ထုတ်ကုန်များ
Wafer Carrier
  • Wafer CarrierWafer Carrier

Wafer Carrier

Semicorex SiC-coated graphite Wafer Carrier သည် semiconductor epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များအတွင်း ယုံကြည်စိတ်ချရသော wafer ကိုင်တွယ်မှုကို ပေးစွမ်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုကို ပေးစွမ်းသည်။ အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် တိကျမှုကို အာရုံစိုက်ခြင်းဖြင့်၊ Semicorex သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တာရှည်ခံမှုကို ပေးစွမ်းပြီး အလိုအပ်ဆုံးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးရလဒ်များကို အာမခံပါသည်။*

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex Wafer Carrier သည် အရေးပါသော epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များအတွင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း wafer များကို ကိုင်ဆောင်ရန်နှင့် သယ်ပို့ရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ တို့မှ ပြုလုပ်သည်။SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်၊ ဤထုတ်ကုန်သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကြုံတွေ့ရလေ့ရှိသော အပူချိန်မြင့်မားပြီး တိကျမှုမြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များ၏ တောင်းဆိုမှုလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်။


SiC-coated ဂရပ်ဖိုက် Wafer Carrier သည် အထူးသဖြင့် epitaxial ကြီးထွားဓာတ်ပေါင်းဖိုများအတွင်း အထူးသဖြင့် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးစွမ်းရန် အင်ဂျင်နီယာချုပ်ဖြစ်ပါသည်။ Graphite သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူကြောင့် ကျယ်ပြန့်စွာအသိအမှတ်ပြုခံရပါသည်။

 လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှု၊ SiC (ဆီလီကွန်ကာဘိုင်) အပေါ်ယံပိုင်းသည် ဓာတ်တိုးမှု၊ ဓာတုချေးနှင့် ဝတ်ဆင်မှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။ မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့သည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ဤပစ္စည်းများနှင့်အတူ Wafer Carrier ကို စံပြဖြစ်စေပါသည်။


ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများ


Wafer Carrier တို့မှ တည်ဆောက်ထားသည်။အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် ပြင်းထန်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်မှုတို့အတွက် လူသိများသည်။ ဟိSiC အပေါ်ယံပိုင်းဂရပ်ဖိုက်တွင် ပါ၀င်သော အပိုအလွှာများကို အကာအကွယ်ပေးကာ အစိတ်အပိုင်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ SiC coating သည် ကယ်ရီယာ၏ ကြာရှည်ခံမှုကိုလည်း တိုးမြှင့်ပေးကာ အပူချိန်မြင့်သည့် စက်ဝန်းများနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ အပူချိန်မြင့်သည့် စက်ဝန်းများအောက်တွင် ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပြီး အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ထိတွေ့မှုကို သေချာစေသည်။


SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်ဖွဲ့စည်းမှုအား သေချာစေသည်-

· အထူးကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်မှု- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များအတွင်း ထိရောက်သော အပူလွှဲပြောင်းမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေပါသည်။

· အပူချိန်မြင့်သော ခံနိုင်ရည်- SiC coating သည် ပြင်းထန်သော အပူပတ်ဝန်းကျင်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ အပူစက်ဝန်းတစ်လျှောက်လုံး သယ်ဆောင်သူသည် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားကြောင်း သေချာစေပါသည်။

· Chemical corrosion resistance- SiC coating သည် epitaxy ကာလအတွင်း မကြာခဏကြုံတွေ့ရသော ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များမှ သယ်ဆောင်သူ၏ ဓာတ်တိုးမှုနှင့် ချေးယူမှုကို သိသိသာသာ တိုးမြင့်စေသည်။

· Dimensional တည်ငြိမ်မှု- SiC နှင့် graphite ပေါင်းစပ်မှုသည် သယ်ဆောင်သူသည် ၎င်း၏ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် တိကျမှုကို အချိန်နှင့်အမျှ ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီး ရှည်လျားသော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ပုံပျက်ခြင်းအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေပါသည်။


Semiconductor Epitaxy Growth တွင် အသုံးချမှုများ


Epitaxy သည် အလွှာပါးလွှာသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာတစ်ခု၊ ပုံမှန်အားဖြင့် wafer အလွှာတစ်ခုပေါ်သို့ ပုံဆောင်ခဲဖြင့် ရာဇမတ်ကွက်များဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ wafer နေရာချထားခြင်းတွင် အနည်းငယ်သွေဖည်သွားသည့်တိုင် တိကျသော wafer ကိုင်တွယ်မှုသည် အရေးကြီးပါသည်။


Wafer Carrier သည် ဤလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း semiconductor wafer များကို လုံခြုံစွာ ဆုပ်ကိုင်ထားပြီး ကောင်းမွန်မှန်ကန်စွာ နေရာချထားကြောင်း သေချာစေရေးတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ SiC-coated graphite ၏ပေါင်းစပ်မှုသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics နှင့် အခြားအဆင့်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများတွင်အသုံးပြုရန်အတွက် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC crystals များပါ၀င်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည့် silicon carbide (SiC) epitaxy အတွက် လိုအပ်သောစွမ်းဆောင်ရည်လက္ခဏာများကို ပေးဆောင်ပါသည်။


အထူးသဖြင့် Wafer Carrier-

· တိကျသော wafer ချိန်ညှိမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်- စက်၏အထွက်နှုန်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အရေးပါသော wafer တစ်လျှောက် epitaxial အလွှာကြီးထွားမှုတွင် တူညီမှုကိုသေချာစေသည်။

· အပူစက်ဝန်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း- SiC-coated graphite သည် 2000°C အထိ အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင်ပင် တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး လုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက်လုံး တသမတ်တည်း wafer ကိုင်တွယ်မှုကို သေချာစေသည်။

· wafer ညစ်ညမ်းမှုကို လျှော့ချပေးသည်- သယ်ဆောင်သူ၏ သန့်ရှင်းသပ်ရပ်သော မြင့်မားသော ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုသည် epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်အတွင်း wafer သည် မလိုလားအပ်သော ညစ်ညမ်းမှုများနှင့် မထိတွေ့ကြောင်း သေချာစေသည်။


တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုများတွင် Wafer Carrier ကို ဓာတ်ပေါင်းဖိုခန်းအတွင်း၌ ထားရှိထားပြီး ၎င်းသည် wafer အတွက် အထောက်အပံ့ပလပ်ဖောင်းတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ သယ်ဆောင်သူသည် wafer ၏သမာဓိကိုမထိခိုက်စေဘဲ epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောမြင့်မားသောအပူချိန်များနှင့်ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များနှင့်ထိတွေ့ရန်ခွင့်ပြုသည်။ SiC coating သည် ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ဓာတုအပြန်အလှန်တုံ့ပြန်မှုကို တားဆီးပေးကာ အရည်အသွေးမြင့်၊ အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ပစ္စည်းကြီးထွားမှုကို အာမခံသည်။


SiC Coated Graphite Wafer Carrier ၏ အားသာချက်များ

1. ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြာရှည်ခံမှု- SiC coating သည် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်း၏ ခံနိုင်ရည်အားကို တိုးမြင့်စေပြီး အသုံးပြုမှုများစွာကြောင့် ပျက်စီးယိုယွင်းမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

2. High-Temperature Stability- Wafer Carrier သည် epitaxial ကြီးထွားမှု မီးဖိုများတွင် ဖြစ်လေ့ဖြစ်ထရှိသော လွန်ကဲသော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းမရှိဘဲ ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

3. မြှင့်တင်ထားသော အထွက်နှုန်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ် ထိရောက်မှု- wafer များကို လုံခြုံပြီး တသမတ်တည်း ကိုင်တွယ်ကြောင်း သေချာစေခြင်းဖြင့် SiC-coated graphite Wafer Carrier သည် epitaxial ကြီးထွားမှု လုပ်ငန်းစဉ်၏ အလုံးစုံ အထွက်နှုန်းနှင့် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

4. စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်စရာများ- တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများစွာအတွက် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသော ကွဲပြားခြားနားသော epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုများ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် အရွယ်အစားနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုပုံစံအလိုက် ဝန်ဆောင်မှုပေးသူကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်။


SemicorexSiC-coated ဂရပ်ဖိုက်Wafer Carrier သည် epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းအတွက် အကောင်းဆုံးဖြေရှင်းချက်ပေးစွမ်းသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအား ပေါင်းစပ်မှုနှင့်အတူ၊ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များကို တိကျပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော ကိုင်တွယ်မှုကို သေချာစေပြီး အရည်အသွေးပိုမြင့်သော ရလဒ်များနှင့် epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxy သို့မဟုတ် အခြားအဆင့်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများအတွက်ဖြစ်စေ ဤ Wafer Carrier သည် ခေတ်မီတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏တိကျသောစံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီရန်လိုအပ်သောကြာရှည်ခံမှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးဆောင်သည်။

Hot Tags: Wafer Carrier၊ တရုတ်၊ ထုတ်လုပ်သူများ၊ ပေးသွင်းသူများ၊ စက်ရုံ၊ စိတ်ကြိုက်၊ အစုလိုက်၊ အဆင့်မြင့်၊ တာရှည်ခံ
ဆက်စပ်အမျိုးအစား
စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။
ကျေးဇူးပြု၍ အောက်ပါပုံစံဖြင့် သင်၏စုံစမ်းမေးမြန်းမှုကို အခမဲ့ပေးပါ။ 24 နာရီအတွင်း သင့်အား အကြောင်းပြန်ပါမည်။
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept