Crucible ပံ့ပိုးမှုဗန်း

အပူချိန်မြင့်သော semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် တည်ငြိမ်မှုနှင့် တိကျမှုတို့သည် တစ်သမတ်တည်းရှိသော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို သေချာစေရန် အရေးကြီးပါသည်။ Semicorex Crucible Support Tray သည် အလွန်အမင်း အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခြေအနေများအောက်တွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသော အခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်၏ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် မကြာခဏ လျစ်လျူရှုထားသော အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

The Crucible Support Tray ဟုလည်းလူသိများသည်။ကာဗွန်/ကာဗွန် (C/C)crucible ကိုင်ဆောင်သူသည် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ကြီးထွားလာစဉ်တွင် quartz သို့မဟုတ် graphite crucibles များကို ပံ့ပိုးရန် အထူးတီထွင်ဖန်တီးထားသည်။ အပူစက်ကွင်း၏ခြေရင်းတွင် တည်ရှိသောကြောင့် ဤအစိတ်အပိုင်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ကြာရှည်ထိတွေ့မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိရမည်ဖြစ်ပြီး တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ သမာဓိနှင့် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားရပါမည်။ ၎င်း၏ခိုင်ခံ့သောဒီဇိုင်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်လျှောက်လုံးတွင် crucible သည် လုံခြုံစွာနေရာချထားကြောင်း၊ တုန်ခါမှု၊ ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေနိုင်သည့် လွဲမှားမှုကို လျှော့ချပေးသည်။

C/C ပံ့ပိုးမှုဗန်း၏ အခန်းကဏ္ဍ

monocrystalline silicon ကြီးထွားလာချိန်တွင် အပူချိန်သည် 1400°C ထက်ကျော်လွန်လေ့ရှိသည်။ ရိုးရာဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများသည် အသုံးဝင်သော်လည်း၊ သွန်းသောဆီလီကွန်၏လေးလံသောအလေးချိန်အောက်တွင် သက်တမ်းနှင့် ပုံပျက်ခြင်းဆိုင်ရာ စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်ရလေ့ရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ C/C Composite Crucible Support Tray သည် ဤနာကျင်မှုအမှတ်များကို ဖြေရှင်းပေးပါသည်။

စွမ်းအားမြင့်ကာဗွန်ဖိုက်ဘာအားဖြည့်မက်ထရစ်ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ဤဗန်းသည် "သုညနီးပါး" အပူချဲ့ပရိုဖိုင်နှင့် ထူးခြားသောဝန်ထမ်းစွမ်းရည်ကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်းသည် တုန်ခါမှု နှင့် ပုံဆောင်ခဲချို့ယွင်းချက်များကို ကာကွယ်ရန် ပြီးပြည့်စုံသော အဆင့်လေယာဉ်ကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး crucible နှင့် rotating shaft အကြား ကြားခံအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ရုပ်ထွက်ကောင်းမွန်မှု

သိပ်သည်းဆ- ≥ 1.3 g/cm³

Flexural Strength: ≥ 110 MPa

Thermal Expansion (CTE) ၏ကိန်းဂဏန်း- ≤ 1.0 × 10⁻⁶ /K

Compressive Strength:  ≥ 160 MPa