အဘယ်ကြောင့် sidewalls ခြောက်သွေ့သော etching စဉ်အတွင်းကွေးကြသနည်း

ခြောက်သွေ့သောစွဲမှုသည်ပုံမှန်အားဖြင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာလုပ်ရပ်များပေါင်းစပ်ခြင်း, အိုင်းယွန်ဗုံးကြဲမှုသည်အလွန်အမင်းရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာစွဲသင်းမှုနည်းစနစ်တစ်ခုဖြစ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ စွဲစွဲမြဲမြဲနေစဉ်အတွင်းအိုင်းယွန်းများနှင့်စွမ်းအင်ဖြန့်ဖြူးမှုသည်မညီမညာဖြစ်နေသည်။

အကယ်. Ion အဖြစ်အပျက်ထောင့်သည်ဘေးချင်းယှဉ်လိုက်သည့်ကွဲပြားခြားနားသောနေရာများရှိအိုင်းယွန်းများတွင်ကွဲပြားပါက etching effect သည်လည်းလည်းကွဲပြားလိမ့်မည်။ ပိုမိုကြီးမားသောအိုင်းယွန်းအဖြစ်အပျက်ထောင့်များနှင့်အတူဒေသများရှိ ion sidewalls အပေါ်အိုင်းယွန်း impress သည်ပိုမိုအားကောင်းလာသည်။ ထို့အပြင်မညီမညာဖြစ်နေသော ION စွမ်းအင်ဖြန့်ဖြူးမှုသည်လည်းအလားတူအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ စွမ်းအင်ပိုမိုမြင့်မားသောအိုင်းယွန်းများသည်ပစ္စည်းများကိုပိုမိုထိရောက်စွာဖယ်ရှားပစ်လိုက်ပြီးဘေးချင်းယှဉ်လိုက်သည့်နေရာများတွင်ကွဲပြားခြားနားသောနေရာများတွင်မတူကွဲပြားသောနေရာများတွင်မကိုက်ညီသောစွဲမြဲမှုများကိုရရှိစေသည်။

Photoresist သည်ခြောက်သွေ့သောစွဲချက်ဖြင့်မျက်နှာဖုံးများအနေဖြင့်ဖုံးကွယ်ထားရန်မလိုအပ်သည့်နေရာများကိုကာကွယ်ရန်မလိုအပ်သည့်နေရာများကိုကာကွယ်ရန်ဖြစ်သည်။ သို့သော် Photoresist သည် Plasma ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်မှုနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတုန့်ပြန်မှုများကြောင့်လည်းထိခိုက်နိုင်သည်။

မညီမညာဖြစ်နေသော Photoresist အထူ, မတူကွဲပြားသောနေရာများရှိ Photoresist နှင့်အလွှာများအကြားကော်မှုဘာများအကြားကော်စားကျပ်မှုတွင်မကိုက်ညီသောစားသုံးမှုနှုန်းထားများအားလုံးသည်စွဲလမ်းမှုန့်များကိုမညီမညာဖြစ်နေသောအကာအကွယ်ပေးမှုကိုမညီမညာဖြစ်နေသည်။ ဥပမာအားဖြင့်, ပါးလွှာသောသို့မဟုတ်အားနည်းသော Photoresist Athesion ရှိသည့်ဒေသများသည်အခြေခံကျသောပစ္စည်းများကိုပိုမိုလွယ်ကူစွာအလွယ်တကူသိမ်းယူနိုင်သည်။

အလွှာပစ္စည်းဝိသေသလက္ခဏာများကွဲပြားခြားနားမှု

အလွှာစွဲနေသောအလွှာပစ္စည်းများသည်ကွဲပြားခြားနားသောဒေသများရှိကွဲပြားခြားနားသောကြည်လင်သောတိမ်းညွတ်မှုနှင့် doping ပါဝင်မှုကဲ့သို့သောဝိသေသလက္ခဏာများကွဲပြားမှုများကိုပြနိုင်သည်။ ဤကွဲပြားခြားနားမှုများသည် acting နှုန်းနှင့် selection ကိုထိခိုက်သည်။

ပုံဆောင်ခဲဆီကိုစိမ်းလန်းသောဆီလီကွန်ကိုဥပမာတစ်ခုအနေနှင့်ယူခြင်း, ဆီလီကွန်အက်တမ်များ၏အစီအစဉ်သည် Crystal orientings ကိုဖြတ်ပြီးကွဲပြားသည်။ စွဲစွဲမြဲမြဲနေစဉ်အတွင်းရုပ်ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများတွင်ကွဲပြားခြားနားမှုများသည်စပျစ်လစ်ဘ 0 ရှိနေရာများတွင်မတူကွဲပြားသောနေရာများတွင်မကိုက်ညီသောနက်နဲသောအရာများဖြစ်ပေါ်စေသည်။

ပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်ဆက်စပ်သောအချက်များ

အဆိုပါစွဲပစ္စည်းကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်အခွအေနေသည်လည်းရိုးရှင်းသောရလဒ်များကိုသိသိသာသာသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်, တုန့်ပြန်မှုအခန်းအတွင်းနှင့်မညီမညာဖြစ်နေသောလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကိုမညီမညာဖြစ်နေသော Plasma ဖြန့်ဖြူးမှုသည်ဆုတ်ယုတ်နေစဉ်အတွင်းအိုင်းယန်းမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ parameter များကိုမဖြန့်ဖြူးရေးဖြန့်ဖြူးခြင်းများကိုမညီမညာဖြစ်နေသော plasma ဖြန့်ဖြူးခြင်းများဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။

ထို့အပြင်မညီမျှသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုနှင့်သဘာဝဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်းတွင်အသေးစားစီးဆင်းမှုအတားအဆီးသည်ရှုပ်ထွေးသောစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများအပေါ်အကျိုးသက်ရောက်နိုင်သည်။

Semicorex သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသည်CVD SIC အစိတ်အပိုင်းများacting အဘို့။ သင့်တွင်မေးမြန်းစုံစမ်းလိုပါကသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါကကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ရန်မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

ဆက်သွယ်ရန် # + 86-13567891907 ဆက်သွယ်ရန်

အီးမေးလ်: Sales@semicex.com