ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ကြိတ်နိုင်ပါသလား။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF ကိရိယာများနှင့် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ဇီဝဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်အတွက် အာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များရှိသည်။ သို့သော် ခွဲစိတ်နေစဉ်အတွင်း လှီးဖြတ်ပါ။SiC waferမကုသဘဲထားပါက နောက်ဆက်တွဲ epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်အတွင်း ချဲ့ထွင်နိုင်ပြီး epitaxial ချို့ယွင်းချက်များ ဖြစ်ပေါ်ကာ စက်ပစ္စည်း၏ အထွက်နှုန်းကို ထိခိုက်စေသည့် မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပျက်စီးမှုများကို စီမံဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။SiC waferလုပ်ဆောင်နေသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပြုပြင်ခြင်းနယ်ပယ်တွင်၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပွတ်တိုက်ခြင်းဆိုင်ရာ စက်ပစ္စည်းများ၏ စက်မှုနည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့် စက်မှုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရာတွင် အဓိကအချက်ဖြစ်သည်။SiC waferလုပ်ဆောင်နေသည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများကို မူလက နီလာ၊ ပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန်နှင့် အခြားစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် SiC ပစ္စည်းများ ၀ယ်လိုအား ကြီးထွားလာသည်နှင့်အမျှ သက်ဆိုင်ရာ စီမံဆောင်ရွက်သည့် နည်းပညာများနှင့် စက်ပစ္စည်းများသည်လည်း လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာပြီး ၎င်းတို့၏ အသုံးချပရိုဂရမ်များ ကျယ်ပြန့်လာသည်။

ကြိတ်ခွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) တစ်ခုတည်းသော သလင်းကျောက်အလွှာစိန်မှုန်များပါရှိသော မီဒီယာကို ကြိတ်ခွဲရာတွင် အဆင့်နှစ်ဆင့် ခွဲခြားထားသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ကို လုပ်ဆောင်ရန် အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်- ပဏာမကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ကြိတ်ခွဲခြင်းတို့ကို အဆင့်နှစ်ဆင့်ခွဲထားသည်။ ပဏာမကြိတ်ခွဲခြင်းအဆင့်၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ စပါးအရွယ်အစားကြီးသော ပမာဏကို အသုံးပြု၍ လုပ်ငန်းစဉ်၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် Multi-wire ဖြတ်တောက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ထုတ်ပေးသော ကိရိယာအမှတ်အသားများနှင့် ယိုယွင်းနေသော အလွှာများကို ဖယ်ရှားရန်ဖြစ်ပြီး ကြိတ်ခွဲသည့်အဆင့်သည် ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုအလွှာကို ဖယ်ရှားရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။ ပဏာမကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် သေးငယ်သော စပါးအရွယ်အစားများကို အသုံးပြုခြင်းအားဖြင့် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုကို ပိုမိုသန့်စင်စေခြင်းဖြင့် မိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။

ကြိတ်ခွဲနည်းများကို တစ်ဖက်နှင့်တစ်ဖက် ကြိတ်ခွဲခြင်းဟူ၍ အမျိုးအစားခွဲထားသည်။ နှစ်ထပ်ကြိတ်ခြင်းနည်းပညာသည် warpage နှင့် flatness ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ရာတွင် ထိရောက်မှုရှိပါသည်။SiC အလွှာအပေါ်နှင့်အောက် ကြိတ်ခွဲထားသော discs များကို အသုံးပြု၍ အလွှာ၏နှစ်ဖက်စလုံးကို တပြိုင်နက်တည်း လုပ်ဆောင်ခြင်းဖြင့် တစ်ဖက်သတ်ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုတစ်သားတည်းဖြစ်စေသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရရှိစေသည်။ တစ်ဖက်သတ်ကြိတ်ခြင်း သို့မဟုတ် လက်တင်ခြင်းတွင်၊ သတ္တုပြားများပေါ်တွင် ဖယောင်းဖြင့် ထားရှိလေ့ရှိပြီး ၎င်းသည် စက်ဖိအားသက်ရောက်သောအခါတွင် အလွှာ၏ပုံသဏ္ဍာန်အနည်းငယ်ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ယင်းအလွှာသည် ကြမ်းပြင်နှင့် ပြားသွားစေသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အားဖြင့်၊ နှစ်ဘက်ကြိတ်ကြိတ်ခြင်းသည် အစပိုင်းတွင် အလွှာ၏ အမြင့်ဆုံးနေရာသို့ ဖိအားသက်ရောက်စေပြီး ၎င်းကို ပုံပျက်စေပြီး တဖြည်းဖြည်း ပြားသွားစေသည်။ အမြင့်ဆုံးအမှတ်ကို ဖြည်းဖြည်းချင်း ချောချောမွေ့မွေ့ဖြစ်လာသောအခါ၊ အလွှာအပေါ်သက်ရောက်သော ဖိအားသည် တဖြည်းဖြည်း လျော့ကျသွားသည်၊ ထို့ကြောင့် စီမံဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း ပိုမိုတူညီသော တွန်းအားတစ်ခုရရှိစေရန်၊ စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့်ဖိအားကို ဖယ်ရှားပြီးနောက် warpage ဖြစ်နိုင်ခြေကို များစွာလျှော့ချပေးသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်၏ အရည်အသွေးကို တိုးတက်စေရုံသာမက၊အလွှာဒါပေမယ့်လည်း နောက်ဆက်တွဲ မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ် ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ပိုနှစ်လိုဖွယ်ကောင်းတဲ့ အခြေခံတစ်ခုကိုလည်း ထောက်ပံ့ပေးပါတယ်။