Epitaxial ကြီးထွားမှုသည် အလွှာတစ်ခုပေါ်ရှိ ပုံဆောင်ခဲပုံသဏ္ဍာန်ဖြင့် ကောင်းမွန်စွာသတ်မှတ်ထားသော monocrystalline အလွှာကို ကြီးထွားလာခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ epitaxial ကြီးထွားမှုသည် သလင်းကျောက်တစ်ခုတည်းပေါ်ရှိ ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးခြင်းတွင် ပါဝင်ပြီး ကြီးထွား......
ပိုပြီးဖတ်ပါChemical Vapor Deposition (CVD) သည် မတူညီသော တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ဖိအားများတွင် ဓာတ်ငွေ့ အများအပြား ဓာတ်ပြုခြင်း ဆိုင်ရာ သီးခြား အပူချိန် နှင့် ဖိအား အခြေအနေများ အောက်တွင် ဓာတု တုံ့ပြန်မှု ခံယူသည့် လုပ်ငန်းစဉ် နည်းပညာကို ရည်ညွှန်းသည်။ ရရှိလာသော အစိုင်အခဲဒြပ်ပစ္စည်း အနည်အနှစ်များသည် အောက်ခြေပစ္စည်း၏ မျက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ကားများ လက်ခံမှု တဖြည်းဖြည်း တိုးလာသည်နှင့်အမျှ Silicon Carbide (SiC) သည် လာမည့်ဆယ်စုနှစ်အတွင်း ဆန်းသစ်သော တိုးတက်မှု အခွင့်အလမ်းများကို ကြုံတွေ့ရလိမ့်မည်။ မော်တော်ယာဥ်လုပ်ငန်းရှိ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများနှင့် အော်ပရေတာများသည် ဤကဏ္ဍ၏တန်ဖိုးကွင်းဆက်တည်ဆောက်မ......
ပိုပြီးဖတ်ပါခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics၊ microelectronics နှင့် သတင်းအချက်အလက်နည်းပညာနယ်ပယ်များတွင်၊ semiconductor substrates နှင့် epitaxial နည်းပညာများသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ၎င်းတို့သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ခိုင်မာသော အခြေခံအုတ်မြစ......
ပိုပြီးဖတ်ပါwide-bandgap (WBG) semiconductor material အနေဖြင့် SiC ၏ ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာခြားချက်သည် သမားရိုးကျ Si နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ဂုဏ်သတ္တိများ ပိုမိုမြင့်မားစေသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းနှင့် ဗို့အားများ တွင် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို လည်ပတ်နိုင်စေပါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ