2" Gallium Oxide အလွှာ

ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းခြင်း နှင့် ပါဝါပစ္စည်း- Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates ၏ ကျယ်ပြန့်သော bandgap သည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 4.8-4.9 eV မှ ၎င်းတို့အား ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ထောက်လှမ်းသည့်ကိရိယာများနှင့် ပါဝါသုံးပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများတွင် ထူးချွန်စေပြီး၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် ပါဝါအခြေအနေများကို ထိထိရောက်ရောက် စီမံခန့်ခွဲရာတွင် သာလွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသထားသည်။ .

High-Temperature Operations- 2" Gallium Oxide Substrates ၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်မြင့်တည်ငြိမ်မှုသည် ၎င်းတို့အား 1200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ စွမ်းအားမြင့်ခြင်းနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အလွန်သင့်လျော်စေပါသည်။ အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အများအပြားထက် သာလွန်သည်။

High Breakdown Field- 2" Gallium Oxide Substrates ၏ မြင့်မားသောပြိုကွဲမှုနယ်ပယ်အား ခိုင်ခံ့မှုသည် ၎င်းတို့အား ဗို့အားမြင့်အပလီကေးရှင်းများအတွက် အစွမ်းထက်သော ကိုယ်စားလှယ်လောင်းတစ်ဦးဖြစ်လာစေပြီး ပါဝါပြောင်းစက်များနှင့် အင်ဗာတာများကဲ့သို့သော စက်ပစ္စည်းများ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ကြာရှည်မှုကို သိသိသာသာ တိုးမြှင့်စေသည်။

ဓာတုခံနိုင်ရည်- 2" Gallium Oxide Substrates ၏ မြင့်မားသော ဓာတုတည်ငြိမ်မှုသည် စံအပူချိန်နှင့် ဖိအားအခြေအနေများအောက်တွင် အက်ဆစ်များနှင့် ဘေ့စ်အများအပြားကို ခုခံနိုင်စေကာ ကြမ်းတမ်းသောဓာတုပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ၎င်း၏ကြာရှည်ခံမှုနှင့် သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။

ဤဂုဏ်သတ္တိများ၏ထူးခြားသောပေါင်းစပ်မှုသည် Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates သည် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics၊ photocatalysis နှင့် gas sensing နယ်ပယ်များတွင် စွယ်စုံသုံးပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် နေရာပေးထားသည်။ ၎င်း၏ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချနိုင်မှုအလားအလာသည် စိန်ခေါ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် စိတ်ချယုံကြည်စွာလုပ်ဆောင်နိုင်ခြင်းကြောင့်၊ လက်ရှိ semiconductor စွမ်းရည်များ၏ နယ်နိမိတ်များ။