C/C အပူပေးစက်

အဆင့်မြင့် semiconductor နှင့် photovoltaic ထုတ်လုပ်မှုတွင် အရည်အသွေးမြင့် crystal structures များရရှိရန်အတွက် တိကျသောအပူထိန်းချုပ်မှုသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ Semicorex C/C အပူပေးစက် (ကာဗွန်/ကာဗွန် ပင်မအပူပေးစက်) သည် ထူးထူးခြားခြား အပူတူညီမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းရန် အင်ဂျင်နီယာချုပ်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် အပူချိန်မြင့်သော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုစနစ်များတွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။

အထက်တွင်ပြထားသည့် C/C အပူပေးစက်သည် လက်ရှိဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် အပူဓာတ်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် တိကျစွာဖြတ်တောက်ထားသော အပေါက်များဖြင့် အပိုင်းပိုင်းခွဲထားသော လက်စွပ်ပုံစံကို ပါရှိသည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံသည် အပူပိုင်းဇုန်တစ်လျှောက် တူညီသောအပူထုတ်ပေးမှုကို ထိရောက်စွာပြုလုပ်ပေးကာ အပူရောင်အရောင်ပြောင်းခြင်းကို ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချပေးပြီး တစ်သမတ်တည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုအခြေအနေများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အပူချိန်တိကျမှန်ကန်မှုသည် ပစ္စည်းအရည်အသွေးနှင့် အထွက်နှုန်းကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည့် မိုနိုခရစ်စတယ်လီဆီလီကွန် (CZ နည်းလမ်း) နှင့် polycrystalline silicon ထုတ်လုပ်မှုကဲ့သို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုပါသည်။

သမားရိုးကျ ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက်များသည် အပူချိန်မြင့်သည့် စက်ဝန်းများအတွင်း စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ သက်တမ်းကြာရှည်မှုနှင့် အပူပုံပျက်ခြင်းတို့ကို မကြာခဏ ရင်ဆိုင်ရလေ့ရှိသည်။C/C ပေါင်းစပ်မှုများစွမ်းအားမြင့်ကာဗွန်ဖိုင်ဘာများဖြင့် အားဖြည့်ထားသော၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အခြားရွေးချယ်စရာကို ပေးစွမ်းသည်။ ကာဗွန်ဖိုင်ဘာများဖြင့် အားဖြည့်ထားသော ကာဗွန်မက်ထရစ်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ C/C အပူပေးစက်သည် ဆီလီကွန် ပေါက်ပွားမှုအတွင်း အရည်ပျော်-အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် လိုအပ်သော တိကျသောအပူချိန် gradients များကို ပေးဆောင်စဉ်တွင် C/C အပူပေးစက်သည် ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ-

သိပ်သည်းဆ- ≥1.50 g/cm³

အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း (RT): ≥40 W/(m·K)

လျှပ်စစ်ခုခံနိုင်စွမ်း (RT) : 20-30 μΩ·m

လျှပ်စစ်ခုခံနိုင်စွမ်း (အပူချိန်မြင့်): 14-20 μΩ·m

Silicon ကြီးထွားမှုအတွက် အဓိက အားသာချက်များ

1. ထူးထူးခြားခြား အပူပိုင်းတူညီမှု

C/C Main Heater ၏ အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ symmetrical heat distribution ကို ပံ့ပိုးပေးရန်ဖြစ်သည်။ monocrystalline silicon ကြီးထွားမှုတွင်၊ အပူချိန် gradient တွင် အနည်းငယ်အတက်အကျသည်ပင် အောက်ဆီဂျင်မိုးရွာခြင်းဆိုင်ရာ ပြဿနာများ သို့မဟုတ် အရွေ့ပြောင်းခြင်းများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏အပူပေးကိရိယာများ၏ ဖိုက်ဘာအားဖြည့်ဖွဲ့စည်းပုံသည် တည်ငြိမ်ကြီးထွားနှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးကာ မီးခိုးလုံးတစ်လျှောက် အပူဓာတ်ကို အညီအမျှဖြာထွက်ကြောင်း သေချာစေသည်။

2. ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဓာတုသန့်စင်မှု

ညစ်ညမ်းမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထိရောက်မှု၏ ရန်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ C/C အပူပေးစက်များသည် ပြာများပါဝင်မှု အနည်းဆုံး (ပုံမှန်အားဖြင့် <20ppm) ရှိကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် အပူချိန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်းသည် N-type သို့မဟုတ် P-type wafers များအတွက် လိုအပ်သော မြင့်မားသောခံနိုင်ရည်နှင့် သယ်ဆောင်သူ၏ သက်တမ်းကို အာမခံချက်ပေးကာ သတ္တုအညစ်အကြေးများ ဆီလီကွန်အရည်ပျော်ခြင်းသို့ စိမ့်ဝင်ခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။

3. အသက်ရှည်ခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်-ထိရောက်မှု

စံ isostatic graphite နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပြီး၊C/C ပေါင်းစပ်မှုများပိုမိုမြင့်မားသောခွန်အားနှင့်အလေးချိန်အချိုးကိုပိုင်ဆိုင်သည်။ ၎င်းတို့သည် အပူဒဏ်ကို လွန်စွာခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူချိန် 1500 ဒီဂရီထက် ကျော်လွန်သော ကြာရှည်စွာ အသုံးပြုပြီးနောက် ကြွပ်ဆတ်မှုမဖြစ်ပါ။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် မီးဖိုတွင်းပြိုကျမှု နည်းပါးလာပြီး fab အော်ပရေတာများအတွက် ပိုင်ဆိုင်မှု စုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ် လျော့နည်းစေသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်အသုံးချမှုများ

Silicon Drawers (CZ Furnaces) တွင် ဗဟိုအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်အဖြစ် အဓိကအသုံးပြုသော်လည်း၊ ဤ C/C အပူပေးကိရိယာများသည်လည်း အဓိကကျသည်-

ပိုလီစီလီကွန် လျှော့ချရေး မီးဖိုများ- ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုဆောင်းခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် တည်ငြိမ်သော အပူပေးသည်။

အပူချိန်မြင့်သော ဖုန်စုပ်မီးဖိုများ- အဆင့်မြင့် ကြွေထည်ပစ္စည်းများကို မီးရှို့ခြင်းနှင့် ကြိတ်ခြင်းအတွက်။