Graphite Single Silicon Pulling Tools

Graphite Single Silicon Pulling Tools ၏ အားသာချက်များသည် Crystal Growth applications များ၏ ကျယ်ပြန့်သော အကွာအဝေးတွင် ပါဝင်သည်။

အစေ့သလင်းကျောက်ကို သွန်းသောဆီလီကွန်ထဲသို့ နှစ်ပြီး ဖြည်းညှင်းစွာ အပေါ်သို့ ဆွဲတင်ကာ မီးတောက်နေသော နက်နဲသော အနက်မှ အခြေတည်သော သလင်းကျောက်ပြားကို ဆွဲထုတ်သည်။ Czochralski (CZ) နည်းလမ်း၏ အနှစ်သာရဖြစ်သော ဤနူးညံ့သိမ်မွေ့သောအကသည် ခြွင်းချက်အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ကိရိယာများကို တောင်းဆိုသည်။ ဤနေရာတွင် isostatic graphite ထွန်းလင်းသည်။

ကြီးမားသော အချင်းဆီလီကွန်ပိုကြီးသောဆီလီကွန် wafers များဝယ်လိုအားများလာသည်နှင့်အမျှ ခိုင်မာသောဆွဲကိရိယာများလိုအပ်လာသည်။ Graphite Single Silicon Pulling Tools ၏ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုသည် ပိုကြီးသော crystal အချင်းများနှင့် ဆက်စပ်နေသော အလေးချိန်နှင့် အပူဖိစီးမှုများကို ကိုင်တွယ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အသေးစားအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် အသေးငယ်ဆုံးသောမစုံလင်မှုသည် ဘေးဥပဒ်ဖြစ်စေသည့်တိုင် Graphite Single Silicon Pulling Tools ၏ သန့်ရှင်းမှုနှင့် တိကျမှုသည် အဓိကဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲများ၏ ကြီးထွားမှု၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပရိုဆက်ဆာများ၊ မန်မိုရီချစ်ပ်များနှင့် အခြားသော ခေတ်မီဆန်းပြားသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။

ဆိုလာဆဲလ်နည်းပညာ-ဆိုလာဆဲလ်များ၏ ထိရောက်မှုသည် အသုံးပြုထားသော ဆီလီကွန်၏ အရည်အသွေးပေါ်တွင် မူတည်သည်။ Graphite Single Silicon Pulling Tools သည် သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲများ ထုတ်လုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးကာ ဆိုလာဆဲလ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

သမရိုးကျ ဂရပ်ဖိုက်များနှင့် မတူဘဲ ထုတ်ယူမှုမှတစ်ဆင့် ဖွဲ့စည်းထားသော isostatic graphite သည် ထူးခြားသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း ကဏ္ဍပေါင်းစုံမှ ကြီးမားသောဖိအားကို ခံရသောကြောင့် ၎င်းသည် သိပ်သည်းဆနှင့် သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းပုံတွင် တုနှိုင်းမယှဉ်နိုင်သော တူညီမှုဖြင့် ထွက်ပေါ်လာသည်။ ၎င်းသည် ပြင်းထန်သော အပူချိန်အောက်တွင်ပင်၊ ကျောက်တုံးဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အပေါ် တိကျသောထိန်းချုပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် အရေးကြီးသော Graphite Single Silicon Pulling Tools ၏ သိသိသာသာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ဘာသာပြန်ပေးပါသည်။

ထို့အပြင်၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမီးဖိုအတွင်းမှ ပြင်းထန်သောအပူသည် သေးငယ်သောပစ္စည်းများအတွက် ဘေးဥပဒ်ဖြစ်စေနိုင်သည်။ သို့တိုင်၊ isostatic graphite သည် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုကိုသေချာစေပြီး၊ ၎င်း၏အနိမ့်အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏာန်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပင် ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံပျက်ခြင်းများကိုအနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ ဤမယိမ်းယိုင်သောတည်ငြိမ်မှုသည် တသမတ်တည်းရှိသော ပုံဆောင်ခဲဆွဲခြင်းအမြန်နှုန်းများကို သေချာစေပြီး အလိုရှိသောပုံဆောင်ခဲဂုဏ်သတ္တိများရရှိရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ထိန်းချုပ်မှုရှိသော အပူပတ်ဝန်းကျင်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

နောက်ဆုံးအချက်မှာ ညစ်ညမ်းမှုသည် ကြည်လင်သန့်စင်ခြင်း၏ အဆိုးဆုံးဖြစ်သည်။ Graphite Single Silicon Pulling Tools သည် အညစ်အကြေးများကို တိုက်ဖျက်ရန် တပ်ကြပ်အဖြစ် ရပ်တည်သည်။ ထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော သန့်စင်မှုအဆင့်ကို စေ့စေ့စပ်စပ် ထိန်းချုပ်ထားသောကြောင့် အရည်ပျော်သော ဆီလီကွန်ထဲသို့ မလိုလားအပ်သော ဒြပ်စင်များ ဝင်ရောက်လာခြင်းကို တားဆီးသည်။ ဤသန့်ရှင်းသောပတ်ဝန်းကျင်သည် အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် အရေးကြီးသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော crystals များ၏ကြီးထွားမှုကို သေချာစေသည်။