ICP Plasma Etching System အတွက် Semicorex ၏ SiC Coated carrier သည် epitaxy နှင့် MOCVD ကဲ့သို့သော အပူချိန်မြင့်သော wafer ကိုင်တွယ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည့် ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဝန်ဆောင်မှုပေးသူများသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ အပူတူညီမှုနှင့် တာရှည်ခံဓာတုပစ္စည်းခံနိုင်ရည်တို့ကို ပေးစွမ်းနိုင်သော ကောင်းမွန်သော SiC crystal coating ပါရှိသည်။
ICP Plasma Etching System အတွက် Semicorex ၏ SiC Coated carrier ဖြင့် အရည်အသွေးအမြင့်မားဆုံး epitaxy နှင့် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များကို ရယူလိုက်ပါ။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသည့် ဤလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အထူးပြုလုပ်ထားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ကောင်းမွန်သော SiC crystal coating သည် wafers များကို အကောင်းဆုံးကိုင်တွယ်နိုင်စေခြင်းဖြင့် သန့်ရှင်းချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
ICP Plasma Etching System အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC Coated carrier အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
ICP Plasma Etching System အတွက် SiC Coated carrier ၏ ကန့်သတ်ချက်များ
CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications |
||
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ |
||
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ |
FCC β အဆင့် |
|
သိပ်သည်းဆ |
g/cm ³ |
3.21 |
မာကျောခြင်း။ |
Vickers မာကျောမှု |
2500 |
စပါးအရွယ်အစား |
μm |
၂~၁၀ |
ဓာတုသန့်စင်မှု |
% |
99.99995 |
Heat Capacity ၊ |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimation အပူချိန် |
℃ |
2700 |
Felexural Strength |
MPa (RT 4 မှတ်) |
415 |
Young’s Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300â¹۔) |
430 |
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
အပူစီးကူးမှု |
(W/mK) |
300 |
ICP Plasma Etching System အတွက် SiC Coated carrier ၏ အင်္ဂါရပ်များ
- အခွံခွာခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပြီး မျက်နှာပြင်အားလုံးကို သေချာစွာ လိမ်းပေးပါ။
မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance- 1600°C အထိ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် တည်ငြိမ်သည်။
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု- မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေများအောက်တွင် CVD ဓာတုအငွေ့ဖြင့်ပြုလုပ်သည်။
သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ သိပ်သည်းသော မျက်နှာပြင်နှင့် အမှုန်အမွှားများ။
သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။
- အကောင်းဆုံး laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံကိုရယူပါ။
- အပူပရိုဖိုင်း၏ညီညာမှုကိုအာမခံသည်။
- ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့ခြင်းမှ ကာကွယ်ပါ။