CCB ဘရိတ်

Semicorex CCB ဘရိတ်များကိုကာဗွန်ကြွေပြားများကိုကာဗွန်ကြွေပြားများကနေတည်ဆောက်ထားသည့်ကာဗွန်ဆန်သောပေါင်းစပ်ထားသော co composite concic core core ကိုတည်ဆောက်သည်။ ဖွဲ့စည်းပုံ၏ဗဟိုတွင်ကာဗွန်ကာဗွန်အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး၎င်း၏အလင်းကိုယ်အလေးချိန်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ထို့နောက် core သည်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံနှင့်ပြန်လည်လုပ်ဆောင်ခြင်း (RMI) လုပ်ငန်းစဉ် (RMI) ဖြစ်စဉ်ကိုအသုံးပြုခြင်းအားဖြင့် cower matrix ဖြင့်အားဖြည့်ပေးသည်။ Eigenolten Silicon ကိုကာဗွန်ဖွဲ့စည်းပုံကိုထိုးသွင်းထားသည့်ကာဗွန်ဓာတ်ထည်ကိုထိုးသွင်းထားသည့်ကာဗွန်ဖွဲ့စည်းပုံကိုထိုးသွင်းထားသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်သောပွတ်တိုက်မှုအလွှာသည် 80% ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 80% ပါဝင်သောအခြေစိုက်စခန်းထိပ်တွင်အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည်ကျွန်ုပ်တို့အား 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့်အပူချိန်အမျိုးမျိုးကို ဖြတ်. ပွတ်တိုက်မှုတည်ငြိမ်မှုအတွက်အကောင်းဆုံးရောနှောမှုပေးသည်။

Sic-Richfrice အလွှာ၏ RMI နည်းပညာမှတစ်ဆင့်အပြင်းအထန်နှိမ်နင်းခြင်း, ဤအလွှာသည်ထပ်ခါတလဲလဲမြန်နှုန်းမြင့် deceleterations များအောက်တွင်ပင်တသမတ်တည်းကိန်းတစ်ခုလုံးကိုတသမတ်တည်းကိန်းများပေးပြီးအားကစားကားများ, မော်တော်ဆိုင်ကယ်များ,

ပထမ ဦး စွာ C / C အလွတ်ကိုဓာတုအငွေ့အခိုးအငွေ့ (သို့) ဗဓေမ်း 0 န်ထမ်းကာဗွန်ဒက်စ်၏အနေဖြင့်အလွတ်များနှင့်ဆက်သွယ်သည်။ ဆီလီကွန်သည်အချည်းနှီးသောအပေါက်များကိုဖြည့်နေစဉ်အပူချိန်မြင့်မားစေရန်အပူချိန်မြင့်မားသောကာဗွန်ဓာတ်ပြုန်သည်။ အလွန်ကောင်းမွန်သောပြည့်စုံသောစွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့်၎င်းကိုအဆင့်မြင့်တိုက်လေယာဉ်များ, အမြန်နှုန်းမြင့်ရထားများ, ကားများနှင့်အားကစားကားများ၌ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသောကြောင့်မြင့်မားသောမြန်နှုန်း, မျက်နှာပြင်ကိုပွတ်တိုက်ခြင်းအလွှာနှင့်ဖုံးထားပြီးအရည်ပျော်သောဆီလီကွန်စိစစ်ခြင်း RMI နည်းပညာကိုဓာတ်တိုးခြင်းနှင့်ပွတ်တိုက်မှုဆန့်ကျင်ရေးကိန်းများကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်မြှင့်တင်ရန်နှင့်ဘရိတ် disc ၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုပိုမိုမြှင့်တင်ရန်အသုံးပြုသည်။

CCB ဘရိတ်များတွင်အပူတိုးချဲ့မှုနည်းပါးခြင်းနှင့်အပူစီးကူးခြင်းတို့ရှိသည်။ ၎င်းသည်အလွန်အမင်းအပူစွမ်းအင်ကြောင့် CCB ဘရိတ်သည် CCRATE နှင့်ပုံပျက်မှုများကိုရှောင်ရှားရန်ခွင့်ပြုသည်။ ဘရိတ်မျက်နှာပြင်တွင်အသုံးပြုသောမြင့်မားသော SIC ပမာဏသည်အလွန်မြင့်မားသောခိုင်မာသောခဲယဉ်းမှုနှင့်ပွန်းပဲ့မှုခံနိုင်ရည်မြင့်မားခြင်းနှင့် 0 တ်မှုနှုန်းအလွန်နည်းပါးသော 0 န်ဆောင်မှုပေးသည့်ပမာဏကိုရရှိစေသည်။ ရိုးရာသံဘရိတ်စနစ်များနှင့်မတူဘဲ CCB ဘရိတ်သည်အလွန်ပေါ့ပါးသောကိုယ်အလေးချိန်ကျပြီး Dynamics ကိုကိုင်တွယ်သည်။

နောက်ထပ်အရေးပါသောအားသာချက်မှာ CCB မျက်နှာပြင်၏ clection ကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည်ကမ်းရိုးတန်းလမ်းများသို့မဟုတ်ပြိုင်ပွဲများကဲ့သို့သောစိုစွတ်သောနှင့်ရန်လိုသောပတ် 0 န်းကျင်များတွင်သာလွန်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေသည်။ ဘရိတ်မှတုန့်ပြန်မှုသည်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ထပ်ခါတလဲလဲအသုံးပြုပြီးနောက်၌ပင်သေးငယ်သောဘရိတ်နှင့်အတူချောမွေ့စွာတုံ့ပြန်ကြသည်။

CCB ဘရိတ်သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောမော်တော်ကားနှင့်မော်တော်ဆိုင်ကယ်ကဏ် in များတွင်ပိုမိုနှစ်သက်သောရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည်ဇိမ်ခံကားများနှင့်အားကစားယာဉ်များ, အားကစားယာဉ်များ, ပြိုင်ပွဲဝင်များနှင့်အားကစားယာဉ်များနှင့်အားကစားယာဉ်များ, ၎င်းတို့၏အဆင့်မြင့် RMI SIC COC-COC COUCT မျက်နှာပြင်နှင့်အတူဤဘရိတ်သည်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနည်းပါးသည်, ဘရိတ်ကိုလျော့နည်းစေပြီးသမားရိုးကျစနစ်များထက်သူတို့၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာသမာဓိရှိမှုကိုထိန်းသိမ်းထားသည်။

Lightweight ကာဗွန်ကြွေထည်ကို rmi clfiltration မှတဆင့်ဖွဲ့စည်းထားသော Sic-Richt ပွတ်တိုက်နိုင်သောပွတ်တိုက်မှုအလွှာဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားသော Sememorex ၏ CCB ဘရိတ်သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောဘရိတ်တွင်အဆုံးစွန်သည်။ လမ်းပေါ်တွင်သို့မဟုတ်လမ်းကြောင်းပေါ်တွင်ဤဘရိတ်သည်ဘရိတ်နည်းပညာအတွက်ဘားကိုဘားပြုစုပျိုးထောင်ခြင်းကိုတားဆီးထားသောကြာရှည်ခံမှု,