Semicorex Si Substrate သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှု၏တိကျသောစံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီရန် တိကျမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဖြင့် ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။ Semicorex ကိုရွေးချယ်ခြင်းဆိုသည်မှာ အပလီကေးရှင်းအားလုံးတွင် တစ်သမတ်တည်း စွမ်းဆောင်နိုင်စေရန် စေ့စေ့စပ်စပ် ဖန်တီးထားသည့် အလွှာတစ်ခုကို ရွေးချယ်ခြင်းဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrate သည် အညစ်အကြေးနှင့် ချို့ယွင်းချက်အနည်းငယ်သာရှိစေရန် တိကျသေချာသော အရည်အသွေးကို ထိန်းချုပ်ထားပြီး နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီစေရန် စိတ်ကြိုက်သတ်မှတ်ချက်များဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။*
Semicorex Si Substrate သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ၊ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်း အမျိုးမျိုးကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်၏ အစွမ်းထက်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဂုဏ်သတ္တိများ၊ ၎င်း၏ အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုတို့နှင့်အတူ ၎င်းအား အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းတွင် အသုံးအများဆုံး အလွှာတစ်ခု ဖြစ်လာစေသည်။ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ (ICs)၊ နေရောင်ခြည်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပါဝါကိရိယာများကဲ့သို့သော နည်းပညာများစွာပါဝင်သည့် အသုံးချပရိုဂရမ်များနှင့်အတူ Si Substrate သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့တွင် အခြေခံအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrate သည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏ တင်းကြပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန်နှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာတွင် အဆင့်မြင့် applications များအတွက် အကောင်းဆုံးအခြေခံတစ်ခုပေးစွမ်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။
အင်္ဂါရပ်များနှင့် သတ်မှတ်ချက်များ
သန့်စင်မြင့်ပစ္စည်းကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrates များသည် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ထိခိုက်စေနိုင်သော အညစ်အကြေးအနည်းငယ်သာရှိစေရန် သန့်စင်မြင့်ဆီလီကွန်ကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ဤသန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ပစ္စည်းသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော အပလီကေးရှင်းများတွင် အရေးပါသော မလိုလားအပ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။
ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော Crystal Orientation-Si Substrate ကို (100)၊ (110) နှင့် (111) အပါအဝင် အမျိုးမျိုးသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သော အသွင်အပြင်ဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ (100) orientation ကို CMOS fabrication တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုထားပြီး (111) ကို ပါဝါမြင့်သော application များအတွက် မကြာခဏ ဦးစားပေးပါသည်။ ဤရွေးချယ်မှုသည် အသုံးပြုသူများအား သီးခြားစက်လိုအပ်ချက်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေသည်။
မျက်နှာပြင် အရည်အသွေးနှင့် အကြမ်းဖျင်း-ချောမွေ့ပြီး အပြစ်အနာအဆာကင်းသော မျက်နှာပြင်ကို ရရှိရန် အကောင်းမွန်ဆုံး စက်စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် မရှိမဖြစ် လိုအပ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrates များသည် မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု နည်းပါးပြီး ကွဲပြားမှု မြင့်မားမှု ရှိစေရန် တိကျစွာ ပွတ်တိုက်ပြီး ကုသပါသည်။ ဤဂုဏ်ရည်တော်များသည် ထိရောက်သော epitaxial အလွှာ အစစ်ခံခြင်းကို အထောက်အကူပြုပြီး နောက်ဆက်တွဲအလွှာများတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို လျော့နည်းစေသည်။
အပူပိုင်းတည်ငြိမ်မှု-ဆီလီကွန်၏အပူဂုဏ်သတ္တိများသည် အပူချိန်အမျိုးမျိုးတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသောစွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်သော စက်များအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrate သည် ဓာတ်တိုးခြင်းနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်းကဲ့သို့သော အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များအောက်တွင် တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး ရှုပ်ထွေးသော semiconductor ထုတ်လုပ်မှု၏ တောင်းဆိုချက်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။
စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်စရာများ-ကျွန်ုပ်တို့သည် Si Substrates ကို အထူ၊ အချင်း နှင့် doping အဆင့်အမျိုးမျိုးဖြင့် ပေးဆောင်ပါသည်။ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုရွေးချယ်မှုများသည် ထုတ်လုပ်သူများအား အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ချိန်ညှိရာတွင် အရေးပါသည့် ခံနိုင်ရည်နှင့် သယ်ဆောင်သည့်အာရုံစူးစိုက်မှုကဲ့သို့သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများအတွက် အလွှာကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခွင့်ပြုသည်။
အသုံးချမှု
ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ (IC များ)-Si Substrate သည် ပရိုဆက်ဆာများ၊ Memory ချစ်ပ်များနှင့် အာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့ စက်ပစ္စည်းများအတွက် တည်ငြိမ်ပြီး တူညီသောအခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးသည့် IC ထုတ်လုပ်မှုတွင် အခြေခံပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်နစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည် ခေတ်မီ IC များတွင် ထရန်စစ္စတာများ ထူထပ်စွာထုပ်ပိုးခြင်းအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော device parameter များကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။
ပါဝါစက်များ-Si Substrates ကို MOSFETs နှင့် IGBTs ကဲ့သို့သော ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် မကြာခဏအသုံးပြုကြပြီး အပူစီးကူးနိုင်မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအား မြင့်မားမှုတို့ လိုအပ်ပါသည်။ ပါဝါကိရိယာများသည် မြင့်မားသောဗို့အားများနှင့် လျှပ်စီးကြောင်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော အလွှာများ လိုအပ်ပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrates သည် ဤတောင်းဆိုနေသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းပါသည်။
Photovoltaic ဆဲလ်များ-ဆီလီကွန်သည် နေရောင်ခြည်ကို လျှပ်စစ်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရာတွင် ထိရောက်မှုရှိသောကြောင့် photovoltaic ဆဲလ်များတွင် အသုံးအများဆုံးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Si Substrates များသည် ဆိုလာဆဲလ်အသုံးပြုမှုများအတွက် လိုအပ်သော သန့်စင်သောမြင့်မားသော၊ တည်ငြိမ်သောအခြေခံကို ပံ့ပိုးပေးကာ ထိရောက်သောအလင်းစုပ်ယူမှုနှင့် စွမ်းအင်မြင့်မားစွာထွက်ရှိစေသည့်အတွက်ကြောင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။
Microelectromechanical Systems (MEMS)-MEMS စက်များသည် ၎င်းတို့၏ တည်ငြိမ်မှု၊ မိုက်ခရိုစက်ပြုလုပ်ရာတွင် လွယ်ကူမှုနှင့် သမားရိုးကျ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် လိုက်ဖက်မှုရှိသောကြောင့် Si Substrates များကို မကြာခဏ မှီခိုအားထားရသည်။ အာရုံခံကိရိယာများ၊ actuators နှင့် microfluidic စက်များတွင် အသုံးချမှုများသည် Si Substrate ၏ ကြာရှည်ခံမှုနှင့် တိကျမှုမှ အကျိုးရှိသည်။
Optoelectronic စက်များ-Light-emitting diodes (LEDs) နှင့် လေဆာ diodes များအတွက် Si Substrate သည် ပါးလွှာသော ဖလင် စုဆောင်းခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အမျိုးမျိုးနှင့် လိုက်ဖက်သော ပလပ်ဖောင်းတစ်ခုကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ၎င်း၏အပူနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည် optoelectronic applications များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။