GaN နှင့် SiC

လက်ရှိ စုံစမ်းဆဲ ပစ္စည်းများ အများအပြား ရှိပြီး ၎င်းတို့ အနက်မှ အများအပြား ရှိသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလားအလာအကောင်းဆုံးများထဲမှ တစ်ခုအဖြစ် ထင်ရှားသည်။ နှင့် ဆင်တူသည်။GaN၎င်းတွင် ပိုမိုမြင့်မားသော လည်ပတ်မှုဗို့အား၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ပြိုကွဲဗို့အားများနှင့် ဆီလီကွန်ထက် သာလွန်သော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းတို့ ပါဝင်သည်။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှုကြောင့်၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အပူချိန်လွန်ကဲသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ နောက်ဆုံးအနေဖြင့် ၎င်းသည် အရွယ်အစား သိသိသာသာသေးငယ်သော်လည်း ကြီးမားသောပါဝါကို ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းရှိသည်။

သို့ပေမယ့်SiCပါဝါအသံချဲ့စက်များအတွက် သင့်လျော်သောပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် မသင့်လျော်ပါ။ သို့သော်ငြားလည်း,GaNသေးငယ်သော ပါဝါအမ်ပလီယာများ တည်ဆောက်ရန်အတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သို့သော် အင်ဂျင်နီယာများသည် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါတွင် စိန်ခေါ်မှုနှင့် ရင်ဆိုင်ခဲ့ရသည်။GaNP-type ဆီလီကွန် MOS ထရန်စစ္စတာများဖြင့်၊ ၎င်းသည် ကြိမ်နှုန်းနှင့် ထိရောက်မှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။GaN. ဤပေါင်းစပ်မှုသည် ဖြည့်စွက်စွမ်းရည်များကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း ၎င်းသည် ပြဿနာအတွက် စံပြဖြေရှင်းချက်မဟုတ်ပေ။

နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ သုတေသီများသည် P-type GaN ကိရိယာများနှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်သော မတူညီသောနည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ ဖြည့်စွက်ကိရိယာများကို နောက်ဆုံးတွင် ရှာဖွေတွေ့ရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။GaN. သို့သော် ထိုနေ့အထိ၊GaNကျွန်ုပ်တို့ခေတ်၏နည်းပညာဖြင့် ဆက်လက်ကန့်သတ်ထားမည်ဖြစ်သည်။

တိုးတက်မှုGaNနည်းပညာသည် ပစ္စည်းသိပ္ပံ၊ လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာနှင့် ရူပဗေဒတို့အကြား ပူးပေါင်းအားထုတ်မှု လိုအပ်သည်။ လက်ရှိ ကန့်သတ်ချက်များကို ကျော်လွှားရန် ဤ interdisciplinary ချဉ်းကပ်မှု လိုအပ်ပါသည်။GaNနည်းပညာ။ အကယ်၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် P-type GaN ကို တီထွင်ထုတ်လုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် သင့်လျော်သော ဖြည့်စွက်ပစ္စည်းများကို ရှာဖွေနိုင်ပါက၊ ၎င်းသည် GaN-based ကိရိယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာနည်းပညာ၏ ကျယ်ပြန့်သောနယ်ပယ်ကိုလည်း အထောက်အကူပြုမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အနာဂတ်တွင် ပိုမိုထိရောက်သော၊ ကျစ်လစ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များအတွက် လမ်းခင်းပေးနိုင်သည်။