Epi-SiC လက်ခံကိရိယာ

Semicorex Epi-SiC Susceptor သည် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ဓာတုဗေဒ အားနည်းမှုနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူပျံ့နှံ့မှုတို့၏ ထိပ်ဖျား၊ ၎င်းသည် epitaxial ကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ ကြိုးပမ်းမှုများနှင့် တူညီသော ပြင်းထန်သော အခြေအနေများကို ရင်ဆိုင်ရာတွင် ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ထိရောက်မှုရှိသော ပုစွန်ဆိတ်တစ်ခုအဖြစ် ရပ်တည်သည်။ SiC အပေါ်ယံပိုင်းကို အသုံးချခြင်းသည် Epi-SiC Susceptor ၏ အပူဂုဏ်ရည်များကို သိသိသာသာ တိုးစေသည်။ ဤတိုးမြှင့်မှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များတစ်လျှောက် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial အလွှာများ အပ်နှံခြင်းအတွက် အဓိကကျသော wafers များ၏ အပူပေးမှုအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

wafer epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ တိကျသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် အံဝင်ခွင်ကျပြုလုပ်ထားသည့် Epi-SiC Susceptor သည် မီးဖိုပတ်ဝန်းကျင်အတွင်း wafers များကို ချောမွေ့စွာ ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။ ၎င်း၏ခိုင်ခံ့သောဒီဇိုင်းသည် wafer ရွှေ့ပြောင်းခြင်း သို့မဟုတ် အပေးအယူလုပ်ခြင်းကို ဆန့်ကျင်သည့် ခံတပ်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် epitaxial အလွှာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၏ အရေးကြီးသောအဆင့်တစ်လျှောက် ပျက်စီးမှုဖြစ်ပွားမှုကို လျော့ပါးစေသည်။ ထို့အပြင်၊ Epi-SiC Susceptor သည် အောက်ရှိ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာအတွက် အကာအကွယ်အတားအဆီးတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပြီး epitaxial ဖြစ်စဉ်များဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများနှင့် ပွန်းပဲ့ခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။

အကာအကွယ် SiC coating ဖြင့် ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဂရပ်ဖိုက် အူတိုင်၏ ပေါင်းစပ်မှုသည် Epi-SiC Susceptor ၏ စွမ်းဆောင်ရည် တိုင်းတာမှုများကို အားကောင်းစေရုံသာမက ၎င်း၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုလည်း သိသိသာသာ တိုးစေသည်။ ရလဒ်မှာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းများအတွက် စဉ်ဆက်မပြတ် လည်ပတ်စုဆောင်းငွေပုံစံဖြင့် အမြတ်ဝေစုထုတ်ပေးသည့် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုဖြစ်ပြီး Epi-SiC Susceptor ကို ၎င်းတို့၏ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ရှာဖွေနေသူများအတွက် တရားမျှတသောရွေးချယ်မှုတစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ပေးပါသည်။