Wafer လက်ခံသူ

Semicorex Wafer Susceptor သည် ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီစေရန် ဂရပ်ဖိုက်မှကျွမ်းကျင်စွာဖန်တီးထားပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။

epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ တည်ငြိမ်ပြီး ထိန်းချုပ်ထားသော ပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းထားရန်မှာ မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ Wafer Susceptor သည် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial အလွှာများရရှိရန် အပူချိန်တူညီမှု၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုတို့အတွက် တိကျသောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည့် wafers များကို စုဆောင်းထားချိန်တွင် အခြေခံပလပ်ဖောင်းအဖြစ် ဆောင်ရွက်သည်။

Wafer Susceptor အတွက် အခြေခံပစ္စည်းအဖြစ် ဂရပ်ဖိုက်ကို ရွေးချယ်မှုသည် ၎င်း၏ လွန်ကဲသော အပူစီးကူးမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် မောင်းနှင်ထားသည်။ Epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ၏ အပူချိန်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ် Graphite ၏ မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် အရေးကြီးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ဂရပ်ဖိုက်၏အပူစီးကူးမှုသည် wafer တစ်လျှောက်တွင် ထိရောက်သောအပူဖြန့်ဖြူးမှုကို သေချာစေပြီး epitaxial အလွှာတွင် ချို့ယွင်းချက်များဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည့် အပူချိန် gradients များ၏အန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

Wafer Susceptor ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်းကို ဂရပ်ဖိုက်အခြေစိုက်စခန်းတွင် ကျွမ်းကျင်စွာအသုံးပြုသည်။ SiC သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတုခံနိုင်ရည်ရှိသော အလွန်တာရှည်ခံပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များ မကြာခဏရောက်ရှိနေသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပတ်ပတ်၀န်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။ SiC coating သည် ဂရပ်ဖိုက်အား ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများမှ ကာကွယ်ပေးကာ wafer susceptor ၏ အသက်ရှည်မှုနှင့် ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်း သန့်ရှင်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းပေးသည့် အကာအရံကို ပေးသည်။

SiC-coated graphite ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော Semicorex Wafer Susceptor သည် semiconductor epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ဓာတုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် ဂရပ်ဖိုက်၏ အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို ပေါင်းစပ်ထားသောကြောင့် ခေတ်မီဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှု၏ တင်းကျပ်သောတောင်းဆိုမှုများအတွက် စံပြသင့်လျော်ပါသည်။ single-wafer ဒီဇိုင်းသည် အရည်အသွေးမြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်အပေါ် တိကျသော ထိန်းချုပ်မှုကို ပေးပါသည်။ ဤ susceptor သည် wafers များကို သာလွန်ကောင်းမွန်သော epitaxial အလွှာများနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ပိုကောင်းသော semiconductor ထုတ်ကုန်များကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး အတတ်နိုင်ဆုံး ဂရုတစိုက်နှင့် တိကျစွာကိုင်တွယ်ကြောင်း သေချာစေသည်။