Semiconductor Showerheads

အပေြာင်းဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးပြားမကြာခဏဆိုသလို "Showerhead" ဟုမကြာခဏရည်ညွှန်းသည်။

သဘာဝဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုပန်းကန်၏မျက်နှာပြင်သည်ရာနှင့်ချီ။ ထောင်နှင့်ချီသောသေးငယ်သောအပေါက်များပါ 0 င်သည်။ ဤဒီဇိုင်းသည်ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့်ထိုးဆေးများကိုတိကျမှန်ကန်သောထိန်းချုပ်မှုကိုထိန်းချုပ်ရန်ခွင့်ပြုသည်။ ၎င်းသည်ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကိုမြှင့်တင်ရုံသာမကထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကိုလည်းတိုးတက်စေသည်။

ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးသောပန်းကန်သည်သန့်ရှင်းရေး, ၎င်းသည် Semiconductor ဖြစ်စဉ်များနှင့်နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်များ၏အရည်အသွေးနှင့်နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်များ၏အရည်အသွေးကိုတိုက်ရိုက်လွှမ်းမိုးသည်။

အဆိုပါ wafer တုံ့ပြန်မှုဖြစ်စဉ်ကိုစဉ်အတွင်း၏မျက်နှာပြင်ရေချိုးခန်းMicroPores နှင့်ဖုံးလွှမ်းထားသည် (aperture 0.2-6 မီလီမီတာ) နှင့်ဖုံးလွှမ်းထားသည်။ တိကျစွာဒီဇိုင်းရေးဆွဲထားသောရုပ်သံလိုင်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့်သဘာဝဓာတ်ငွေ့လမ်းကြောင်းမှတစ်ဆင့်အထူးလုပ်ငန်းစဉ်သဘာဝဓာတ်ငွေ့သည်ယူနီဖောင်းဓာတ်ငွေ့ပန်းကန်ပေါ်တွင်ထောင်ပေါင်းများစွာသောတွင်းငယ်များကိုဖြတ်သန်းရန်လိုအပ်သည်။ Wafer ၏မတူညီသောဒေသများရှိရုပ်ရှင်အလွှာသည်မြင့်မားသောစည်းလုံးညီညွတ်မှုနှင့်ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုကိုသေချာစေရန်လိုအပ်သည်။ ထို့ကြောင့်သန့်ရှင်းရေးနှင့်ချေးခြင်းများခံနိုင်ရည်အတွက်အလွန်မြင့်မားသောလိုအပ်ချက်များအပြင်ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုပန်းကန်သည်ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုပန်းကန်များနှင့်တွင်းတွင်းရှိတွင်းနံရံပေါ်ရှိ Burrs ၏သဏ်ဌာန်၏ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုတွင်တင်းကြပ်သောတောင်းဆိုချက်များကိုတင်းကြပ်စွာလိုအပ်ချက်များရှိသည်။ aperture size နှင့်ရှေ့နောက်ညီညွတ်မှုစံသွေဖည်ခြင်းသည်ကြီးမားလွန်းပါကအတွင်းပိုင်းနံရံတွင်မဆိုကြီးလွန်းပါက,

ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုပန်းကန်၏ပစ္စည်းသည်တစ်ခါတစ်ရံတွင်ပျက်စီးလွယ်သောပစ္စည်း (ဥပမာ Silicon Silicon, Quartz ဖန်ခွက်, ကြွေထည်များ) သည်ပြင်ပအင်အားစုများအရချိုးဖောက်ရန်လွယ်ကူသည်။ ၎င်းသည် micropore ၏အချင်းအဆ 50 အတွင်းအလွန်နက်ရှိုင်းသောအပေါက်တစ်ခုဖြစ်ပြီးဖြတ်တောက်ခြင်းအခြေအနေကိုတိုက်ရိုက်လေ့လာခြင်းမပြုနိုင်ပါ။ ထို့အပြင်ဖြတ်တောက်ခြင်းအပူကိုထုတ်လွှင့်ရန်မလွယ်ကူပါ။ ထို့ကြောင့်၎င်း၏အပြောင်းအလဲနဲ့နှင့်ပြင်ဆင်မှုအလွန်ခက်ခဲသည်။

ထို့အပြင် Electrope ၏တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအနေဖြင့် Plasma ၏အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် Plasma-Assisted Previces ဖြစ်စဉ်များတွင်ပါ 0 င်သော Empty Field တွင်ယူနီဖောင်းစက္ကူကိုထုတ်လုပ်ရန်လိုသည်။

Semiconductor ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အသုံးပြုသောဓာတ်ငွေ့များသည်အပူချိန်မြင့်မားခြင်း, အမှန်တကယ်ထုတ်လုပ်မှုတွင်ကွဲပြားခြားနားသောအသုံးပြုမှုအခြေအနေများကြောင့်နှင့်အမှန်တကယ်လိုအပ်သောတိကျသောတိကျသောကြောင့်ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးသောပြားများကို၎င်း၏ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုအရအောက်ပါအမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။

(1) သတ္တုဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးပြား

သတ္တုဓာတ်ငွေ့ပိုက်လိုင်းဖြန့်ဖြူးရေးပြားများမှာအလူမီနီယမ်အလွိုင်း, သံမဏိသတ္တုနှင့်နီကယ်သတ္တုများ, ၎င်းကိုကျယ်ပြန့်စွာရရှိနိုင်ပါသည်။

(2) Metallic Gus Distribution Plate

Metallic Gas Distribution Plates ၏ပစ္စည်းများမှာ Singystal Silicon, Quartz ဖန်နှင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့အနက်များသောအားဖြင့်အသုံးပြုသောကြွေထည်ပစ္စည်းများဖြစ်သော CVD-SIC, Alumina ကြွေထည်များ, ဆီလီကွန် Nitride ကြွေထည်များဖြစ်သည်။

Semicorex သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသည်CVD SIC SICKheadssemiconductor စက်မှုလုပ်ငန်း၌တည်၏။ သင့်တွင်မေးမြန်းစုံစမ်းလိုပါကသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါကကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ရန်မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

ဆက်သွယ်ရန် # + 86-13567891907 ဆက်သွယ်ရန်

အီးမေးလ်: Sales@semicex.com