အစုလိုက် SiC လက်စွပ်

Semicorex Bulk SiC Ring ကို Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) မှ ထုတ်လုပ်ထားပြီး ၎င်း၏ ထူးခြားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူစီးကူးမှုတို့အတွက် ကျော်ကြားသော ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ၎င်းအား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးထုတ်ခြင်း၏ တင်းကျပ်သောပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၊ etching သည် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ (ICs) များထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အရေးကြီးသောအဆင့်ဖြစ်ပြီး တိကျမှုနှင့် ပစ္စည်းခိုင်မာမှုတို့ လိုအပ်ပါသည်။ Bulk SiC Ring သည် ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အားကောင်းစေမည့် တည်ငြိမ်သော၊ တာရှည်ခံပြီး ဓာတုဗေဒနည်းအရ အားနည်းသောအတားအဆီးကို တပ်ဆင်ခြင်းဖြင့် ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်း၏အဓိကလုပ်ဆောင်မှုမှာ တသမတ်တည်း ပလာစမာဖြန့်ဖြူးမှုကို ထိန်းထားရန်နှင့် မလိုလားအပ်သောပစ္စည်းများ ယိုစိမ့်ခြင်းနှင့် ညစ်ညမ်းခြင်းမှ အခြားအစိတ်အပိုင်းများကို အကာအကွယ်ပေးခြင်းဖြင့် wafer မျက်နှာပြင်ကို တစ်ပြေးညီ ခြစ်ကြောင်းသေချာစေရန်ဖြစ်သည်။

Bulk SiC Ring တွင်အသုံးပြုထားသည့် CVD SiC ၏ထူးခြားသောဂုဏ်ရည်များထဲမှတစ်ခုမှာ ၎င်း၏သာလွန်ကောင်းမွန်သောပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည်။ CVD SiC သည် အလွန်သန့်စင်သော polycrystalline ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး ပလာစမာ etching ပတ်၀န်းကျင်တွင် ပျံ့နှံ့နေသော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခြွင်းချက်နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ Chemical Vapor Deposition method သည် ပစ္စည်း၏ microstructure ကို တင်းကြပ်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး အလွန်သိပ်သည်းပြီး တစ်သားတည်းဖြစ်သော SiC အလွှာကို ထုတ်ပေးပါသည်။ ဤထိန်းချုပ်ထားသော အစစ်ခံနည်းလမ်းသည် Bulk SiC Ring ကို စိန်ခေါ်မှုအခြေအနေများတွင် ကြာရှည်အသုံးပြုမှုအောက်တွင် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းထားရန်အတွက် အရေးကြီးသော ယူနီဖောင်းနှင့် ကြံ့ခိုင်ဖွဲ့စည်းပုံအား အခိုင်အမာရရှိစေပါသည်။

CVD SiC ၏အပူစီးကူးမှုသည် Semiconductor etching တွင် Bulk SiC Ring ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည့်နောက်ထပ်အချက်တစ်ချက်ဖြစ်သည်။ ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အပူချိန်မြင့်မားသော ပလာစမာများ ပါဝင်လေ့ရှိပြီး ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် တိကျမှုကို ထိန်းထားရာတွင် အပူများကို ထိရောက်စွာ ချေဖျက်ရာတွင် SiC Ring ၏ ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်သည် SiC Ring ၏ သက်တမ်းကို တိုးစေရုံသာမကဘဲ လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ဖြတ်သန်းမှုတို့ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

၎င်း၏အပူဂုဏ်သတ္တိများအပြင်၊ Bulk SiC Ring ၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအားနှင့် မာကျောမှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၎င်း၏အခန်းကဏ္ဍအတွက်အရေးကြီးပါသည်။ CVD SiC သည် မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားကို သရုပ်ပြပြီး လက်စွပ်သည် လေဟာနယ်နှင့် ပလာစမာအမှုန်များ၏ သက်ရောက်မှုများအပါအဝင် etching လုပ်ငန်းစဉ်၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။ ပစ္စည်း၏မာကျောမှုသည် ကြာရှည်အသုံးပြုပြီးနောက်တွင်ပင် လက်စွပ်သည် ၎င်း၏အတိုင်းအတာသမာဓိနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်သွင်ပြင်လက္ခဏာများကို ထိန်းသိမ်းထားကြောင်း အာမခံချက်ဖြင့် ဝတ်ဆင်မှုနှင့် တိုက်စားမှုတို့ကို ထူးခြားစွာခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။

CVD Silicon Carbide မှ ဖန်တီးထားသော Semicorex Bulk SiC Ring သည် semiconductor etching လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ရပ်တည်နေသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများ၊ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခွန်အား၊ ဓာတုအားနည်းမှုနှင့် ဝတ်ဆင်မှုနှင့် တိုက်စားမှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် ပလာစမာ etching ၏တောင်းဆိုနေသောအခြေအနေများအတွက် စံပြသင့်လျော်ပါသည်။ တစ်ပြေးညီ ထွင်းထုခြင်းနှင့် ညစ်ညမ်းခြင်းမှ အခြားအစိတ်အပိုင်းများကို အကာအကွယ်ပေးသည့် တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အတားအဆီးကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့်၊ Bulk SiC Ring သည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် တိကျမှုနှင့် အရည်အသွေးမရှိမဖြစ်လိုအပ်ကြောင်း သေချာစေသည့် နောက်ဆုံးပေါ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။