Silicon Carbide (SiC) ဆိုတာဘာလဲ။

Semiconductor ပစ္စည်းများကို အချိန်အတိုင်းအတာအရ မျိုးဆက်သုံးဆက်ခွဲနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြု၍ အဆင်ပြေသော ကူးပြောင်းခြင်းဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာရှိသော ဂျာမနီယမ်၊ ဆီလီကွန်နှင့် အခြားဘုံ monomaterials များ၏ ပထမမျိုးဆက်။ ဂယ်လီယမ် အာဆင်းနိုက်၊ အင်ဒီယမ် ဖော့စဖိုက် နှင့် အခြား ဒြပ်ပေါင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း များ၏ ဒုတိယ မျိုးဆက်ကို အလင်းထုတ်လွှတ်ခြင်းနှင့် ဆက်သွယ်ရေး ပစ္စည်းများ အတွက် အဓိက အသုံးပြုသည်။ တတိယမျိုးဆက် semiconductors များ အဓိကပါဝင်ပါသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်နှင့် အခြားဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် စိန်နှင့် အခြားသော အထူးသတ္တုပစ္စည်းများ။ တတိယမျိုးဆက် semiconductors များသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဗို့အားခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပါဝါမြင့်သော စက်များအတွက် စံပြပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ Third-generation semiconductors များသည် အဓိကအားဖြင့် ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် gallium nitride ပစ္စည်းများ။ တတိယမျိုးဆက် semiconductors များသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ပိုကျယ်သော band gap ဖြစ်သောကြောင့် ဖိအား၊ အပူခံနိုင်ရည်သည် ပိုကောင်းသည်၊ ပါဝါမြင့်သော စက်များတွင် အသုံးများသည်။ သူတို့ထဲတွင်,ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပါဝါစက်ကိရိယာများ နယ်ပယ်တွင် တဖြည်းဖြည်း ကြီးမားစွာ အသုံးပြုလာကြပြီး၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက်diodes၊ MOSFETs များသည် စီးပွားရေးဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများကို စတင်ခဲ့သည်။

၏အားသာချက်များဆီလီကွန်ကာဗိုက်

1၊ ပိုအားကောင်းသော ဗို့အားမြင့်ဝိသေသလက္ခဏာများ- ပြိုကွဲခြင်းနယ်ပယ်၏ ခွန်အားဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆီလီကွန်ထက် 10 ဆ ပိုပါတယ်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကိရိယာများသည် ဆီလီကွန် ကိရိယာများ၏ ဗို့အားမြင့်သော လက္ခဏာများထက် သိသိသာသာ မြင့်မားသည်။

2၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူချိန် လက္ခဏာများ-ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆီလီကွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုမြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်မှု ရှိပြီး စက်ပစ္စည်းသည် အပူကို ပြေပျောက်ရန် ပိုမိုလွယ်ကူစေကာ အလုပ်လုပ်သည့် အပူချိန် ကန့်သတ်ချက် ပိုများသည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်လက္ခဏာများသည် ပါဝါသိပ်သည်းဆကို သိသိသာသာတိုးလာစေပြီး အအေးခံစနစ်၏လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးကာ terminal သည် ပိုမိုပေါ့ပါးပြီး သေးငယ်သွားစေရန်ဖြစ်သည်။

3၊ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးခြင်းဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဆီလီကွန်၏ saturation electron ပျံ့နှုန်းထက် ၂ ဆ ရှိသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်ပစ္စည်းများတွင် ခုခံမှု အလွန်နည်းပြီး နိုင်ငံတွင်း ဆုံးရှုံးမှု နည်းပါးသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တားမြစ်ထားသော တီးဝိုင်းအကျယ်သည် ဆီလီကွန်၏ ၃ ဆ ရှိသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို သိသိသာသာလျှော့ချရန် ဆီလီကွန် ကိရိယာများထက် လျှပ်စီးယိုစိမ့်သော စက်များ၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပိတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ရှိ စက်ပစ္စည်းများသည် လက်ရှိနောက်လိုက်နေသည့်ဖြစ်စဉ်တွင် တည်ရှိခြင်းမရှိပါ၊ ကူးပြောင်းခြင်းဆုံးရှုံးမှုသည် နည်းပါးသည်၊ အမှန်တကယ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။ အပလီကေးရှင်း၏ switching frequency သည် အလွန်တိုးတက်ကောင်းမွန်ပါသည်။