- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
Silicon Carbide (SiC) Power Device Market ၏ Surge နှင့် Outlook
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ကားများ လက်ခံမှု တဖြည်းဖြည်း တိုးလာသည်နှင့်အမျှ Silicon Carbide (SiC) သည် လာမည့်ဆယ်စုနှစ်အတွင်း ဆန်းသစ်သော တိုးတက်မှု အခွင့်အလမ်းများကို ကြုံတွေ့ရလိမ့်မည်။ မော်တော်ယာဥ်လုပ်ငန်းရှိ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများနှင့် အော်ပရေတာများသည် ဤကဏ္ဍ၏တန်ဖိုးကွင်းဆက်တည်ဆောက်မ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
EV လုပ်ငန်းတွင် SiC ၏ အားသာချက်များ
wide-bandgap (WBG) semiconductor material အနေဖြင့် SiC ၏ ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာခြားချက်သည် သမားရိုးကျ Si နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ဂုဏ်သတ္တိများ ပိုမိုမြင့်မားစေသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းနှင့် ဗို့အားများ တွင် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို လည်ပတ်နိုင်စေပါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Sublimation SiC ကြီးထွားမှုတွင် Doping ထိန်းချုပ်မှု
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်နှင့် အပူဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ SiC crystals များ၏ အရည်အသွေးနှင့် တားမြစ်ဆေးအဆင့်သည် စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုက်ရိုက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
TaC Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုခြင်း
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနည်းလမ်း (PVT) ဖြင့် SiC နှင့် AlN တစ်ခုတည်းသော crystals များကြီးထွားလာမှုတွင်၊ crucible၊ အစေ့ပုံဆောင်ခဲကိုင်ဆောင်ထားသူနှင့် လမ်းညွန်လက်စွပ်ကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများသည် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ SiC ၏ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ အစေ့ပုံဆောင်ခဲသည် အပူ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
အလွှာဖြတ်ခြင်းနှင့် ကြိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
SiC substrate material သည် SiC ချစ်ပ်၏ core ဖြစ်သည်။ အလွှာ၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်- တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမှတစ်ဆင့် SiC crystal ingot ကိုရရှိပြီးနောက်၊ ထို့နောက် SiC အလွှာကို ပြင်ဆင်ရာတွင် ချောမွတ်ခြင်း၊ အဝိုင်းပုံခြင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ကြိတ်ခြင်း (ပါးလွှာခြင်း) လိုအပ်သည်။ စက်ပိုင်းဆိုင......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
