ALD Planetary Susceptor

အပလီကေးရှင်းများ

High-k dielectric အစစ်ခံမှု- ALD Planetary Susceptor သည် hafnium oxide (HfO2) နှင့် aluminium oxide (Al2O3) ကဲ့သို့သော high-k dielectric ပစ္စည်းများကို အပ်နှံရာတွင် အသုံးပြုသည့် ပြင်းထန်သော ရှေ့ပြေးနမိတ်များကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို ပြသသည်။ ၎င်းသည် ALD Planetary Susceptor ကို logic နှင့် memory applications များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ထရန်စစ္စတာများကို ဖန်တီးရန်အတွက် သင့်လျော်စေသည်။

Metallization အလွှာများ- ALD Planetary Susceptor ၏ မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သတ္တုရည်ပြုသည့်အလွှာများကို စုဆောင်းနိုင်စေပြီး ခံနိုင်ရည်နည်းပါးခြင်းနှင့် သိပ်သည်းဆပိုမိုမြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သော ရုပ်ရှင်ဂုဏ်သတ္တိများကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ အဆင့်မြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများတွင် ထိရောက်သော အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများကို ဖန်တီးရန်အတွက် ၎င်းသည် အရေးကြီးပါသည်။

Optoelectronic စက်ပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်း-ALD Planetary Susceptor ၏ ပျော့ပျောင်းသော သဘောသဘာဝသည် III-V တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများကဲ့သို့ အရေးကြီးသော ပစ္စည်းများကို အပ်နှံရာတွင် အသုံးပြုသည့် ရှေ့ပြေးပရိုဆက်ဆာများနှင့် မလိုလားအပ်သော တုံ့ပြန်မှုများကို လျော့နည်းစေပြီး ALD Planetary Susceptor သည် LEDs၊ လေဆာများနှင့် အခြား optoelectronic အစိတ်အပိုင်းများကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ပြီးပြည့်စုံသော အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသည်။

ALD သံသရာ

Atomic Layer Deposition (ALD)အထူးသဖြင့် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် နာနိုနည်းပညာများတွင် အမျိုးမျိုးသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် ပိုမိုရေပန်းစားလာကာ အခြားသော ပါးလွှာသော ဖလင်စုဆောင်းခြင်းနည်းပညာများထက် အဓိကအားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်ပါသည်။

ဤသည်မှာ ALD ၏ အဓိက အားသာချက်အချို့ဖြစ်သည်။

1. Angstrom-Level Thickness Control-

ALD သည် ဖလင်အထူကို အန်းစထရမ်အဆင့် (0.1 nanometers) အထိ တိကျစွာ ထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။ စက်ဝိုင်းတစ်ခုစီသည် အက်တမ်အလွှာတစ်ခုစီကို ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်ကန့်သတ်မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှုမှတစ်ဆင့် ရရှိသည့် တိကျမှုအဆင့်ကို ရရှိသည်။

2. အလွန်ကောင်းမွန်သော တူညီမှုနှင့် ညီညွတ်မှု-

ALD သည် ကြီးမားသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာများနှင့် ရှုပ်ထွေးသော 3D အဆောက်အဦများထက် ထူးခြားသောတူညီမှုကိုပြသသည်၊၊ မြင့်မားသောအချိုးအစားဖြစ်သော ကတုတ်ကျင်းများနှင့် ဖောက်များကဲ့သို့သော ရှုထောင့်ပုံစံအင်္ဂါရပ်များပါဝင်သည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများတွင် ကဲ့သို့သော အနုစိတ်သော ဂျီသြမေတြီများပေါ်တွင် တူညီသော အပေါ်ယံအလွှာများ လိုအပ်သည့် အပလီကေးရှင်းများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

3. Low Deposition Temperature-

ALD သည် အခြားသော စုဆောင်းခြင်းနည်းပညာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အတော်လေးနိမ့်သော အပူချိန် (မကြာခဏ 300°C အောက်) တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။ ၎င်းသည် အပူဒဏ်မခံနိုင်သော အလွှာများအတွက် အကျိုးကျေးဇူးရှိပြီး ကျယ်ပြန့်သောပစ္စည်းများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

4. အရည်အသွေးမြင့်ရုပ်ရှင်များ-

ALD သည် ပုံမှန်အားဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော သိပ်သည်းဆ၊ အညစ်အကြေးနည်းသော အဆင့်များနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် အထူတွင် တူညီမှုမြင့်မားသော ရုပ်ရှင်များကို ထုတ်လုပ်သည်။ ဤသွင်ပြင်လက္ခဏာများသည် အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ရရှိစေရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

5. ကျယ်ပြန့်သော ပစ္စည်းရွေးချယ်မှု-

ALD သည် အောက်ဆိုဒ်များ၊ နိုက်ထရိုက်များ၊ သတ္တုများနှင့် ဆာလဖိဒ်များ အပါအဝင် စုဆောင်းနိုင်သော ပစ္စည်းများစွာကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဤဘက်စုံသုံးနိုင်မှုသည် ကျယ်ပြန့်သော application များအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

6. အတိုင်းအတာနှင့် စက်မှုအသုံးချနိုင်မှု-

ALD နည်းပညာသည် အလွန် အရွယ်အစား ကြီးမားပြီး လက်ရှိ ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အလွယ်တကူ ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် အမျိုးမျိုးသော အလွှာအရွယ်အစားနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်များနှင့် သဟဇာတဖြစ်ပြီး ပမာဏမြင့်မားစွာ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။