Solid SiC Shower Head

Solid SiC Shower Head ၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

1. Precursor Gases များကိုပင် ဖြန့်ဝေခြင်း။

Solid SiC Shower Head ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ CVD လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း အလွှာများတစ်လျှောက် ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များကို အညီအမျှ ဖြန့်ဝေပေးရန်ဖြစ်သည်။ ယင်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များတွင် ဖွဲ့စည်းထားသော ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ၏ အရည်အသွေးနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက်ပင် ဖြန့်ဖြူးမှုသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

2. တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော မှုတ်ဆေးအကျိုးသက်ရောက်မှုများ

Solid SiC Shower Head ၏ ဒီဇိုင်းသည် တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဖြန်းခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကို အာမခံပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အခြေခံအကျဆုံးဖြစ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်ရလဒ်များ၏ ညီညွှတ်မှုနှင့် ညီညွတ်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် ဤယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည် အရေးကြီးပါသည်။

CVD Bulk SiC အစိတ်အပိုင်းများ၏ အားသာချက်များ

CVD အမြောက်အများ SiC ၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများသည် Solid SiC Shower Head ၏ထိရောက်မှုကိုသိသိသာသာအထောက်အကူပြုသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများ ပါဝင်သည်-

1. High Density နှင့် Wear Resistance

CVD အစုလိုက် SiC အစိတ်အပိုင်းများသည် မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ 3.2 g/cm³ ပါ၀င်ပြီး ဝတ်ဆင်မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် Solid SiC Shower Head သည် တောင်းဆိုနေသော semiconductor ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် စဉ်ဆက်မပြတ်လုပ်ဆောင်မှု၏ ပြင်းထန်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။

2. သာလွန်သော အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း

Thermal conductivity 300 W/m-K ဖြင့် SiC သည် အပူကို ထိထိရောက်ရောက် စီမံခန့်ခွဲသည်။ အပူလွန်ကဲခြင်းကို တားဆီးကာ လုပ်ငန်းစဉ်တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသောကြောင့် ဤပိုင်ဆိုင်မှုသည် အလွန်အမင်း အပူသံသရာနှင့် ထိတွေ့သည့် အစိတ်အပိုင်းများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

3. ထူးခြားသော ဓာတုခုခံမှု

ကလိုရင်းနှင့် ဖလိုရင်းအခြေခံဓာတုပစ္စည်းများကဲ့သို့သော etching gases နှင့်အတူ SiC ၏ ဓာတ်ပြုမှုနည်းခြင်းသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို ကြာရှည်စေပါသည်။ ကြမ်းတမ်းသောဓာတုပတ်ဝန်းကျင်များတွင် Solid SiC Shower Head ၏သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် ဤခုခံမှုသည် အရေးကြီးပါသည်။

4. စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်နိုင်သော ခုခံနိုင်စွမ်း

CVD အစုလိုက် SiC ၏ ခံနိုင်ရည်အား 10^-2 မှ 10^4 Ω-cm အကွာအဝေးအတွင်း အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။ ဤလိုက်လျောညီထွေမှုရှိသော Solid SiC Shower Head ကို တိကျသော etching နှင့် semiconductor ထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းနိုင်စေပါသည်။

5. Thermal Expansion Coefficient

4.8 x 10^-6/°C (25-1000°C)၊ CVD အစုလိုက် SiC သည် အပူလှိုင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤခံနိုင်ရည်သည် လျင်မြန်သော အပူနှင့် အအေးစက်ဝန်းအတွင်း အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေပြီး အစိတ်အပိုင်းချို့ယွင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။

6. ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်တွင် ကြာရှည်ခံမှု

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ပလာစမာနှင့် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များနှင့် ထိတွေ့မှုသည် ရှောင်လွှဲ၍မရပါ။ CVD အစုလိုက် SiC ၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ခံနိုင်ရည်သည် ချေးယူခြင်းနှင့် ပျက်စီးခြင်းသို့ အစားထိုးခြင်း အကြိမ်ရေနှင့် အလုံးစုံ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ကုန်ကျစရိတ်တို့ကို လျော့နည်းစေသည်။

Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုကိုဖြတ်၍ အသုံးချမှုများ

1. Chemical Vapor Deposition (CVD)

CVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ Solid SiC Shower Head သည် အရည်အသွေးမြင့် ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များကို စုဆောင်းရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တူညီသောဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးပေးခြင်းဖြင့် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်း၏ ပြင်းထန်သော ဓာတုနှင့် အပူပတ်ဝန်းကျင်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည် ဤလျှောက်လွှာတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

2. Etching လုပ်ငန်းစဉ်များ

Solid SiC Shower Head ၏ ဓာတု ခံနိုင်ရည် နှင့် အပူ တည်ငြိမ် မှု သည် ၎င်းကို ထွင်းထုခြင်း အတွက် သင့်လျော် စေသည်။ ၎င်း၏ကြာရှည်ခံမှုသည် etching လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်တွေ့ရလေ့ရှိသော ပြင်းထန်သောဓာတုပစ္စည်းများနှင့် ပလာစမာအခြေအနေများကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းနိုင်စေရန် သေချာစေသည်။

3. အပူစီမံခန့်ခွဲမှု

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ထိရောက်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုသည် အရေးကြီးပါသည်။ Solid SiC Shower Head ၏ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပါဝင်သည့် အစိတ်အပိုင်းများကို ဘေးကင်းသော လည်ပတ်မှုအပူချိန်အတွင်းတွင် ရှိနေကြောင်း သေချာစေကာ အပူကို ထိရောက်စွာ ပြေပျောက်စေရန် ကူညီပေးပါသည်။

4. Plasma Processing

ပလာစမာလုပ်ဆောင်မှုတွင်၊ Solid SiC Shower Head သည် ပလာစမာကြောင့် ပျက်စီးယိုယွင်းမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ကြာရှည်စွာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။ ဤတာရှည်ခံမှုသည် လုပ်ငန်းစဉ်များ ညီညွတ်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် စက်ကိရိယာများ ချို့ယွင်းမှုကြောင့် ရပ်နားချိန်များကို လျှော့ချရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။