Infineon သည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး ၃၀၀ မီလီမီတာ ပါဝါ GaN Wafer ကို ထုတ်ဖော်ပြသခဲ့သည်။

မကြာသေးမီက၊ Infineon Technologies သည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး 300mm ပါဝါ Gallium Nitride (GaN) wafer နည်းပညာကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ ယင်းကြောင့် ၎င်းတို့သည် ဤအဆန်းသစ်ဆုံးနည်းပညာကို ကျွမ်းကျင်ပိုင်နိုင်စွာ ကျွမ်းကျင်ပြီး လက်ရှိ အကြီးစား၊ စွမ်းရည်မြင့် ထုတ်လုပ်ရေးပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်နိုင်စေမည့် ပထမဆုံးကုမ္ပဏီ ဖြစ်လာစေသည်။ ဤဆန်းသစ်တီထွင်မှုသည် GaN-based ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဈေးကွက်တွင် သိသာထင်ရှားသောတိုးတက်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

300mm နည်းပညာသည် 200mm နည်းပညာနှင့် မည်သို့နှိုင်းယှဉ်သနည်း။

200mm နည်းပညာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 300mm wafers များကို အသုံးပြုခြင်းသည် wafer တစ်ခုလျှင် GaN ချစ်ပ်များ 2.3 ဆ ပိုမိုထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှုနှင့် အထွက်ကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဤအောင်မြင်မှုသည် ဓာတ်အားစနစ်နယ်ပယ်တွင် Infineon ၏ခေါင်းဆောင်မှုကို ခိုင်မာစေရုံသာမက GaN နည်းပညာ၏ လျင်မြန်သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုလည်း အရှိန်မြှင့်ပေးပါသည်။

ဒီအောင်မြင်မှုနဲ့ ပတ်သက်ပြီး Infineon ရဲ့ CEO က ဘာပြောခဲ့လဲ။

Infineon Technologies ၏ CEO ဖြစ်သူ Jochen Hanebeck က “ဤထူးခြားသောအောင်မြင်မှုသည် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုတွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ခိုင်မာသောခွန်အားကိုပြသပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာအဖွဲ့၏မဆုတ်မနစ်ကြိုးစားအားထုတ်မှုများအတွက် သက်သေတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာဆိုင်ရာ အောင်မြင်မှုများသည် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ စံနှုန်းများကို ပြန်လည်ပုံဖော်ရန်နှင့် GaN နည်းပညာ၏ အလားအလာကို အပြည့်အဝသော့ဖွင့်ပေးမည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ အခိုင်အမာ ယုံကြည်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ GaN Systems ကိုဝယ်ယူပြီး တစ်နှစ်နီးပါးအကြာတွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် လျင်မြန်စွာကြီးထွားလာနေသော GaN စျေးကွက်တွင် ဦးဆောင်ရန် ကျွန်ုပ်တို့၏စိတ်ပိုင်းဖြတ်ချက်ကို ထပ်မံပြသလျက်ရှိသည်။ ပါဝါစနစ်များတွင် ဦးဆောင်သူတစ်ဦးအနေဖြင့်၊ Infineon သည် အဓိကပစ္စည်းများဖြစ်သည့် ဆီလီကွန်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်နှင့် GaN တို့တွင် အပြိုင်အဆိုင် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်ခဲ့သည်။

Infineon အမှုဆောင်အရာရှိချုပ် Jochen Hanebeck သည် ရှိပြီးသားနှင့် အရွယ်အစားကြီးမားသော ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထုတ်လုပ်သည့် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး 300mm GaN Power wafers များထဲမှ တစ်ခုကို ကိုင်ဆောင်ထားသည်။

300mm GaN နည်းပညာသည် အဘယ်ကြောင့် အားသာချက်ရှိသနည်း။

300mm GaN နည်းပညာ၏ သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်တစ်ခုမှာ GaN နှင့် ဆီလီကွန် ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ဆင်တူယိုးမှား တူညီနေသောကြောင့် လက်ရှိ 300mm ဆီလီကွန် ထုတ်လုပ်ရေး ကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်း ဖြစ်သည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် Infineon သည် GaN နည်းပညာကို ၎င်း၏လက်ရှိထုတ်လုပ်မှုစနစ်များတွင် ချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်နိုင်စေကာ နည်းပညာ၏မွေးစားမှုနှင့် အသုံးချမှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည်။

Infineon သည် 300mm GaN Wafers ကို မည်သည့်နေရာတွင် အောင်မြင်စွာ ထုတ်လုပ်ခဲ့သနည်း။

လက်ရှိတွင် Infineon သည် သြစတြီးယားနိုင်ငံ၊ Villach ရှိ ၎င်း၏ဓာတ်အားပေးစက်ရုံရှိ 300mm ဆီလီကွန်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် 300mm GaN wafers များကို အောင်မြင်စွာထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့သည်။ 200mm GaN နည်းပညာနှင့် 300mm ဆီလီကွန်ထုတ်လုပ်မှု၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ပေါ်တွင် တည်ဆောက်ထားပြီး ကုမ္ပဏီသည် ၎င်း၏နည်းပညာနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များကို ထပ်မံတိုးချဲ့ခဲ့သည်။

ဤအောင်မြင်မှုသည် အနာဂတ်အတွက် ဘာကိုဆိုလိုသနည်း။

ဤအောင်မြင်မှုသည် Infineon ၏ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုနှင့် အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များတွင် Infineon ၏အားသာချက်များကို မီးမောင်းထိုးပြရုံသာမက ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်စက်မှုလုပ်ငန်း၏ အနာဂတ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် ခိုင်မာသောအခြေခံအုတ်မြစ်တစ်ခုလည်း ချမှတ်ပေးပါသည်။ GaN နည်းပညာသည် ဆက်လက်တိုးတက်ပြောင်းလဲလာသည်နှင့်အမျှ Infineon သည် စျေးကွက်ကြီးထွားမှုကို တွန်းအားပေးကာ ကမ္ဘာ့တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ၎င်း၏ခေါင်းဆောင်မှုရာထူးကို ပိုမိုမြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။**