Semicorex Aluminum Nitride အပူပေးစက်များသည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ကြွေအပူပေးသည့်အပူချိန်, Sememicorex ကိုရွေးချယ်ခြင်းဆိုသည်မှာအဆင့်မြင့်ကြွေထည်နည်းပညာများနှင့်တိကျသောအင်ဂျင်နီယာနည်းစနစ်များပေးပို့ခြင်းနှင့်တုန့်ပြန်မှုနည်းပညာဆိုင်ရာအထောက်အပံ့များနှင့်သင်၏လျှောက်လွှာလိုအပ်သည့်တုန့်ပြန်မှုနည်းပညာဆိုင်ရာအထောက်အပံ့များဖြင့်ပူးပေါင်းပါဝင်ခြင်းဖြစ်သည်။ *
Semicorex Aluminum Nitride အပူပေးစက်များသည်မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်းနှင့်ခြွင်းချက်လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာနှင့်ခြွင်းချက်ဆိုင်ရာကြာရှည်ခံမှုများအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော application များအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော application များအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော appecic perments များဖြစ်သည်။ အလူမီနီယမ် Nitride ကြွေထည်မှအင်ဂျင်နီယာများသည်အလျင်အမြန်ယူနီဖောင်းအပူပေးစွမ်းသည်။
Aluminum Nitride Nitride အပူပေးစက်များသည် Semiconductor ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်အယူအဆသုံးပစ္စည်းများတွင်အဓိကအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည်လုပ်ငန်းစဉ်အခန်းတွင်တိုက်ရိုက်အသုံးပြုပြီး wafer နှင့်တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်မှုဖြင့်တိုက်ရိုက်အသုံးပြုနိုင်သည်။ သူတို့က wafer ကိုသယ်ဆောင်ရုံတင်မကဘဲ,
တည်ငြိမ်နှင့်ယူနီဖောင်းလုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည်များသောအားဖြင့်မြင့်မားသောတုံ့ပြန်မှုနှင့်ယူနီဖောင်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ဇာတ်ကားများအပေါ်အထူးတိကျသောတုံ့ပြန်မှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။
ပုံမှန်အားဖြင့်အလူမီနီယမ် Nitride အပူပေးစက်များတွင် wafer loading မျက်နှာပြင်နှင့်နောက်ကျောတွင်ပံ့ပိုးပေးသောဆလင်ဒါပံ့ပိုးမှုခန္ဓာကိုယ်ပါသောကြွေထည်များပါ 0 င်သည်။ အပူပေးရန်အတွက်စိတ်သောအပူရှိန်တိုက်နယ်တစ်ခုအပြင် RF Electrope နှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့်အခြား conductor များနှင့်အခြား conductors များကိုလည်းတပ်ဆင်ထားသည်။
ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်အစသုံးစက်ကိရိယာများသည်များသောအားဖြင့်အပေါ် အခြေခံ. ကြွေထည်ပစ္စည်းများအသုံးပြုသည်လူမီနီယမ် Nitride (Aln)အကြောင်းမှာ၎င်းသည်အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပါ 0 င်သည်။ အလူမီနီယမ် Nitride အပူပေးစက်များကို Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုတွင်မျက်နှာသာရရသည့်အကြောင်းရင်းမှာအဓိကအားဖြင့်သူတို့၏ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကြောင့်ဖြစ်သည်။ အလူမီနီယမ် Nitride သည်အပူဓာတ်စီးကူးခြင်းသာမကခဏတာတွင်မြန်ဆန်စွာအပူပေးပြီးအအေးမိခြင်းနှင့်အပူပေးစက်၏တည်ငြိမ်မှုနှင့်ရောနှောခြင်းတို့တွင်ပါ 0 င်သည်။ ထို့အပြင်အလူမီနီယမ် Nitride ၏အပူတိုးချဲ့မှုသည်ဆီယမ်မီနီယမ်၏တိုးချဲ့မှုနှင့်ဆင်တူသည်။
ယေဘုယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်,ကြွေထည်အပူပေးစက်အဓိကအားဖြင့်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်အယူအဆပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းတွင်အပူချိန်မြင့်မားသောဖြစ်စဉ်များပါ 0 င်သောကြောင့်အသုံးပြုသောကြွေထည်ပစ္စည်းသည်အဓိကအားဖြင့်လူမီနီယမ် Nitride ဖြစ်သည်။ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသုံးစွဲမှုကိုအဓိကအားဖြင့်ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အဓိကအသုံးပြုသည်။ ကြွေထည်ပစ္စည်းသည်အဓိကအားဖြင့်အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ဖြစ်သည်။ Semiconductor နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူကြွေထည်အပူပေးစက်နှင့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြန့်ဝေမှုအကြားထပ်နေသည်။ ဥပမာအားဖြင့်, ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်အစစ်ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အသုံးပြုသောကြွေထည်အပူပေးစက်များသည်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူနှင့်လျှပ်စစ်ထားသည့်စုပ်ယူမှု၏လုပ်ဆောင်ချက်နှစ်ခုရှိသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေး chucks တပ်ဆင်ထားသည်။ ပစ္စည်းကိရိယာများကိုစွဲကိုင်ထားသည့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးသည့် Chuck သည်အပူချိန်မြင့်မားသောလုပ်ငန်းစဉ်များပါ 0 င်သည်။