- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
SiC epitaxy ဆိုတာဘာလဲ။
Silicon Carbide (SiC) epitaxy သည် အထူးသဖြင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ SiC သည် ကျယ်ပြန့်သော bandgap ပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားပြီး ဗို့အားမြင့်လုပ်ဆောင်မှုလိုအပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဆိုတာဘာလဲ။
Semiconductors များသည် အက်တမ်နျူကလိယ၏ အပြင်ဘက်အလွှာရှိ အီလက်ထရွန်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ညီမျှသော ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော conductors နှင့် insulator များကြားတွင် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို လမ်းညွှန်ပေးသည့် ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး PN လမ်းဆုံများအဖြစ် အလွယ်တကူ ပြုလုပ်ကြသည်။ "ဆီလီကွန် (Si)", "ဂျာမီယမ် (Ge)" နှင့် အခြား......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
