GaN စက်မှုလုပ်ငန်း အသုံးချမှုများ

SiC-based နှင့် Si-based GaN ၏ အသုံးချဧရိယာများကို တင်းတင်းကျပ်ကျပ် ခွဲခြားမထားပါ။In GaN-On-SiC စက်ပစ္စည်းများ၊ SiC အလွှာ၏ကုန်ကျစရိတ်သည်အတော်လေးမြင့်မားပြီး SiC ရှည်လျားသောပုံဆောင်ခဲနည်းပညာ၏ရင့်ကျက်မှုနှင့်အတူ၊ စက်ပစ္စည်း၏ကုန်ကျစရိတ်သည် ပိုမိုကျဆင်းဖွယ်ရှိပြီး ၎င်းကို ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်ရှိ ပါဝါစက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။

RF စျေးကွက်တွင် GaN

လောလောဆယ်တွင် RF စျေးကွက်တွင် အဓိက လုပ်ငန်းစဉ် သုံးခုရှိသည်- GaAs လုပ်ငန်းစဉ်၊ Si-based LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် GaN လုပ်ငန်းစဉ်။ GaAs စက်များနှင့် LDMOS စက်ပစ္စည်းများ၏ အားနည်းချက်များမှာ အမြင့်ဆုံး ထိရောက်သော အကြိမ်ရေ 3 GHz အောက်ရှိ လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းတွင် ကန့်သတ်ချက်ရှိပါသည်။

GaN သည် GaAs နှင့် Si-based LDMOS နည်းပညာများကြား ကွာဟချက်ကို တံတားထိုးပေးကာ Si-based LDMOS ၏ ပါဝါလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို GaAs ၏ ကြိမ်နှုန်းမြင့်စွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ပေးသည်။ GaA များကို အခြေခံစခန်းငယ်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး GaN ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် GaN သည် ၎င်း၏ ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော လက္ခဏာများဖြင့် GaAs PA နှင့် GaN တို့က ပူးတွဲလွှမ်းမိုးထားသော ပုံစံတစ်ခုဖြင့် GaN သည် သေးငယ်သောအခြေစိုက်စခန်း PA စျေးကွက်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကို သိမ်းပိုက်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။

ပါဝါစက်အက်ပ်များတွင် GaN

Dဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတွင်ပါရှိသော heterojunction နှစ်ဖက်မြင်အီလက်ထရွန်ဓာတ်ငွေ့၏မြန်နှုန်းမြင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုနားလည်သဘောပေါက်နိုင်သည်၊ GaN ကိရိယာများသည် SiC ကိရိယာများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါကပိုမိုမြင့်မားသောလည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းရှိသည်၊ ၎င်းနှင့်အတူဗို့အားသည် SiC ကိရိယာထက်နိမ့်ကျသည်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် GaN ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများသည်ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ သေးငယ်သောပမာဏ၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော၊ ပါဝါအလေးသာသောအားသွင်းကိရိယာများအတွက်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသွင်းစက်၊ Ultra-power supply အကွက်အတွက်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသွင်းကိရိယာများကဲ့သို့လျှပ်စစ်ဓာတ်အားနည်းပါးသော လျှပ်စစ်လိုအပ်ချက်များ၊ စက်ပစ္စည်း စသည်တို့

လက်ရှိတွင်၊ အမြန်အားသွင်းခြင်းသည် GaN ၏အဓိကစစ်မြေပြင်ဖြစ်သည်။ မော်တော်ကားအကွက်သည် GaN ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအတွက် အဓိကသော့ချက်အပလီကေးရှင်းအခြေအနေများထဲမှတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ မော်တော်ယာဥ် DC/DC converters၊ DC/AC အင်ဗာတာများ၊ AC/DC rectifier နှင့် OBCs (on-board chargers) GaN ပါဝါကိရိယာများသည် ခုခံမှုနည်းသော၊ အမြန်ပြောင်းသည့်အမြန်နှုန်း၊ ပိုမိုမြင့်မားသောပါဝါထွက်ရှိမှုသိပ်သည်းဆနှင့် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းတို့ကို လျှော့ချပေးရုံသာမက စွမ်းအင်ပိုမြင့်မားသောစနစ်ပြောင်းလဲခြင်း၊ ၎င်းသည် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးရုံသာမက စွမ်းအင်ကို သက်သာစေရုံသာမက ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများ၏ အရွယ်အစားနှင့် အလေးချိန်ကိုလည်း ထိထိရောက်ရောက် လျှော့ချပေးကာ စနစ်အား သေးငယ်စေပြီး ပေါ့ပါးစေသည်။