n-type SIC အလွှာများ

semicorex n-typeSIC အလွှာများမြင့်မားသောအပူချိန်, မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း, မြင့်မားသောစွမ်းအားနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောပစ္စည်းကိရိယာများကိုဖြည့်ဆည်းရန်ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့်တတိယမျိုးဆက်ကျယ်ပြန့်သော bandgap semiconductuction semicuctuction ပစ္စည်းများအပေါ် အခြေခံ. အဆင့်မြင့် wafer ထုတ်ကုန်များတီထွင်ထုတ်လုပ်နိုင်ကြသည်။ Advanced Crystal ကြီးထွားမှုနည်းပညာနှင့်တိကျသောထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာဖြင့်ကျွန်ုပ်တို့၏ N-type SIC successcrescrescres သည်အလွန်ကောင်းမွန်သောလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ, diodes များ,

ဆီလီကွန်အခြေစိုက် Semiconnductors, silicon carbide နှင့်ဂယ်လီယမ်မှကိုယ်စားပြုသောကျယ်ပြန့်သော bandgap semiconductors များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါကစက်လီယွန်ကာလက်ဆီးနှင့်ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရမ်တို့ကစက်ပစ္စည်းအဆုံးမှအဆုံးမှထူးချွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းတို့တွင်မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း, မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်, မြင့်မားသောအာဏာ, မြင့်မားသောဗို့အားခံနိုင်ရည်နှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားခြင်း၏ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ၎င်းတို့သည်အနာဂတ်ရှိ Semiconductor Industry ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်အရေးကြီးသောလမ်းကြောင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အနက် N-type SIC အလွှာများသည်ထူးခြားသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုပြသသည်။ Bandgap အကျယ်အမြင့်အကျယ်, မြင့်သော Deplectric Field Sign Strict, Elteron Saturation date နှင့်အပူစွမ်းအင်သုံးပစ္စည်းကဲ့သို့သော applications များတွင်ပါဝင်မှုအမြင့်ဆုံးလုပ်ဆောင်မှုမြင့်မားမှုဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ဤဝိသေသလက္ခဏာများသည်အထူးသဖြင့်တည်ငြိမ်မှုနှင့်ကြာရှည်ခံမှုတို့ကဲ့သို့သောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော application fields တွင် silicon carbide သိသာထင်ရှားသည့်အကျိုးကျေးဇူးများကိုအားကောင်းကျိုးများကိုပေးသည်။ N-type SIC အလွှာများသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေး Sememiconductor ထုတ်ကုန်များ, ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း semiconductor devices များနှင့်ထွန်းသစ်စဆိုင်ရာလျှောက်လွှာလယ်ကွင်းများတွင်ကျယ်ပြန့်သောစျေးကွက် application အလားအလာရှိသည်။ SIC အလွှာများကိုလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေး Sememiconductor Device များတွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုနိုင်သည်။ အဓိကလျှောက်လွှာလုပ်ငန်းများတွင် EV, Photovoltaic နှင့်စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များ, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးခြင်း,

Power Semiconductor ကိရိယာများသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ကိရိယာများတွင် switches သို့မဟုတ် rerationifiers များအဖြစ်အသုံးပြုသော semiconductor devices များဖြစ်သည်။ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အဓိကအားဖြင့်ပါဝါ diodes များ, power triodes, ordristors, Mosfets, igbts များ,

Cruise အကွာအဝေး, အားသွင်းမြန်နှုန်းနှင့်မောင်းနှင်မှုအတွေ့အကြုံသည် EV အတွက်အရေးကြီးသောအချက်များဖြစ်သည်။ Silicon-based IGBTS ကဲ့သို့သော Silicon -based Power Semiconductor ထုတ်ကုန်များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက SicMonducts Sic အလွှာများပါဝါ semiconductor devices များသည်ခုခံနိုင်စွမ်းနည်းပါးခြင်း, အပူချိန်မြင့်တက်ခြင်း, အပူချိန်မြင့်တက်ခြင်း, ဤကောင်းကျိုးများသည်စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း link တွင်စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်။ passive capacitors များကဲ့သို့သော passive components ပမာဏကိုလျှော့ချပါ။ စွမ်းအင် module များ၏အလေးချိန်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချပါ။ အပူဖြန့်ဖြမှုလိုအပ်ချက်များကိုလျှော့ချခြင်း, အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များကိုရိုးရှင်းစေပြီးမော်တာထိန်းချုပ်မှု၏တက်ကြွသောတုံ့ပြန်မှုကိုတိုးတက်စေသည်။ ဤနည်းအားဖြင့် EV ၏ cruising အကွာအဝေး, အားသွင်းမြန်နှုန်းနှင့်ကားမောင်းခြင်းအတွေ့အကြုံတိုးတက်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း။ Silicon Carbide Power Semiconductor ထုတ်ကုန်များသည်မော်တာမောင်းနှင်မှုများ, on-bocs chargers များ, လေအေးပေးစက်များ, voltage ptc အပူပေးစက်များအပါအ 0 င် EV အစိတ်အပိုင်းများအမျိုးမျိုးနှင့်သက်ဆိုင်သည်။ လက်ရှိတွင် Silicon Carbide Power Devices များကိုအဓိကအားဖြင့် Motor Drives, Obcs နှင့် DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DC / DCH တို့တွင်အသုံးပြုသည်။ OBC ၏စည်းကမ်းချက်များအရပါဝါ module သည်ပြင်ပ AC Power ကို DC Power သို့ DC ပါဝါသို့ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာလက်ပါ 0 င်မှု Module သည်ဆုံးရှုံးမှုအားသွင်းခြင်းကို 40% လျှော့ချနိုင်သည်, ပိုမိုမြန်ဆန်သောအားသွင်းမြန်နှုန်းကိုရရှိစေပြီးသုံးစွဲသူအတွေ့အကြုံကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။ DC / DC Collers ၏စည်းကမ်းချက်များအရ၎င်း၏ function သည် High-Voltase ဘက်ထရီ၏ DC Power of DC ပါဝါကို On-board devices များဖြင့်အသုံးပြုရန် voltage dC ပါဝါသို့ပြောင်းလဲရန်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာလက်ပါရှိ Module သည်အပူနှင့်စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို 80% မှ 90% အထိလျှော့ချခြင်းဖြင့်ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေသည်။