SiC substrate တွင် Threading Screw Dislocation (TSD)၊ Threading Edge Dislocation (TED)၊ Base Plane Dislocation (BPD) နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့သော အဏုကြည့်မှန်ချို့ယွင်းချက်များ ရှိနိုင်ပါသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အက်တမ်အဆင့်ရှိ အက်တမ်များ၏ အစီအစဉ်ကို သွေဖည်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ SiC ......
ပိုပြီးဖတ်ပါသုတေသနရလဒ်များအရ TaC coating သည် ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်း၏သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးရန်၊ အချင်းများသောအပူချိန်ကို တိုးမြှင့်ရန်၊ SiC sublimation stoichiometry ကို ထိန်းသိမ်းရန်၊ ညစ်ညမ်းမှု ရွှေ့ပြောင်းမှုကို ဖိနှိပ်ရန်နှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန် အကာအကွယ်နှင့် သီးခြားအလွှာတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်နို......
ပိုပြီးဖတ်ပါChemical vapor deposition CVD ဆိုသည်မှာ လေဟာနယ်နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းနှစ်ခု သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းများကို ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းများ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပ်နှံထားသည့် အရာသစ်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် အချင်းချင်း ဓာတ်ပြုသည့်နေရာတွင် ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်း......
ပိုပြီးဖတ်ပါ2027 တွင် ဆိုလာ photovoltaic (PV) သည် ကမ္ဘာ့အကြီးဆုံး တပ်ဆင်နိုင်မှုအဖြစ် ကျောက်မီးသွေးကို ကျော်တက်မည်ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ခန့်မှန်းချက်တွင် ဆိုလာ PV ၏ စုစည်းတပ်ဆင်နိုင်စွမ်းသည် ဤကာလအတွင်း ၁,၅၀၀ ဂစ်ဂါဝပ်နီးပါး တိုးလာကာ 2026 ခုနှစ်တွင် သဘာဝဓာတ်ငွေ့နှင့် 2027 ခုနှစ်တွင် ကျောက်မီးသွေးကို ကျော်လွန်နို......
ပိုပြီးဖတ်ပါ