wafer ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ တစ်ခုသည်အလွှာ၏ပြင်ဆင်မှုဖြစ်ပြီးနောက်တစ်ခုသည် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်မျိုးတည်းဖြင့် ဂရုတစိုက်ပြုလုပ်ထားသည့် wafer သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အခြေခံအဖြစ် wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် တိုက်ရိ......
ပိုပြီးဖတ်ပါChemical Vapor Deposition (CVD) သည် အရည်အသွေးမြင့်၊ လိုက်လျောညီထွေရှိသော ပါးလွှာသော အလွှာများတွင် အမျိုးမျိုးသော အလွှာများတွင် အရည်အသွေးမြင့် ရုပ်ရှင်များကို ဖန်တီးရန်အတွက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် စွယ်စုံရ ပါးလွှာသောဖလင်များ စုဆောင်းခြင်းနည်းပညာဖြစ်သည်။ ဤလုပ်င......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ပစ္စည်းသည် အချို့သော semiconductor လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုရှိသော အစိုင်အခဲပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ နောက်ဆက်တွဲပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွက် အောက်စထရိအား ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ၎င်းသည် ဆီလီကွန်အခြေခံ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များအတွက် အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ကမ္ဘာပေါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဤဆောင်းပါးသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) လှေများ၏ အသုံးပြုမှုနှင့် အနာဂတ်လမ်းကြောင်းကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) လှေများဖြစ်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းအတွင်းရှိ quartz လှေများနှင့် စပ်လျဉ်း၍ အထူးသဖြင့် ဆိုလာဆဲလ်ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးချမှုများကို အထူးအာရုံစိုက်ထားသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများအတွက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အလွန်နှစ်သက်သဘောကျသည်။ သို့သော်လည်း SiC ၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ကြွပ်ဆတ်မှုသည် ၎င်း၏လုပ်ဆောင်မှုအတွက် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို ဖြစ်စေသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါGallium Nitride (GaN) epitaxial wafer ကြီးထွားမှုသည် ရှုပ်ထွေးသောလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး မကြာခဏ အဆင့်နှစ်ဆင့်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။ ဤနည်းလမ်းတွင် အပူချိန်မြင့်သော မုန့်ဖုတ်ခြင်း၊ ကြားခံအလွှာကြီးထွားမှု၊ ပြန်လည်ပေါင်းစည်းခြင်း နှင့် ပေါင်းထည့်ခြင်း အပါအဝင် အရေးကြီးသော အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအဆင့်မျာ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ