စက်မှုသတင်း

SiC-coated graphite susceptors တွေကို ဘာကြောင့် ရွေးချယ်တာလဲ။

Graphite susceptor သည် MOCVD စက်များတွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး သယ်ဆောင်သူနှင့် wafer အလွှာ၏ အပူပေးစက်ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့်အပူတစ်ပြေးညီညီညွှတ်မှု၏ဂုဏ်သတ္တိများသည်အလွှာပစ္စည်းများ၏တူညီမှုနှင့်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုကိုတိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် wafer epitaxial ကြီးထွားမှုအရည်အသွေး......

SiC epitaxial ဖြစ်စဉ်ကဘာလဲ။

မြင့်မားသောဗို့အားအကွက်တွင်၊ အထူးသဖြင့် 20,000V အထက်ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများအတွက် SiC epitaxial နည်းပညာသည် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို ရင်ဆိုင်နေရဆဲဖြစ်သည်။ အဓိကအခက်အခဲများထဲမှတစ်ခုမှာ epitaxial အလွှာရှိမြင့်မားသောတူညီမှု၊ အထူနှင့် doping အာရုံစူးစိုက်မှုရရှိရန်ဖြစ်သည်။ ထိုကဲ့သို့သောဗို့အားမြင့်ကိရိယာများဖန......

SiC coated graphite susceptor စျေးကွက်၏ သိသိသာသာ တိုးတက်မှု

MOCVD သည် အဓိက ကိရိယာဖြစ်သည်။

Semiconductor ပရောဂျက်များအတွက် ရန်ပုံငွေများ

နိုင်ငံတိုင်းသည် ချစ်ပ်များ၏ အရေးပါမှုကို သတိပြုမိကြပြီး အခြားသော ချစ်ပ်ပြတ်လပ်မှုပြဿနာကို ကာကွယ်ရန် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သည့် ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်ဂေဟစနစ်ကို အရှိန်မြှင့်လုပ်ဆောင်လျက်ရှိသည်။ သို့သော်မျိုးဆက်သစ်ချစ်ပ်ဒီဇိုင်နာများမရှိသောအဆင့်မြင့်တည်ဆောက်မှုများသည် Chips မပါသော Fabs နှင့်အတူတ......

TSMC- နောက်နှစ်တွင် 2nm လုပ်ငန်းစဉ် အန္တရာယ် အစမ်းထုတ်လုပ်မှု

၎င်းတို့၏အသစ်ထွက်ရှိထားသောနှစ်ပတ်လည်အစီရင်ခံစာတွင် TSMC ဥက္ကဌ Deyin Liu နှင့် CEO Chieh-Jia Wei သည် 2nm လုပ်ငန်းစဉ်နှင့်ပတ်သက်သည့်တိုးတက်မှုကိုဖော်ပြခဲ့သည်။