Планетарна пластина з покриттям TaC

Semicorex Sic Sic Socus Ring သည်တိကျသောအင်ဂျင်နီယာပုံစံဖြစ်သောလက်စွပ်ပုံသဏ် component ာန်ဖြစ်သည်။ SIC Socus Ring ကိုအဆင့်မြင့်သော semiconductor procession application များအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။ Purity Silicon Carbide (မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်), စက်ပိုင်းဆိုင်ရာလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများနှင့်ကိုက်ညီသောလျှပ်စစ်ဆိုင်ရာတည်မြဲသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးထားသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးထားသောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်လျှပ်စစ်ထားရှိမှုပုဒ်မများနှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်မှုဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။ Sic Sic Soc Meary Ring သည် Plasma etching and statition composition composition components တွင်တွေ့ရသောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီးပလာစမာဖြန့်ဖြူးရေးကိုထိန်းချုပ်ခြင်းတွင်,

SIC Focus Ring ၏ပစ္စည်းသန့်ရှင်းမှုနှင့်လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်သည်ဤအစိတ်အပိုင်းကိုသတ်မှတ်ပြီးကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့်ခွဲခြားသတ်မှတ်သောအရေးအကြီးဆုံးအချက်များဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းစင်ကြယ်ဆီလီကွန်ကာလက်၎င်းသည်ရိုးရာကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့်မတူဘဲ, 

ဓာတုပစ္စည်းများနှင့်ဓာတုပစ္စည်းများစွာကိုခုခံနိုင်စွမ်းနှင့်ထူးခြားသောလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ အလွန်အရေးကြီးသည်မှာပိုမိုအရေးကြီးသည်မှာ High-Purme Silicon Carbide သည် Plasma နှင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်လျှပ်စစ်မညီမျှမှုများပြုလုပ်နိုင်သည့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုဖြစ်စေရန်အတွက် Docpants Silicon Carbide ကို အသုံးပြု. စက်ယန္တရားများနှင့်အညီလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို အသုံးပြု. အင်ဂျင်နီယာကိုအင်ဂျင်နီယာကိုတီထွင်နိုင်သည်။

Plasma ၏အစွန်း၏အစွန်းရောက်မှုကြောင့်သိပ်သည်းဆသည်စင်တာတွင်ပိုမိုမြင့်မားပြီးအနားတွင်အောက်ပိုင်းရှိသည်။ CVD SIC ၏ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများမှတစ်ဆင့်အာရုံစိုက်သည့်လက်စွပ်သည် CVD SIC ၏ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများမှတစ်ဆင့်လျှပ်စစ်ဖြန့်ကျက်သည်။ ဤသည်လယ်ကွင်းသည်တရား 0 င်အမှုန်များ (အိုင်းယွန်းများနှင့်အီလက်ထရွန်များ) ကိုပလာစမာရှိပလာစမာရှိပျော့ပျောင်းသောမျက်နှာပြင်တွင်ပကတိအတိုင်းနှင့်ကန့်သတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် EDGE တွင်ပလာစမာသိပ်သည်းဆကိုထိထိရောက်ရောက်မြင့်တက်စေပြီး၎င်းကိုဗဟိုတွင်ပိုမိုနီးကပ်စွာဆောင်ခဲ့သည်။ ဤသည်သိသိသာသာပင့်ကူကိုဖြတ်ပြီးတူညီမှုစွဲကပ်ခြင်း, အစွန်းပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုလျှော့ချခြင်းနှင့်အထွက်နှုန်းတိုးပွားစေသည်။

Mercurer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များသည်ရှုပ်ထွေးသောစက်နှင့်တင်းကျပ်သောရှုထောင့်များသည်းခံမှုနှင့်ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်အပြီးသတ်အောင်မြင်သော polishing ဖြစ်စဉ်များကိုအသုံးချခြင်းနှင့်ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင် finish ကိုရရှိနိုင်ရန်အတွက် polishing process များကိုအသုံးပြုသည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းများ၏ရှုထောင့်တိကျမှုသည် Plasma etch နှင့်အစစ်ခံစနစ်များတွင်အပြန်အလှန်လဲလှယ်နိုင်မှုကိုသေချာစေရန် Semiconductor ပစ္စည်းပေးသွင်းသူအမျိုးမျိုးနှင့်လိုက်ဖက်သည်။ လက်စွပ်အထူ, အတွင်းပိုင်းနှင့်ပြင်ပအချင်းများအပါအ 0 င်သတ်သတ်မှတ်မှတ်လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းများကိုပြုလုပ်နိုင်သည်။

Sic Sic Socus Ring ၏ application များက Sicemonductor လုပ်ကြံဖန်တီးမှုတွင်ကျယ်ပြန့်သောခင်းကျင်းမှုတစ်ခုဖြစ်ပြီး Dram, Nand Flash, Logic Devices အသစ်များနှင့်ပါဝါ semiconductor technologies အသစ်များ။ Device Geometries သည်ကျုံ့သွားပြီး process node များမှတဆင့်ဆက်လက်တိုးတက်အောင်ဆက်လက်တိုးတက်နေသည်။ Sic Sic Socus Ring သည် Plasma ကိုထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး Wafer အရည်အသွေးကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာတိုးတက်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ Semicorex Sic Socus Ring သည်သိပ္ပံ, တိကျသောအင်ဂျင်နီယာနှင့် semiconductor progress ကိုဆင့်ကဲပြောင်းလဲမှုကိုသတ်မှတ်သည့်လမ်းဆုံအမှတ်အသားကိုသတ်မှတ်သည်။ Sic Socus Ring တွင်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု, ဤအင်္ဂါရပ်များသည်လုပ်ငန်းစဉ်များတွင်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်အထွက်နှုန်းသေချာစေရန်အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။