တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနယ်ပယ်တွင်၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမီးဖိုအတွင်းမှ အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုသည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်သည်။ ဤအပူချိန်ဖြန့်ဝေမှုကို အများအားဖြင့် အပူစက်ကွင်းအဖြစ် ရည်ညွှန်းသည်မှာ၊ ကြီးထွားလာမှု၏ အရည်အသွေးနှင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာများကို လွှမ်းမိုးသည့် အရေးကြီးသောအချက်ဖြစ်သည်။ အပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါIsostatic Pressing နည်းပညာသည် နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို အဓိကအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည့် isostatic graphite ထုတ်လုပ်မှုတွင် အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ isostatic graphite ထုတ်လုပ်မှုကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် သုတေသနပြုခြင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းတို့သည် စက်မှုလုပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဂရပ်ဖိုက်၊ ကာဗွန်ဖိုင်ဘာများ၊ နှင့် ကာဗွန်/ကာဗွန် (C/C) ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော ကာဗွန်အခြေခံပစ္စည်းများသည် ၎င်းတို့၏ မြင့်မားတိကျသော ကြံ့ခိုင်မှု၊ မြင့်မားသော သီးခြား moduleulus နှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် လူသိများသောကြောင့် ၎င်းတို့သည် ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန်မြင့်အသုံးချမှ......
ပိုပြီးဖတ်ပါGallium Nitride (GaN) သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် အလင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် လူသိများသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာတွင် အရေးကြီးသောပစ္စည်းဖြစ်သည်။ GaN သည် wide-bandgap semiconductor အနေဖြင့် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 3.4 eV bandgap စွမ်းအင်ပါရှိပြီး ပါဝါမြင့်ပြီး ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော applicat......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)၊ ထင်ရှားသောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံကြွေထည်ပစ္စည်း၊ အပူချိန်မြင့်မားမှု၊ မာကျောမှု၊ elastic modulus၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်တို့အပါအဝင် ထူးခြားသည့်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ကျော်ကြားသည်။ ဤအရည်အသွေးများသည် အပူချိန်မြင့်မီးဖိုပရိဘောဂများတွင် ရိုးရာစက်မှုလုပ်ငန်......
ပိုပြီးဖတ်ပါSilicon carbide (SiC) crystal ကြီးထွားမှု မီးဖိုများသည် SiC wafer ထုတ်လုပ်မှု၏ အုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု မီးဖိုများနှင့် ဆင်တူယိုးမှားများကို မျှဝေနေစဉ်၊ SiC မီးဖိုများသည် ပစ္စည်း၏ အလွန်အမင်း ကြီးထွားမှု အခြေအနေများနှင့် ရှုပ်ထွေးသော ချို့ယွင်းချက် ဖွဲ့စည်းမှု ယန္တရာ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ