> သတင်း

သတင်း

SiC Boats နှင့် Quartz Boats- Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် လက်ရှိအသုံးပြုမှုနှင့် အနာဂတ်လမ်းကြောင်းများ

ဤဆောင်းပါးသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) လှေများ၏ အသုံးပြုမှုနှင့် အနာဂတ်လမ်းကြောင်းကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) လှေများဖြစ်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းအတွင်းရှိ quartz လှေများနှင့် စပ်လျဉ်း၍ အထူးသဖြင့် ဆိုလာဆဲလ်ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးချမှုများကို အထူးအာရုံစိုက်ထားသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

SiC ဖြတ်တောက်ခြင်း။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများအတွက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အလွန်နှစ်သက်သဘောကျသည်။ သို့သော်လည်း SiC ၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ကြွပ်ဆတ်မှုသည် ၎င်း၏လုပ်ဆောင်မှုအတွက် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို ဖြစ်စေသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Gallium Nitride Epitaxial Wafers- တီထွင်ဖန်တီးမှု လုပ်ငန်းစဉ် နိဒါန်း

Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafer ကြီးထွားမှုသည် ရှုပ်ထွေးသောလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး မကြာခဏ အဆင့်နှစ်ဆင့်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။ ဤနည်းလမ်းတွင် အပူချိန်မြင့်သော မုန့်ဖုတ်ခြင်း၊ ကြားခံအလွှာကြီးထွားမှု၊ ပြန်လည်ပေါင်းစည်းခြင်း နှင့် ပေါင်းထည့်ခြင်း အပါအဝင် အရေးကြီးသော အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအဆင့်မျာ......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Epitaxial နှင့် Diffused Wafers ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း

epitaxial နှင့် diffused wafer နှစ်ခုစလုံးသည် semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောပစ္စည်းများဖြစ်ကြသော်လည်း ၎င်းတို့၏ထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ပစ်မှတ်အသုံးပြုမှုတွင် သိသိသာသာကွာခြားပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ဤ wafer အမျိုးအစားများအကြား အဓိက ကွဲပြားချက်များကို ဖော်ထုတ်ထားသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Silicon Carbide Substrate Core Process Flow

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာသည် ဒြပ်စင်နှစ်ခုဖြစ်သော ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်တို့ပါဝင်သော ဒြပ်စင်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ကြီးမားသော bandgap၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသော အရေးပါသော ပြိုကွဲမှုနယ်ပယ် ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အီလက်ထရွန် ရွှဲပျံမှုနှုန်း မြင့်မားသော လက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် SiC အလွှာများနှင့် ကြည်လင်ကြီးထွားမှုတို့၏ အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်အတွင်း၊ အခြေခံပစ္စည်းရောင်းချသူများသည် အဓိကအားဖြင့် တန်ဖိုးဖြန့်ဖြူးမှုကြောင့် သိသာထင်ရှားသော သြဇာအာဏာကို ကိုင်စွဲထားသည်။ SiC အလွှာသည် စုစုပေါင်းတန်ဖိုး၏ 47% ရှိပြီး၊ နောက်တွင် epitaxial အလွှာများ 23% ဖြင့် စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်းနှင့် ထုတ်လုပ်မှုသည် ကျန် 30% ဖ......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

<...31 32 33 34 35...54 >