အကယ်၍ သင်သည် အလိုအပ်ဆုံးသော အပူချိန်မြင့်ပြီး သံချေးတက်သော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချစွာ နှင့် တသမတ်တည်း လုပ်ဆောင်နိုင်သော ဂရပ်ဖိုက်ခံကိရိယာကို လိုအပ်ပါက၊ Liquid Phase Epitaxy အတွက် Semicorex Barrel Susceptor သည် ပြီးပြည့်စုံသော ရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာသည် ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှုနှင့် အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို ပံ့ပိုးပေးကာ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်သည့်အသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုအာမခံပါသည်။
Liquid Phase Epitaxy အတွက် Semicorex Barrel Susceptor သည် အပူနှင့် သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့် အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် ရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော SiC အပေါ်ယံပိုင်းနှင့် ထူးခြားသောအပူစီးကူးမှုတို့သည် သာလွန်သောကာကွယ်မှုနှင့် အပူဖြန့်ဖြူးမှုဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး အခက်ခဲဆုံးသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင်ပင် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို အာမခံပါသည်။
Liquid Phase Epitaxy အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ Barrel Susceptor သည် အပူပရိုဖိုင်၏ ညီညာမှုကို သေချာစေရန် အကောင်းဆုံး laminar gas စီးဆင်းမှုပုံစံကို ရရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် wafer ချစ်ပ်ပေါ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုကို သေချာစေရန် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးရန် ကူညီပေးသည်။
Liquid Phase Epitaxy အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ Barrel Susceptor အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
Liquid Phase Epitaxy အတွက် Barrel Susceptor ၏ ကန့်သတ်ချက်များ
CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications |
||
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ |
||
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ |
FCC β အဆင့် |
|
သိပ်သည်းမှု |
g/cm ³ |
3.21 |
မာကျောခြင်း။ |
Vickers မာကျောမှု |
2500 |
စပါးအရွယ်အစား |
µm |
၂~၁၀ |
ဓာတုသန့်စင်မှု |
% |
99.99995 |
အပူစွမ်းရည် |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimation အပူချိန် |
℃ |
2700 |
Felexural Strength |
MPa (RT 4 မှတ်) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) |
430 |
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
အပူစီးကူးမှု |
(W/mK) |
300 |
Liquid Phase Epitaxy အတွက် Barrel Susceptor ၏အင်္ဂါရပ်များ
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာနှစ်ခုစလုံးသည် ကောင်းမွန်သောသိပ်သည်းဆရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် အဆိပ်သင့်သောလုပ်ငန်းခွင်များတွင် ကောင်းမွန်သောအကာအကွယ်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နိုင်သည်။
- Silicon carbide coated susceptor သည် တစ်ခုတည်းသော crystal growth အတွက် အသုံးပြုသော မျက်နှာပြင် ညီညာမှု အလွန်မြင့်မားသည်။
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကြားရှိ အပူချဲ့ကိန်း၏ ခြားနားချက်ကို လျှော့ချပါ၊ ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းများကို ကာကွယ်ရန် ပေါင်းစပ်ခိုင်ခံ့မှုကို ထိရောက်စွာ တိုးတက်စေသည်။
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ နှစ်ခုစလုံးသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဖြန့်ဖြူးဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။
- မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်၊ မြင့်မားသော အပူချိန် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ ချေးခုခံမှု။