- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
သတင်း
AlN Crystal Growth ၏နည်းလမ်းများ
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် AlN သည် အရေးကြီးသော အပြာရောင်အလင်းတန်းနှင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သုံး ပစ္စည်းတစ်ခုသာမကဘဲ အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအတွက် အရေးကြီးသော ထုပ်ပိုးမှု၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် လျှပ်ကာပစ္စည်းများ၊ အထူးသဖြင့် အပူချိန်မြင့်၍ ပါဝါမြင့်သည့်စက်ပစ္စည်း......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
AlN Crystal Growth အတွက် TaC Coating Crucible
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၏တတိယမျိုးဆက် AlN သည် တိုက်ရိုက် bandgap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ ၎င်း၏ bandwidth 6.2 eV၊ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ပြိုကွဲမှုနယ်ပယ်ခွန်အားအပြင် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတုဗေဒနှင့် အပူဓာတ်တည်ငြိမ်မှုတို့နှင့်အတူ အရေးကြီးသော အပြာရောင်အလင်းတန်းများ၊ ခရမ်းလွန်ရောင......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
LPE စက်ပစ္စည်း
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနယ်ပယ်တွင်၊ အရည်အသွေးမြင့်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စက်ပစ္စည်းများရရှိရန်အတွက် တိကျသောသလင်းကျောက်ကြီးထွားမှုကို ထိန်းချုပ်ခြင်းသည် အရေးကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ဤဒိုမိန်းတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ခဲ့သည့် နည်းလမ်းတစ်ခုမှာ Liquid-Phase Epitaxy (LPE) ဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းတွင် တန်တလမ်ကာဘိုင်အလွှာများ
စွမ်းအားမြင့် အပြာရောင်နှင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် LED များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာမှုကြောင့် ရောင်စုံ LED TV ဖန်သားပြင်များအပြင် အဖြူရောင် LED မော်တော်ယာဥ်နှင့် အိမ်တွင်းအလင်းရောင်များကိုလည်း ဖန်တီးနိုင်စေခဲ့သည်။ ဤ LEDs များသည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ CVD SiC-coated graphite susceptor မှပံ့ပိုးပေးသေ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
