ဖိုက် crucblees

Sememorex ဖိုက်ဖ issite ပုဏ္ဏားများသည် Semiconductor ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အထူးသဖြင့်ကြည်လင်တိုးတက်မှုနှုန်းတွင်အထူးသဖြင့်အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။ ဤစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောကွန်တိန်နာများသည် CZOCHASKI (CZ) Technique (FZ) Technique (FZ) နည်းစနစ်များကဲ့သို့သောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဆီလီကွန်သို့မဟုတ်စွယ်စုံကျမ်း semiconductor crystals များထုတ်လုပ်ရန်လိုအပ်သောအစွန်းရောက်အခြေအနေများကိုခံနိုင်ရည်ရှိရန်အင်ဂျင်နီယာများကိုအင်ဂျင်နီယာများကိုအင်ဂျင်နီယာကိုအင်ဂျင်နီယာကိုအင်ဂျင်နီယာများကိုအင်ဂျင်နီယာများဖြစ်သည်။

ဂရိတ်ပုဂ်ဂိုမို့၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာအလွန်မြင့်မားသောအပူချိန် 2000 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်နှင့်ဂယ်လီယမ်ကဲ့သို့သောနိုက်စီယမ်နိုက်ထည့်ခြင်းကဲ့သို့သောတတိယမျိုးဆက် semiconducture ပစ္စည်းများမကြာခဏဖန်တီးလေ့ရှိသည်။ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းရေးဖိုက်ဖိုက်မှပြုလုပ်ထားသောပုဏ္ဏားများသည်အပူချိန်မြင့်မားမှုကိုပြသနိုင်သည့်အပူချိန်မြင့်မားမှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာခုခံကာကွယ်ခြင်းအားဖြင့်ပြိုကွဲခြင်းသို့မဟုတ်သွင်ပြင်လက္ခဏာများမရှိဘဲအလွန်အမင်းအစွန်းရောက်အဆင့်များ၌ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုအခြေအနေများကိုထိန်းသိမ်းရန်အလွန်ကောင်းမွန်သောခုခံနိုင်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဖိုက်ခရက်ဒစ်များဖြင့်ကောင်းသောအပူ croucs သည်အပူချိန်ကိုတစ်ပုံစံတည်းဖြင့်သာပြုလုပ်နိုင်ရုံသာမကတည်ငြိမ်သောအပူချိန်ကိုတည်ဆောက်ရန်ဖြစ်သည်။ ယူနီဖောင်းအပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုအောက်တွင်ပိုမိုနည်းပါးသောအခြေအနေများအောက်တွင်ပိုမိုနည်းပါးသောအခြေအနေများအောက်တွင်ရှိသောကြောင့်ကြည်လင်ပြတ်သားစွာချို့ယွင်းချက်များနှင့်အရည်အသွေးနည်းသောချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်နှင့်အရည်အသွေးဆိုင်ရာချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်နှင့်အရည်အသွေးဆိုင်ရာချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်နှင့်အရည်အသွေးချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်နှင့်အရည်အသွေးချို့ယွင်းချက်များလျှော့ချခြင်းအားဖြင့်အရည်ပျော်သောနေရာများတွင်အလွန်ပြဌာန်းထားသည်။

Silicon Carbide သို့မဟုတ် Gallium Nitride Plital Cystal Constal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များ (ဥပမာအငတ်ဘေးအဆင့်မြင့် CVD CVD CVD), Crucible ၏ဓာတုပြတ်တောက်မှုသည်အပူချိန်မြင့်မားသော semiconductor ပစ္စည်းများနှင့်ဓာတုဗေဒအရဓာတ်ပြုခြင်းမထားကြောင်းသေချာစေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် Graphite Crucble ၏ကောင်းမွန်သောအပူချိန်စီးကူးခြင်းသည်ယူနီဖောင်းအပူချိန် gradient ကိုဖွဲ့စည်းရန်, ကျောက်စိမ်းကြီးထွားမှုနှင့်အညစ်အကြေးနှင့်အညစ်အကြေးနှင့်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချရန်အထောက်အကူပြုသည်။

ဖိုက်ဖ untains crucblees ၏ဓာတုဗေဒအနေဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများသန့်စင်ခြင်းတွင်အဓိကသော့ချက်ဖြစ်သည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောဖိုက်ဖရစ်ရိရုပ်ပစ္စည်းသည်ပြင်ပညစ်ညမ်းမှုကိုခွဲထုတ်။ အညစ်အကြေးများကိုအရည်ကျိုဒွန်နရုပ်ပစ္စည်းထဲသို့ 0 င်ရောက်ခြင်းကိုတားဆီးနိုင်သည်။ ဖိုက်ဖိုက် crucible ၏မျက်နှာပြင်ကို (ဥပမာ silicon carbide ကဲ့သို့) ကို (ဥပမာ silicon carbide ကဲ့သို့) သည်၎င်း၏ဓာတ်တိုးမှုခံနိုင်ရည်နှင့်ချေးခြင်းနှင့်ရောနှောမှုခံနိုင်ရည်မြင့်မားစေရန်,