Tantalum Carbide Coated လက်ခံကိရိယာ

ဤလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသည့် အမျိုးမျိုးသော ပစ္စည်းများနှင့် အပေါ်ယံလွှာများထဲတွင် Semicorex Tantalum Carbide Coated Susceptor သည် ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် ထင်ရှားသည်။ Tantalum Carbide Coated Susceptor ၏ ဖော်ပြချက်သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) wafers များကို ပံ့ပိုးရန်အတွက် အထူးထုတ်လုပ်ထားသည့် TaC coated susceptor ၏ အင်္ဂါရပ်များ၊ အကျိုးကျေးဇူးများနှင့် အသုံးချမှုများကို စူးစမ်းလေ့လာပါသည်။

Tantalum Carbide Coated Susceptor ၏ အဓိကပစ္စည်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုအတွက် ရွေးချယ်ထားသည်။ သို့သော်၊ ဂရပ်ဖိုက်တစ်ခုတည်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကြုံတွေ့ရသည့် ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်အတွက် မသင့်လျော်ပါ။ ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက်၊ susceptor ကို Tantalum Carbide အလွှာဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ TaC သည် သတ္တုဓါတ်မတည့်သည့် ကြွေထည်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3880°C မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်၊ ထူးခြားသော မာကျောမှု နှင့် ဓာတုချေးစားမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် TaC သည် အပူချိန်မြင့်မားပြီး ဓာတုဗေဒအရ ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အသုံးပြုသည့် susceptors များအတွက် စံပြအင်္ဂတေပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။

TaC coating ၏ အဓိကအားသာချက်များထဲမှတစ်ခုမှာ susceptor ၏ အပူတည်ငြိမ်မှုကို သိသာထင်ရှားစွာ မြှင့်တင်ပေးခြင်းဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းသည် Tantalum Carbide Coated Susceptor သည် ပြင်းထန်သောအပူချိန်ကို ပြိုကွဲပျက်စီးခြင်းမရှိဘဲ ခံနိုင်ရည်ရှိစေကာ ယင်းသည် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) နှင့် Physical Vapor Deposition (PVD) ကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အရေးပါသော အပူချိန်ကို တသမတ်တည်းရှိနေစေပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့နှင့် ဓာတုပစ္စည်းများ အမျိုးမျိုးကို အသုံးပြုခြင်း ပါဝင်သည်။ TaC ၏ ဓာတ်တိုးမှုနှင့် ဓာတုချေးခံမှုအပေါ် ထူးထူးခြားခြား ခံနိုင်ရည်ရှိမှု သည် ခံနိုင်ရည်အား သက်တမ်းရှည်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်း၏ သမာဓိနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားကြောင်း သေချာစေသည်။ ၎င်းသည် ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေပြီး ထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေသည်။

TaC ၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားသည် Tantalum Carbide Coated Susceptor ကို ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ဝတ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ ဤတာရှည်ခံမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစေပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပေးစွမ်းသည့် susceptor ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးစေသည်။ ထို့အပြင်၊ TaC coating သည် SiC wafers များပေါ်တွင် တသမတ်တည်းနှင့် အရည်အသွေးမြင့် အပ်နှံမှုရရှိရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ချောမွေ့ပြီး တစ်ပြေးညီသော မျက်နှာပြင်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ဤတူညီမှုသည် wafer မျက်နှာပြင်၏ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ၏ အလုံးစုံ အရည်အသွေးကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

TaC coated susceptor ၏ ပင်မအပလီကေးရှင်းမှာ ပါဝါမြင့်မားပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြသည့် SiC wafers များ ထုတ်လုပ်မှုတွင်ဖြစ်သည်။ SiC wafers များသည် ထိရောက်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် ဗို့အားခံနိုင်ရည်တို့၌ သမားရိုးကျ ဆီလီကွန် wafer များထက် သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ TaC coated susceptor သည် Chemical Vapor Deposition (CVD)၊ Physical Vapor Deposition (PVD) နှင့် epitaxial growth တို့အပါအဝင် လုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

Semicorex Tantalum Carbide coated susceptor သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက်အသုံးပြုသောပစ္စည်းများတွင် သိသာထင်ရှားသောတိုးတက်မှုကိုကိုယ်စားပြုသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဓာတုခံနိုင်ရည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာကြံ့ခိုင်မှုနှင့် မျက်နှာပြင်ညီတူညီမျှပေါင်းစပ်မှုသည် SiC wafer များပါ ၀ င်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ TaC coated susceptors များကို ရွေးချယ်ခြင်းဖြင့်၊ semiconductor ထုတ်လုပ်သူများသည် ၎င်းတို့၏ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် ပိုမိုမြင့်မားသော အရည်အသွေး၊ ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ရရှိနိုင်ပြီး၊ နောက်ဆုံးတွင် အီလက်ထရွန်နစ်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုနှင့် တိုးတက်မှုကို မောင်းနှင်နိုင်သည်။