single-crystal ဆွဲရန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော quartz crartuse

လက်ရှိတွင် Monocrystalline ဆီလီကွန်ကို Polycrystalline ဆီလီကွန်ကိုကုန်ကြမ်းနှင့် CZOCHASKI နည်းလမ်းအဖြစ် အသုံးပြု. ထုတ်လုပ်သည်။ Monocrystalline ဆီလီကွန်ထုတ်လုပ်မှုအတွက်,quartzSilicon နှင့် Crystal ကြီးထွားမှုအရည်ပျော်ရန်အတွက်အရေးပါသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး Monocrystall Silicon ၏ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့်ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးအပေါ်တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။

အပေြာင်းquartz crucibleCZOCHASKI single-crystal မီးဖို၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ Single-crystal ပြင်ဆင်မှုအဆင့်သည်အချင်း, ကြည်လင်သော ဦး တည်ချက်, doping crystal orientation, riversivity contracity and carnection, incygen carnection, လူနည်းစုသယ်ယူပို့ဆောင်ရေး, မိုက်ခရိုချို့ယွင်းချက်များ, အောက်စီဂျင်အာရုံစူးစိုက်မှု, သတ္တုအညစ်အကြေးများနှင့်လေယာဉ်တင်သင်္ဘောဆိုင်ရာအာရုံစူးစိုက်မှုစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများအားလုံးကိုအချို့သောအကွာအဝေးအတွင်းထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ CZACHASKI Single-Crystal ဖြစ်စဉ်တွင် Quartz Criartz Criarts သည်ဆီလီကွန် (1420 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်) အထက်အပူချိန်မြင့်မားစွာဆီးတားရန်လိုအပ်သည်။ Quartz crucble များသည်အများအားဖြင့်တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကိုပွင့်လင်းမြင်သာမှုရှိပြီးအလွှာမျိုးစုံဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ အပြင်ဘက်အလွှာသည်ပူဖောင်းပေါင်းစပ်ထားသည့်အလွှာဟုခေါ်သောပူဖောင်းသိပ်သည်းဆရှိသောဒေသတစ်ခုဖြစ်သည်။ အတွင်းအလွှာသည် Bubble-deptleted layer ဟုခေါ်သော 3-5 မီလီမီတာပွင့်လင်းမြင်သာသောအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပူဖောင်းကုန်ပြီးသောအလွှာရှိနေခြင်းသည်ထိုဒေသရှိအဖြေရှာရာနှင့်အဆက်အသွယ်ရှိသည့်ဒေသတွင်းရှိ Criucible ၏သိပ်သည်းဆကိုလျော့နည်းစေသည်။

အရည်အသွေးကောင်းသည့်ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင်ကျောက်တုံးကြီးအနိမ့်အနေဖြင့်သွေးဆောင်ဆီလီကွန်နှင့်တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်မှုကြောင့်အတွင်းပိုင်းအလွှာအလွှာသည်သလိုဏ်ဒဲလ်ဂီတနှင့်တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်မှုတွင်စဉ်ဆက်မပြတ်ဆီလီကွန်သို့စဉ်ဆက်မပြတ်ပြုလုပ်နိုင်သည်။  ပွင့်လင်းမြင်သာသောသက်ရှိများ၌ micro bubbles စဉ်ဆက်မပြတ်ကြီးထွားလာပြီးပေါက်ကွဲခြင်း, ဤအညစ်အကြေးများ, micro အမှုန်များနှင့် micro bubbles ပုံစံများတွင်ဆီလီကွန်အရည်စီးဆင်းမှုမှအရည်ပျော်သောဆီလီကွန်တစ်လျှောက်လုံးတွင်ဆီလီကွန်တစ်လျှောက်လုံးတွင်သယ်ဆောင်သွားသောဆီလီကွန်အရည်စီးဆင်းမှုနှင့်တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်၏အရည်အသွေးကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။

ကုန်ကျစရိတ်ရှုထောင့်ကနေ,quartz crucbleMonocrystall Silicon Industical Industry ကွင်းဆက်တွင်ပြင်းထန်သောဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်စဉ်ဆက်မပြတ် CZOCHASKI Method ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် quartz crartz crucks ၏သက်တမ်းကိုပိုမိုမြင့်မားသောတောင်းဆိုမှုများကိုအသုံးပြုသည်။ မြင့်မြတ်သောသန့်ရှင်းမှုနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံမှုသည်တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်သောဆွဲခြင်းနှင့်တစ်ခုတည်းသောကြည်လင်အရည်အသွေးကိုအာမခံချက်ပေးသည်။ Monocrystall Silicon Silicon Wafers ၏သန့်ရှင်းမှုဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ. CRARTZ CRUANCES သည်သံသရာကိုဆွဲထုတ်ပြီးနောက်သံသရာများကိုဆွဲထုတ်ပြီးပုံမှန်အစားထိုးရန်လိုအပ်ပြီးပုံမှန်အစားထိုးရန်လိုအပ်သည်။

အပြင်,quartz crucibleကြည်လင်သောဆွဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းအရည်အသွေးပြ problems နာများရှိသည့်ပြ problems နာများရှိသည့်ကျောက်တုံးတစ်ပုံလုံးကို silicon လှံတံတစ်ခုလုံးကိုဖျက်သိမ်းရန်ဖြစ်စေလိမ့်မည်။ Quartz crucblees များကိုအဓိကအားဖြင့်အဓိကကုန်ကြမ်းများအဖြစ်လျှပ်စစ် arc နည်းလမ်းဖြင့်လျှပ်စစ် arc နည်းလမ်းဖြင့်ထုတ်လုပ်သည်။ Quartz သဲ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုသည် quartz creartus ၏အရည်အသွေးကိုသက်ရောက်သည့်အရေးကြီးသောအချက်တစ်ချက်ဖြစ်သည်။ Quartz Cribrouse တွင်အလွှာနှစ်လုံးဖွဲ့စည်းပုံရှိသည်။ အပြင်ဘက်တွင်အလွှာသည်အလွန်အမင်းသိပ်သည်းဆမြင့်မားသောဒေသဖြစ်သည်။ အတွင်းအလွှာသည် Bubble-deptleted layer ဟုခေါ်သော 3-5 မီလီမီတာပွင့်လင်းမြင်သာသောအလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။

ပူဖောင်းကုန်ပြီအလွှာဖြစ်သောအတွင်းပိုင်းအလွှာရှိနေခြင်းသည် bubble-deletleted layer သည် bubble density ကိုနည်းပါးသောအဆက်အသွယ်အဆက်အသွယ်များအဖြေရှာသည့်နေရာတွင်လျော့နည်းစေသည်။ လင်းကျောက်သဲ၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုအနိမ့်အနေဖြင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်အနက်ရောင်အစက်အပြောက်များနှင့်ပူဖောင်းများထုတ်လုပ်ရန်ဖြစ်နိုင်သည်။ အတွင်းပိုင်းအလွှာသဲအဖြစ်အသုံးပြုသောအခါအပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့်ထိတွေ့မှုမြင့်မားစွာထိတွေ့ခြင်းသည်ကျောက်တုံးများအတွင်းရှိပူဖောင်းများကိုထုတ်လွှတ်ခြင်းများကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ထို့ကြောင့်အတွင်းပိုင်းအလွှာသဲသည်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောကျောက်တုံးသဲများပိုမိုမြင့်မားသည်။ ထို့အပြင် crucble များအတွက်အသုံးပြုထားသောကျောက်တုံးများသည်မတူညီသောအညစ်အကြေးအဆင့်များအတွက်အထူးလိုအပ်ချက်များကိုရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်အလွန်အကျွံအယ်ကာလီသတ္တုအညစ်အကြေးများက crystallization ကို cricible ကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်,

semicorex ကမ်းလှမ်းမှုsilicon single-crystal ဆွဲခြင်းအတွက်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော fused quartz creartus။ သင့်တွင်မေးမြန်းစုံစမ်းလိုပါကသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါကကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ရန်မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

ဆက်သွယ်ရန် # + 86-13567891907 ဆက်သွယ်ရန်

အီးမေးလ်: Sales@semicex.com