Semicorex Graphite Thermal Field သည် crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များကို နက်နဲစွာနားလည်မှုဖြင့် ခေတ်မီပစ္စည်းသိပ္ပံကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး၊ ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်၊ ထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုတို့ကို ရရှိရန်အတွက် ဆန်းသစ်တီထွင်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းကို အားကောင်းစေမည့် ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုကို ပေးဆောင်ပါသည်။**
Semicorex သည် ၎င်း၏ခေတ်မီသော သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်သော ဂရပ်ဖိုက်အပူဓာတ်အကွက်ဖြင့် ကြည်လင်ကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ အပလီကေးရှင်းများ၏ စိန်ခေါ်မှုများကို ဖြေရှင်းပေးသည်။ စေ့စပ်သေချာစွာရွေးချယ်ထားသော၊ မြင့်မားသော-isostatic ဂရပ်ဖိုက်မှ ဖန်တီးထားသည့် Graphite အပူပိုင်းကွင်းသည် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုကို သိသာထင်ရှားစွာ မြှင့်တင်ပေးသည်-
တူညီမှုကို ပြန်လည်သတ်မှတ်သည်-Semicorex Graphite Thermal Field သည် ၎င်းတို့၏ အပူဖွဲ့စည်းပုံတွင် ထူးခြားသောတူညီမှုကို ကိုယ်စားပြုပြီး ကြီးထွားမှုဇုန်တစ်ခုလုံးတွင် တစ်သားတည်းဖြစ်နေသော အပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုကို သေချာစေသည်။ ဤတူညီမှုသည် ကြီးထွားလာသော crystal အတွင်းရှိ အပူဖိစီးမှုများကို လျော့နည်းစေပြီး ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကို လျော့ကျစေကာ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးနှင့် အသုံးပြုနိုင်သော wafers များ၏ အထွက်နှုန်းမြင့်မားမှုကို ဖြစ်စေသည်။
ပါဝါစွမ်းဆောင်ရည်-Graphite Thermal Field ၏ထူးခြားသောလျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် ကြီးထွားမီးဖိုအတွင်း ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုနှင့် တိကျသောအပူချိန်ကိုထိန်းချုပ်နိုင်စေသည်။ တစ်နည်းဆိုရသော်၊ ၎င်းသည် အပူနှင့်အအေးစက်ဝန်းများ ပိုမိုမြန်ဆန်ခြင်း၊ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု လျှော့ချခြင်းနှင့် အဆုံးစွန်သော၊ ထုတ်လုပ်သည့် crystal တစ်ခုလျှင် ကုန်ကျစရိတ် သက်သာသည်ဟု ဆိုလိုသည်။
မယိမ်းယိုင်သော ခုခံမှု- Graphite Thermal Field သည် ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုထဲရှိ ဆီလီကွန်ကြီးထွားမှုအတွက် မွေးရာပါပြင်းထန်သောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် တီထွင်ဖန်တီးထားသည်။ ၎င်း၏မွေးရာပါ သံချေးတက်ခြင်းခံနိုင်ရည်သည် ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေပြီး ပျက်စီးသွားသောအစိတ်အပိုင်းများမှ ကြီးထွားလာသော crystal ၏ညစ်ညမ်းမှုကိုကာကွယ်ပေးသည်။ ထို့အပြင်၊ ဂရပ်ဖိုက်အပူရှိန်အကွက်၏ ဓာတ်တိုးခြင်းမဟုတ်သော သဘောသဘာဝသည် မလိုလားအပ်သော အောက်ဆိုဒ်များဖွဲ့စည်းခြင်းကို ဖယ်ရှားပေးကာ ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်၏ သန့်ရှင်းမှုကို ထိန်းသိမ်းကာ တည်ငြိမ်သောပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို အာမခံပါသည်။
၎င်း၏ Core တွင် သန့်ရှင်းမှု-Semicorex သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၏ စွမ်းဆောင်ရည် အမြင့်ဆုံးအဆင့်ကို ရရှိခြင်းမှာ ထူးခြားသည့် ပစ္စည်း သန့်စင်မှုဖြင့် စတင်သည်ဟု နားလည်ပါသည်။ Graphite အပူပိုင်းအကွက်ကို အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော isostatic ဂရပ်ဖိုက်မှ ဖန်တီးထားပြီး၊ ကျောက်သလင်းကြီးထွားမှုကို အပျက်သဘောဆောင်သည့် အညစ်အကြေးများကို လျှော့ချရန် စေ့စပ်သေချာစွာ လုပ်ဆောင်ထားသည်။ သန့်ရှင်းမှုအတွက် ဤကတိကဝတ်သည် လိုချင်သောလျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများဖြင့် အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲများ ထုတ်လုပ်မှုကို သေချာစေသည်။
နောက်ဆုံးအထိ တည်ဆောက်ထားသည်-Graphite Thermal Field ၏ ခိုင်ခံ့သောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားသည် လိုအပ်ချက်ရှိသော အပူသံသရာများနှင့် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များတွင် ပေါက်ဖွားလာသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် အာမခံပါသည်။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် သက်တမ်းတိုးသော အစိတ်အပိုင်း သက်တမ်း၊ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ချက်များ လျှော့ချပေးပြီး နောက်ဆုံးတွင် ပိုင်ဆိုင်မှု စုစုပေါင်း ကုန်ကျစရိတ်ကို သက်သာစေပါသည်။
Monocrystal Pulling Furnace ၏ အပူစက်ကွင်းစနစ်
Semicorex ၏ High-Purity Isostatic Graphite Thermal Field သည် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon ထုတ်လုပ်သူများအတွက် ဆွဲဆောင်မှုရှိသော တန်ဖိုးအဆိုပြုချက်တစ်ခု ပေးစွမ်းသည်-
စွမ်းအင်ထိရောက်မှု-အကောင်းမွန်ဆုံးသော အပူဒီဇိုင်းနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှု မြင့်မားခြင်းသည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု လျှော့ချခြင်းနှင့် လည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ် သက်သာခြင်းတို့ကို အထောက်အကူပြုသည်။
တန်ဖိုးမြင့်ထုတ်ကုန်များထူးခြားသော ပစ္စည်း သန့်ရှင်းမှုနှင့် တူညီသော အပူပေးပရိုဖိုင်များသည် အရည်အသွေးမြင့် သလင်းကျောက်များ ကြီးထွားလာစေကာ အထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးပြီး နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်၏ တန်ဖိုးကို တိုးမြင့်စေပါသည်။
ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနည်းခိုင်ခံ့သောပစ္စည်းများနှင့် စေ့စပ်သေချာစွာ အင်ဂျင်နီယာချုပ်သည် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးပြီး အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။