6 "Wafer ကိုင်ဆောင်သူ

Semicorex 6 "Sic (Silicon Carbide) ၏တောင်းဆိုမှုများကိုလိုအပ်ချက်များနှင့်ပတ်သက်သောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်အထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးအင်ဂျင်နီယာများကိုအထူးပြုလုပ်ထားကြသည်။

Wafer ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းအချို့သော Wafer အလွှာများသည်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေရန် EstagAxial အလွှာများကိုထပ်မံတည်ဆောက်ရန်လိုအပ်သည်။ ပုံမှန်ဥပမာများတွင် Silicon အလွှာများမှ Gaas Eplitaxial အလွှာများကိုပြင်ဆင်ရန်လိုအပ်သော LED အလင်းရောင်ထုတ်လွှတ်သောကိရိယာများပါဝင်သည်။ SIC Estitaxial အလွှာများသည်မြင့်မားသောဗို့အားနှင့်အခြားပါ 0 င်သည့် application များအတွက် SICDS နှင့် Mosfets ကဲ့သို့သောပစ္စည်းများကိုတည်ဆောက်ရန်ကူးယူရေးလုပ်ခြင်းအစီအစဉ်များပေါ်တွင်စိုက်ပျိုးသည်။ Gan Eplitagaxial အလွှာများကို Semi-insulating sic အလွှာများနှင့်ဆက်သွယ်ရေးနှင့်အခြားရေဒီယိုလှိုင်းနှုန်း applications များအတွက်အခြားကိရိယာများအတွက်ထပ်မံတည်ဆောက်ရန်အတွက်တည်ဆောက်ထားသည့် Semi-insulatorating succentscrates များတွင်တည်ဆောက်ထားသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် CVD ပစ္စည်းကိရိယာများမှ ခွဲ. မရပါ။

CVD ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အလွှာကိုသတ္တုပေါ်တွင်တိုက်ရိုက်သို့မဟုတ် epitaxial subition အတွက်အခြေစိုက်စခန်းတစ်ခုပေါ်တွင်တိုက်ရိုက် ထား. မရပါ, ၎င်းသည်သဘာဝဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုလမ်းကြောင်း (အလျားလိုက်, ဒေါင်လိုက်), အပူချိန်, ဖိအား, ထို့ကြောင့်အခြေစိုက်စခန်းလိုအပ်သည်, ထို့နောက်အလွှာကိုဗန်းပေါ်တွင်နေရာချပြီး CVD နည်းပညာကို အသုံးပြု. equipaxial suptosition တွင်လုပ်ဆောင်သည်။ ဒီအခြေစိုက်စခန်းတစ်ခုပါSic-coatedGraphite Base (6 "Wafer ကိုင်ဆောင်သူ) ။

6 "Wafer ကိုင်ဆောင်သူများသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူရှိန်စီမံခန့်ခွဲမှုအတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ ဤဒီဇိုင်းသည်ပိုမိုကောင်းမွန်သောအလွှာတူညီမှုကိုရရှိစေခြင်း,

Sic-based power devices များနှင့်ဖွံ့ဖြိုးရေးနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဆိုင်ရာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသို့မဟုတ်ဖြန့်ဖြူးခြင်းများပြုလုပ်နေသည်ဖြစ်စေကျွန်ုပ်တို့၏ 6 "SIFER HARDERS သည်သင်၏လုပ်ငန်းစဉ်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးမြှင့်ပေးရန်လိုအပ်သည့်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုများကိုပြုလုပ်ရန်လိုအပ်သည်။