစ်ဆန်။ ၎င်းသည်ဆီလီကွန်စိမ့်ဝင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်မှထုတ်လုပ်သောလုပ်သားဖြစ်သည်Silicon carbide ကြွေထည်ပိုကောင်းတဲ့အစွမ်းသတ္တိနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ပစ္စည်းများ။ Purity Sic Sic Cantileverleverever လှော်ကို၎င်း၏ပုံသဏ် by ာန်ဖြင့်အမည်ဖြင့်ဖော်ပြထားသည်။ ပုံသဏ် into ာန်သည်အပူချိန်မီးဖို၌အလျားလိုက် wafer လှေများကိုထောက်ပံ့ရန်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။

၎င်းသည်အဓိကအားဖြင့် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်ဓာတ်တိုးခြင်း, ပျံ့နှံ့ခြင်း, RTA / RTP တွင်အသုံးပြုသည်။ ဒါကြောင့်လေထုဟာအောက်ဆီဂျင်ဓာတ်ငွေ့ (ဓာတ်ငွေ့), နိုက်ထရိုဂျင် (ဒိုင်းသီးဓာတ်ငွေ့) နှင့်ဟိုက်ဒရိုဂျင်ကလိုရိုက်ပမာဏအနည်းငယ်သာရှိသည်။ အပူချိန်ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1250 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်ပါတယ်။ ဒါကြောင့်အပူချိန်မြင့်မားသော oxidation ပတ်ဝန်းကျင်ဖြစ်ပါတယ်။ ၎င်းတွင်ဤပတ်ဝန်းကျင်ဓာတ်တိုးနိုင်သောခံနိုင်ရည်ရှိသည့်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီးမြင့်မားသောအပူချိန်အောက်တွင်ရပ်တည်နိုင်သည်။

Semicorex High Purity SIC Cantileverleverwlever 3D ပုံနှိပ်ခြင်းဖြင့်ပြုလုပ်သည်, Sememorex သည်ခန္ဓာကိုယ်နှင့်ယင်း၏အဖုံးကိုအပိုင်း 2 ပိုင်းခွဲထားမည်ဖြစ်ပြီး Sememorex သည်ခန္ဓာကိုယ်အတွက်အညစ်အကြေးနှင့် 4 င်း၏အညစ်အကြေးနှင့် <5 %pm နှင့် <5ppm တို့အားခန္ဓာကိုယ်အတွက်အပိုင်း 300pm နှင့် <5ppm တို့အားအစိတ်အပိုင်းများနှင့် <5ppm တို့အားအစိတ်အပိုင်းများနှင့် <5ppm တို့အားအစိတ်အပိုင်းများနှင့် <5ppm တို့အားအပိုင်း 300pm တို့အားပေးနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်အညစ်အကြေးနှင့်ညစ်ညမ်းမှုများကိုမိတ်ဆက်ပေးခြင်းမှကာကွယ်ရန်မျက်နှာပြင်သည်အလွန်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သည်။ ရှည်လျားသောသက်တမ်းရှိပုံသဏ် in ာန်ရှိသည့်ပုံသဏ် into ာန်ကိုဆက်လက်တည်မြဲစေရန်အတွက်မြင့်မားသောထိတ်လန့်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသည့်ပစ္စည်းလည်းဖြစ်သည်။

Semicorex သည်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုအတွက်အလွန်အဖိုးတန်လမ်းကြောင်းဖြစ်စဉ်ကိုလုပ်ဆောင်သည်။ SIC အဖွဲ့နှင့်စပ်လျဉ်း။ ကျွန်ုပ်တို့သည်ကုန်ကြမ်းများကိုပထမ ဦး စွာပြင်ဆင်ပြီး Sic Photer ကိုရောစပ်ပြီးအပြီးသတ်ပုံစံသို့ကူးယူပြီး, အဓိကကိုယ်ထည်ကိုဖွဲ့စည်းပြီးကြွေကိုယ်ထည်ကိုစစ်ဆေးခြင်းနှင့်ရှုထောင့်လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးမည်။ အဲဒီနောက်မှာကျွန်တော်တို့ဟာအရေးကြီးတဲ့သန့်ရှင်းရေးလုပ်မှာပါ။ အရည်အသွေးပြည့်ဝသောဖုန်မှုန့်များ, သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပြီးနောက်မြင့်မားသော purity Sic Cantilever ကိုခြောက်သွေ့သောမီးဖိုထဲသို့လှော်ခတ်ပြီးရေခြောက်သွေ့သည်အထိ 4-6-120 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် 4-6-120 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ဖုတ်ရမည်။

ထိုအခါကျွန်ုပ်တို့သည်ခန္ဓာကိုယ်ပေါ်တွင် CVD အပေါ်ယံပိုင်းကိုလုပ်နိုင်သည်။ အပေါ်ယံပိုင်းအပူချိန်သည် 1200-1500 ℃ဖြစ်ပြီးသင့်လျော်သောအပူပေးထားသောကွေးကိုရွေးချယ်သည်။ အပူချိန်မြင့်မားမှာဆီလီကွန်ရင်းမြစ်နှင့်ကာဗွန်အရင်းအမြစ်သည်ဓာတုဗေဒအရကာကွယ်ဆေးထိုးရန်ဓာတုဗေဒအရတုန့်ပြန်သည်။ SIC အမှုန်များကိုစဉ်ဆက်မပြတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်အပ်နှံထားသည်

SIC ၏သိပ်သည်းသောအလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန်အပိုင်း။ အများအားဖြင့် 100 ±20μMသည်ယေဘုယျအားဖြင့်100μmဖြစ်သည်။ ပြီးဆုံးသွားသောအခါထုတ်ကုန်များ၏အသွင်အပြင်, သန့်ရှင်းမှုနှင့်ရှုထောင့်များအတွက်ထုတ်ကုန်များ၏နောက်ဆုံးစစ်ဆေးမှုကိုစီစဉ်မည်။