SiC ၏အဓိကပစ္စည်းအဖြစ်အခြေခံထားသော Semicorex SiC ကြွေပြားအပူလွှဲပြောင်းပန်းကန်များသည် 2250°C တွင် အပူချိန်မြင့်မားသော sintering ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် SiC ပါဝင်မှု ≥99.3% ရှိသော အလွန်အားကောင်းသော၊ သုည- porosity သိပ်သည်းသော ကြွေထည်ကိုယ်ထည်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ≥410MPa နှင့် 140W/m.k ရှိသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းကို ပြသထားပြီး၊ အဆိုပါ ကြွေထည်များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာလုပ်ငန်းတွင် hydrofluoric acid (HF) နှင့် sulfuric acid (H2SO4) ကဲ့သို့သော အားပြင်းအက်ဆစ်များမှ သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော တစ်ခုတည်းသောပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ Semicorex မှ ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးမြင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် SiC Ceramic Heat Transfer Plates များကို ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ထောက်ပံ့ပေးခြင်းအတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ **
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အစေ့အဆန်များမှ ရရှိသော Semicorex Silicon Carbide သည် မော်တော်ယာဥ်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ၊ ဓာတုဗေဒ၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ အာကာသနည်းပညာ၊ မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် စွမ်းအင်ကဏ္ဍများတွင် ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုမှုကို ရှာဖွေတွေ့ရှိပြီး အဆိုပါစက်မှုလုပ်ငန်းခွင်များတွင် ကွဲပြားသောအသုံးချမှုများတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍများကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။ ၎င်းတို့၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကြောင့်၊ Silicon Carbide ကြွေထည်တည်ဆောက်ပုံအစိတ်အပိုင်းများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ဖိအားမြင့်မားမှု၊ သံချေးတက်မှုနှင့် ပွန်းပဲ့မှုတို့ကြောင့် ပြင်းထန်သောအခြေအနေများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်လာကာ၊ ယုံကြည်စိတ်ချရသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် သက်တမ်းရှည်ကြာမှုကို ပေးစွမ်းသည်။**
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။မြင့်မားသော Porosity ရှိသော Semicorex Ultra-Thin Graphite ကို semiconductor လုပ်ငန်းတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုထားပြီး အထူးသဖြင့် ကောင်းမွန်သော မျက်နှာပြင်ကို တွယ်ဆက်မှု၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူခံနိုင်ရည်၊ ပြောင်မြောက်သော စက်စွမ်းနိုင်မှုရှိသော တစ်ခုတည်းသော crystal growth process တွင် အဓိက အသုံးပြုပါသည်။ Semicorex တွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးမြင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော မြင့်မားသော Porosity ဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော Ultra-Thin Graphite ကို ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ထောက်ပံ့ပေးခြင်းအတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ **
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။Semicorex High-purity Carbon Powder သည် သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အမှုန့်နှင့် အခြားအစိုင်အခဲ-စတိတ် ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကို ပေါင်းစပ်ရာတွင် အဓိက ရှေ့ပြေးအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။ ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၊ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းနှင့် ကြွေထည်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အဆင့်မြင့်အပလီကေးရှင်းများအတွက် လိုအပ်သော သန့်ရှင်းမှုနှင့် အရည်အသွေးကို သေချာစေသည်။ Semicorex မှကျွန်ုပ်တို့သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းသောကာဗွန်အမှုန့်ကိုထုတ်လုပ်ရန်နှင့်ထောက်ပံ့ရန်ရည်ရွယ်ပါသည်။**
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates သည် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုနှင့် စီးပွားဖြစ် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် စတုတ္ထမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ဇာတ်လမ်း၏ အခန်းသစ်ကို ကိုယ်စားပြုသည်။ ဤအလွှာများသည် အဆင့်မြင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် ထူးခြားသော အကျိုးကျေးဇူးများကို ပြသထားသည်။ Gallium Oxide အလွှာများသည် သိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုကို ကိုယ်စားပြုရုံသာမက၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာသာမက ကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် Semicorex မှ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် 2" Gallium Oxide အလွှာများကို အရည်အသွေးနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် ပေါင်းစပ်ပေးသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစေရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။**
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။Semicorex 4" Gallium Oxide Substrates သည် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုနှင့် စီးပွားဖြစ် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် စတုတ္ထမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ ဇာတ်လမ်း၏ အခန်းသစ်ကို ကိုယ်စားပြုပါသည်။ ဤအလွှာများသည် အဆင့်မြင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် ထူးခြားသော အကျိုးကျေးဇူးများကို ပြသပါသည်။ Gallium Oxide အလွှာများသည် သိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုကို ကိုယ်စားပြုရုံသာမက၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာသာမက ကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် Semicorex မှ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် 4" Gallium Oxide အလွှာများကို အရည်အသွေးနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် ပေါင်းစပ်ပေးသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်စက်များ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။**
ပိုပြီးဖတ်ပါစုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။