MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor

Semicorex MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor သည် Metal-Organic Chemical Vapor Deposition လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုသည့် အဆင့်မြင့်နှင့် အထူးပြုအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ optoelectronic စက်များနှင့် အခြားအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤ susceptor သည် ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များနှင့် epitaxial အလွှာများ ကြီးထွားမှုကို တိကျမှုနှင့် ထိရောက်မှုဖြင့် ကူညီဆောင်ရွက်ပေးရာတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor သည် ၎င်း၏အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် အစွမ်းထက်သောအပူစီးကူးမှုအတွက် ရွေးချယ်ထားသော အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ဖန်တီးထားသည်။ Graphite ၏ မွေးရာပါ ဂုဏ်သတ္တိများက ၎င်းအား MOCVD ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်း တောင်းဆိုနေသော အခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် စံပြပစ္စည်းတစ်ခု ဖြစ်စေသည်။ ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် ၎င်း၏ သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးရန်၊ ဂရပ်ဖိုက် ခံနိုင်ရည်အား Silicon Carbide (SiC) အလွှာဖြင့် စေ့စေ့စပ်စပ် ဖုံးအုပ်ထားသည်။

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနယ်ပယ်တွင် အဓိကအစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ရပ်တည်နေပြီး နောက်ဆုံးပေါ်ပစ္စည်းများနှင့် တိကျသောအင်ဂျင်နီယာ၏ပေါင်းစပ်မှုကို ဖော်ညွှန်းထားသည်။ ၎င်း၏ကြာရှည်ခံမှု၊ အပူစွမ်းအင်နှင့် အကာအကွယ်စွမ်းရည်များသည် အဆင့်မြင့်အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် optoelectronic စက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အရည်အသွေးမြင့်၊ မျိုးပွားနိုင်သောပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များနှင့် epitaxial အလွှာများကိုရှာဖွေရာတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။