Dry Etching vs Wet Etching

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် etching သည် photolithography နှင့် thin-film deposition တို့နှင့်အတူ အဓိကခြေလှမ်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ဓာတု သို့မဟုတ် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများကို အသုံးပြု၍ wafer မျက်နှာပြင်မှ မလိုလားအပ်သောပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားခြင်း ပါဝင်သည်။ ဤအဆင့်ကို coating၊ photolithography, နှင့်ဖွံ့ဖြိုးပြီးနောက်လုပ်ဆောင်သည်။ ၎င်းကို ထိတွေ့ထားသော ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် wafer ၏ လိုချင်သောအပိုင်းကိုသာ ချန်ထားပြီး ပိုလျှံနေသော photoresist ကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ ဤအဆင့်များသည် ရှုပ်ထွေးသောပေါင်းစပ်ဆားကစ်များဖန်တီးရန် အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်သည်။

သတ္တုစပ်ခြင်းအား ခြောက်သွေ့သော ခြစ်ခြင်း နှင့် စိုစွတ်ခြင်း ဟူ၍ နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားသည်။ အခြောက်လှန်းခြင်းတွင် ဓာတ်ပြုဓါတ်ငွေ့နှင့် ပလာစမာ ခြစ်ခြင်းတို့ကို အသုံးပြုပြီး စိုစွတ်သော ခြစ်ခြင်းတွင် သတ္တုကို ချေးချွတ်ရန်အတွက် ပစ္စည်းကို နှစ်မြှုပ်ခြင်းတွင် ပါဝင်ပါသည်။ Dry etching သည် anisotropic etching ကို ခွင့်ပြုသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ပစ္စည်း၏ ဒေါင်လိုက် လမ်းကြောင်းကိုသာ ဖြတ်၍ရသော ပစ္စည်းကို မထိခိုက်စေဘဲ ထွင်းထုခြင်းဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းသည် သေးငယ်သော ဂရပ်ဖစ်များကို သစ္စာရှိရှိ လွှဲပြောင်းမှုကို သေချာစေသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်၊ မျဉ်းကြောင်း၏အကျယ်ကို လျှော့ချနိုင်သည် သို့မဟုတ် လိုင်းကိုယ်တိုင်ပင် ဖျက်ဆီးပစ်နိုင်သည့် စိုစွတ်သောထွင်းထုခြင်းကို ထိန်းချုပ်၍မရနိုင်ပါ။ ၎င်းသည် အရည်အသွေးညံ့ဖျင်းသော ချစ်ပ်များကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

Dry etching ကို အသုံးပြုထားသော ion etching ယန္တရားအပေါ် အခြေခံ၍ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ etching၊ chemical etching နှင့် physical-chemical etching ဟူ၍ ခွဲခြားထားပါသည်။ Physical etching သည် အလွန်ဦးတည်ချက်ရှိပြီး anisotropic etching ဖြစ်နိုင်သည်၊ သို့သော် selective etching မဟုတ်ပါ။ Chemical etching သည် အက်တမ်အုပ်စု၏ ဓာတုဗေဒလုပ်ဆောင်မှုတွင် ပလာစမာကို အသုံးပြုပြီး ထွင်းထုခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်ကို ရရှိရန်အတွက် ထွင်းထုရမည့်အရာများကို အသုံးပြုသည်။ ၎င်းတွင် ကောင်းသောရွေးချယ်နိုင်စွမ်းရှိသော်လည်း etching သို့မဟုတ် ဓာတုတုံ့ပြန်မှု၏ core ကြောင့် anisotropy ညံ့ပါသည်။