Semiconductor Furnace ဓာတ်ပေါင်းဖို

Semiconductor furnace reactors များသည် အပူဓာတ်တိုးခြင်း၊ ပျံ့လွင့်ခြင်း၊ ဖြန်းတီးခြင်း နှင့် ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်းကဲ့သို့သော အရေးကြီးသော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အဓိကအားဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဓိက အသုံးပြုသည့် ကိရိယာများဖြစ်သည်။ ပုံမှန်မီးဖိုစနစ် (အလျားလိုက်/ဒေါင်လိုက်ပျံ့သည့်မီးဖို) တွင် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါ core အစိတ်အပိုင်းများပါဝင်သည်- အပူပေးစနစ်၊ အပူချိန်ထိန်းစနစ်၊ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးစနစ်၊ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုထိန်းချုပ်စနစ် (MFC) နှင့် စွန့်ပစ်ဓာတ်ငွေ့အိတ်ဇောစနစ်။

အလုံးစုံ ဗိသုကာရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် အပူချိန်မြင့်မီးဖိုများကို အလျားလိုက်နှင့် ဒေါင်လိုက် အမျိုးအစားများအဖြစ် ပိုင်းခြားထားပြီး စနစ်အတွင်းရှိ quartz tube ၏ အနေအထားနှင့် အပူပေးအစိတ်အပိုင်းများကို သတ်မှတ်ပေးပါသည်။ အပူချိန်မြင့်သောမီးဖိုတွင် ယေဘုယျအားဖြင့် အခြေခံအစိတ်အပိုင်းငါးခုပါဝင်သည်- ထိန်းချုပ်စနစ်၊ လုပ်ငန်းစဉ်မီးဖိုပြွန်၊ ဓာတ်ငွေ့ပေးပို့စနစ်၊ ဓာတ်ငွေ့အိတ်ဇောစနစ်၊ နှင့် တင်ဆောင်သည့်စနစ်တို့ပါဝင်သည်။ ထိန်းချုပ်မှုစနစ်တွင် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးကို တိကျသောထိန်းချုပ်မှုအတွက် တာဝန်ရှိသော မိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာများစွာနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသော ကွန်ပျူတာတစ်ခုပါဝင်သည်။

ပစ္စည်းရွေးချယ်ခြင်းနှင့် ပတ်သက်၍ မီးဖိုချောင်သုံး ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် ပါဝင်ပါသည်။quartz(မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် သံချေးတက်ခြင်း)၊အလူမီနာ (Al₂O₃), ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)သို့မဟုတ် သတ္တုစပ်များ (ဥပမာ Inconel)။ အပူပေးစနစ်၏ အပူပေးအစိတ်အပိုင်းများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် ခံနိုင်ရည်ရှိဝိုင်ယာကြိုးများ (ဥပမာ Kanthal၊ MoSi₂)၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ချောင်းများ (SiC) သို့မဟုတ် အနီအောက်ရောင်ခြည်အပူပေးစက်များကို အသုံးပြုသည်။ အပူပေးဇုန်ကို တိကျသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုရရှိရန် အပူချိန်တစ်ခုတည်းဇုန် သို့မဟုတ် အပူချိန်မျိုးစုံဇုန်များအဖြစ် ဒီဇိုင်းရေးဆွဲနိုင်သည်။ အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်သည် အချိန်နှင့်တပြေးညီ အပူချိန်ကို စောင့်ကြည့်ရန်၊ PID ထိန်းချုပ်ကိရိယာမှတစ်ဆင့် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု ± 1 ℃ တိကျမှုရရှိစေရန် သို့မဟုတ် PLC ပရိုဂရမ်လုပ်ဆောင်နိုင်သော အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို အသုံးပြုရန် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်သည် သာမိုအချိတ်များ (K-type၊ S-type) ကို အသုံးပြုသည်။

လုပ်ငန်းစဉ် ကန့်သတ်ချက် အပိုင်းအခြားနှင့် သက်ဆိုင်သော ပစ္စည်းများ

Temperature Parameter Range- အပူချိန် အပိုင်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်ပေါ်မူတည်၍ ကွဲပြားသည်။ ပုံမှန်အပူပေးစက်၏ လုပ်ငန်းစဉ်အပူချိန်သည် 300-1100 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်ပြီး အပူချိန်နိမ့်သောမီးဖိုသည် 250-500 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ဖြစ်သည်။ ပုံမှန် လုပ်ငန်းစဉ် အပူချိန် 400-1100 ℃ ၊ ပုံမှန်အားဖြင့် 800-1100 ℃ ၊ 500 မှ 800 ℃ တွင် LPCVD လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် 400 မှ 500 ℃ တွင် annealing process များ ပါဝင်သည်။

epitaxial ကြီးထွားမှုတွင်၊ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1200°C တွင် epitaxial furnace တွင် ဆီလီကွန် wafer များကို အပူပေးသည်။ အငွေ့ပြန်ထားသော ဆီလီကွန် tetrachloride (SiCl₄) နှင့် trichlorosilane (SiHCl₃) ကို wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ epitaxial ကြီးထွားမှုကို လှုံ့ဆော်ရန်အတွက် မီးဖိုထဲသို့ ထည့်ထားသည်။

အသုံးများဆုံး အပူဓာတ်တိုးခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပါးလွှာပြီး တူညီသော ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် အလွှာတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာစေရန် မြင့်မားသော အပူချိန် 800-1200°C တွင် ပြုလုပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ် ပါဝင်ပါသည်။ ဓာတ်တိုးတုံ့ပြန်မှုအတွက် အသုံးပြုသည့် ဓာတ်ငွေ့များပေါ်မူတည်၍ အပူဓာတ်တိုးခြင်းသည် အစို သို့မဟုတ် ခြောက်သွေ့နိုင်သည်။

အသုံးပြုနိုင်သော ပစ္စည်းစနစ်များ- မီးဖိုပြွန်လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဆီလီကွန် (Si)၊ ဆီလီကွန်ဂျာမနီယမ် (SiGe) နှင့် quartz အပါအဝင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ SiGe လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် CVD နည်းလမ်းသည် ပင်မလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်အလွှာကို အပူပေးပြီး SiH₄ နှင့် GeH₄ ဓာတ်ငွေ့များ ရောနှောခြင်းဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ဂျာမနီယမ်အလွှာသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (500-800°C) တွင် ဂျာမနီယမ်ဆေးသုံးသည့်အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် epitaxial အလွှာအထူကို အတိအကျထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။

Semicorex သည် အရည်အသွေးမြင့် စိတ်ကြိုက်မီးဖိုအစိတ်အပိုင်းများကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းနှင့် ခြွင်းချက်လုပ်ငန်းစဉ်များ ကိုက်ညီမှုရှိစေရန် တီထွင်ဖန်တီးထားပါသည်။ စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းနည်းများ သို့မဟုတ် အပိုနည်းပညာဆိုင်ရာ အချက်အလက်များအတွက်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ အင်ဂျင်နီယာအသင်းထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ဖုန်း: +86-13567891907

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com