Annealing Process တွင် မည်သည့်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သနည်း။

wafer ဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းတွင်၊ annealing treatment သည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ Annealing သည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ထိန်းချုပ်ထားသော အပူကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတို့ကို သတ်မှတ်ထားသောအပူချိန် (ပုံမှန်အားဖြင့် 600°C နှင့် 1200°C ကြား)တွင် အပူပေးထားသော ဆီလီကွန် wafers များပါ၀င်သည် ၎င်းသည် wafers များ၏ macroscopic ပုံသဏ္ဍာန်ကိုမပြောင်းလဲဘဲ ၎င်းတို့၏အတွင်းပိုင်းအသေးစားတည်ဆောက်ပုံများကို ပြုပြင်ပြီး အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်သည်။

Annealing ၏လုပ်ဆောင်ချက်များ

အပူနှင့် အအေးပရိုဖိုင်းများကို တိကျစွာ ထိန်းညှိခြင်းဖြင့်၊ ပွတ်တိုက်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် dopant အက်တမ်များကို အသက်ဝင်စေကာ၊ ရာဇမတ်ကွက်ပျက်စီးမှုကို ပြုပြင်ပေးခြင်း၊ အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုကို သက်သာစေပြီး wafers များ၏ လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။ ဤအရေးပါသောစွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်မှုများသည် စွမ်းအားမြင့်နှင့် မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် အဆုံးသုံးတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာကိရိယာများ၏ရေရှည်တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန်အတွက် နောက်ဆက်တွဲ wafer လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ခိုင်မာသောအခြေခံအုတ်မြစ်ကိုချပေးသည်။

1. Dopant Atoms ကို အသက်သွင်းခြင်း။

အိုင်းယွန်း စိုက်သွင်းစဉ်အတွင်း စွမ်းအင်မြင့်မားသော အနုစားအက်တမ်များ (ဥပမာ၊ ဘိုရွန်၊ ဖော့စဖရပ်၊ အာဆင်းနစ်) ကို ကျည်ဆန်များကဲ့သို့ ဆီလီကွန် ရာဇမတ်ကွက်အတွင်းသို့ တွန်းပို့ပါသည်။ အက်တမ်အများစုသည် အီလက်ထရွန်များ သို့မဟုတ် အပေါက်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ခြင်းမရှိသော လျှပ်စစ်မလှုပ်ရှားနိုင်သော အခြေအနေတွင် ကြားညှပ်နေရာများ သို့မဟုတ် ကျပန်းအနေအထားများတွင် ပိတ်မိနေသောကြောင့် ဆီလီကွန်ကူးယူမှုကို မွမ်းမံပြင်ဆင်ရန် ပျက်ကွက်သွားကြသည်။ Annealing သည် ဤကြားခံအက်တမ်များကို ရွှေ့ပြောင်းရန်၊ စိုက်သွင်းပျက်စီးမှုကြောင့် ဖန်တီးထားသော လပ်ကွက်များကို သိမ်းပိုက်ရန်နှင့် ပုံဆောင်ခဲရာဇမတ်များတွင် ပေါင်းစည်းရန် လုံလောက်သော အပူစွမ်းအင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်ကို အစားထိုးအသက်သွင်းခြင်းဟု ခေါ်သည်။ activated dopants များကသာ PN လမ်းဆုံများ သို့မဟုတ် လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းများအဖြစ် အခမဲ့ အခကြေးငွေဖြင့် သယ်ဆောင်ပေးသည်။ ရောနှောခြင်းမရှိဘဲ၊ စိုက်ထားသော အညစ်အကြေးများသည် လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်နိုင်မှုအပေါ် အားနည်းစွာဖြင့် ဆီလီကွန်အတွင်း ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ရှိနေပါသည်။

2. ကွက်လပ်ပျက်စီးမှုကို ပြုပြင်ခြင်း။

စွမ်းအင်မြင့်အိုင်းယွန်း စိုက်သွင်းခြင်းသည် ရာဇမတ်ကွက်များထဲမှ ဆီလီကွန်အက်တမ်များကို ဖယ်ရှားပေးကာ လစ်လပ်နေရာများ၊ ကြားညှပ်များ နှင့် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အထူများစွာသော နာနိုမီတာမှ ဆယ်ဂဏန်းအထိ အထူရှိသော amorphous အလွှာကိုပင် ဖန်တီးပေးသည်။ ထိုသို့သော ချို့ယွင်းနေသော ကွက်လပ်များသည် သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူမှု နည်းပါးပြီး ပြင်းထန်သော ယိုစိမ့်နေသော လျှပ်စီးကြောင်းကြောင့် ခံစားနေကြရသည်။ မွှေနေစဉ်အတွင်း၊ အပူစွမ်းအင်သည် တုန်ခါမှု၊ ပျံ့နှံ့မှုနှင့် ဆီလီကွန်အက်တမ်များကို ပြန်လည်စီစဉ်ပေးသည်။ Amorphous ဒေသများသည် ချောမွေ့မှုနှင့် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို ပြန်လည်ရရှိရန် မီးတောင်ပေါက်များအတွင်း ပြီးပြည့်စုံသော သလင်းကျောက်ဖွဲ့စည်းပုံများကို ပြန်လည်တည်ဆောက်ရန်အတွက် အစိုင်အခဲအဆင့် epitaxy မှတစ်ဆင့် ပြန်လည်ပုံသွင်းသည်။

3. အတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုကို သက်သာရာရစေသည်။

အပူဓာတ်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိအားများသည် အပူချိန်မြင့်သော ဓာတ်တိုးမှု၊ ပါးလွှာသော ဖလင်များ ထုတ်လွှတ်မှုနှင့် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် အပူချိန် စက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း ဆီလီကွန်ဝေဖာများတွင် စုပုံနေပါသည်။ မသက်သာသောစိတ်ဖိစီးမှုသည် wafer ဦးညွှတ်ခြင်း၊ လိုင်းချော်ခြင်း၊ ပုံသဏ္ဍာန်အာရုံစူးစိုက်မှု မအောင်မြင်ခြင်း သို့မဟုတ် စက်ပစ္စည်းအရိုးကျိုးခြင်းကိုပင် ဖြစ်စေသည်။ ကောင်းစွာ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အပူချိန်ပရိုဖိုင်များမှတစ်ဆင့်၊ ပွတ်ဆွဲခြင်းသည် ကျန်နေသော ဖိစီးမှုကို ညီတူညီမျှ လွှတ်ပေးရန်အတွက် ရာဇမတ်အက်တမ်များကို ဖြေလျှော့ပေးသည်။

4. လျှပ်စစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ခြင်း အချို့သော ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်များသည် ကြိုးဝိုင်းကွာဟမှုအတွင်း ပြန်လည်ပေါင်းစပ်စင်တာများအဖြစ် ပေါင်းစပ်ထားသော စင်တာများအဖြစ် လေးလံသောသတ္တုများ (သံ၊ ကြေးနီ) ကဲ့သို့သော နက်နဲသောအဆင့် အညစ်အကြေးများကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ အပူချိန်မြင့်သော လိမ်းဆေးသည် ဤအညစ်အကြေးများကို အတွင်းပိုင်းသို့ ပျံ့နှံ့စေပြီး မျက်နှာပြင်အလွှာများမှ ဖမ်းယူရရှိကာ တက်ကြွသောဒေသများကို သန့်စင်စေသည်။ ဤအဆင့်သည် ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် ထောက်လှမ်းကိရိယာများကဲ့သို့ ယိုစိမ့်မှုရှိသော ကိရိယာများအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

ဖုန်း # +86-13567891907 သို့ ဆက်သွယ်နိုင်ပါသည်။

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com