ထူးအိမ်သင် ဇာတ်ထွား ဖြစ်စဉ်

အသုံးများသော ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို အဓိကအားဖြင့် သုံးမျိုးခွဲခြားထားသည်- semiconductor ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များနှင့် သတ္တု/သတ္တုဒြပ်ပေါင်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ- အဓိကအားဖြင့် အရင်းအမြစ်/ရေစီးကြောင်း၏ ချန်နယ်ဒေသကို ပြင်ဆင်ရန် အသုံးပြုသည်။တစ်ခုတည်းသော crystal epitaxial အလွှာနှင့် MOS ဂိတ် စသည်တို့

Dielectric ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ- ရေတိမ်ပိုင်း ကတုတ်ကျင်းများကို သီးခြားခွဲထုတ်ခြင်း၊ တံခါးအောက်ဆိုဒ်အလွှာ၊ ဘေးဘက်နံရံ၊ အတားအဆီးအလွှာ၊ သတ္တုအလွှာ ရှေ့ dielectric အလွှာ၊ နောက်ဘက်မှ သတ္တုအလွှာ dielectric အလွှာ၊ etch stop layer၊ barrier layer၊ anti-reflection layer၊ passivation layer၊ စသည်တို့နှင့် hard mask အတွက်လည်း သုံးနိုင်သည်။

သတ္တုနှင့် သတ္တုဒြပ်ပေါင်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ- သတ္တုပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို သတ္တုတံခါးများ၊ သတ္တုအလွှာများနှင့် pads များအတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး သတ္တုဒြပ်ပေါင်းပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို အတားအဆီးအလွှာများ၊ မာကျောသောမျက်နှာဖုံးများ စသည်တို့အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။

ပါးပါးရုပ်ရှင်အစစ်ခံနည်းများ

ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များကို အစစ်ခံရာတွင် မတူညီသော နည်းပညာဆိုင်ရာ အခြေခံမူများ လိုအပ်ပြီး ရူပဗေဒနှင့် ဓာတုဗေဒကဲ့သို့ ကွဲပြားသော အစစ်ခံနည်းလမ်းများသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ဖြည့်စွက်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပါးလွှာသော ဖလင် အစစ်ခံခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်များကို အဓိကအားဖြင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒ ဟူ၍ အမျိုးအစား နှစ်မျိုး ခွဲခြားထားသည်။

ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများတွင် အပူငွေ့ပျံခြင်းနှင့် sputtering ပါဝင်သည်။ အပူငွေ့ပျံခြင်းဆိုသည်မှာ အရင်းအမြစ်ပစ္စည်းမှ အက်တမ်များကို အငွေ့ပျံစေရန် အပူပေးခြင်းဖြင့် wafer substrate material ၏မျက်နှာပြင်သို့ အက်တမ်များကို လွှဲပြောင်းပေးခြင်းကို ရည်ညွှန်းပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် လျင်မြန်သော်လည်း ဖလင်သည် တွယ်တာမှု ညံ့ဖျင်းပြီး ခြေလှမ်းဂုဏ်သတ္တိများ ညံ့ဖျင်းသည်။ Sputtering ဆိုသည်မှာ ပလာစမာဖြစ်လာစေရန် ဓာတ်ငွေ့ (အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့) ကို ဖိအားပေးပြီး အိုင်ယွန်ဖြစ်စေရန်၊ ၎င်း၏ အက်တမ်များ ပြုတ်ကျကာ ပြောင်းရွှေ့မှုရရှိရန် မြေမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ ပျံသန်းသွားစေရန် ပစ်မှတ်အား ပစ်မှတ်ကို ဗုံးကြဲခြင်း ဖြစ်သည်။ Sputtering သည် ခိုင်ခံ့သော adhesion ၊ ကောင်းမွန်သော ခြေလှမ်းဂုဏ်သတ္တိများ နှင့် သိပ်သည်းဆ ကောင်းသည်။

ဓာတုဗေဒနည်းမှာ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု ကွဲပြားသော တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ဖိအားများဖြင့် ဓာတ်ငွေ့ စီးဆင်းမှု အခန်းထဲသို့ ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းထားသည့် ဓာတ်ငွေ့လွှာ ပါဝင်သော ဓာတ်ပြုပစ္စည်းကို ဆပ်ပြာမှုန့် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုတုံ့ပြန်မှု ဖြစ်ပေါ်ပြီး ပါးလွှာသော ဖလင်ပြားကို ဆပ်စထရိတ် မျက်နှာပြင် ပေါ်တွင် ထားရှိရန် ဖြစ်သည်။

ရူပဗေဒနည်းများကို အဓိကအားဖြင့် သတ္တုဝါယာကြိုးများနှင့် သတ္တုဒြပ်ပေါင်းရုပ်ရှင်များကို အပ်နှံရန် အဓိကအသုံးပြုကြပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းများသည် လျှပ်ကာပစ္စည်းများကို လွှဲပြောင်းခြင်းမအောင်မြင်နိုင်ပေ။ မတူညီသောဓာတ်ငွေ့များကြားတွင် တုံ့ပြန်မှုမှတစ်ဆင့် ဓာတုဗေဒနည်းများကို စုဆောင်းရန် လိုအပ်သည်။ ထို့အပြင် အချို့သော ဓာတုဗေဒနည်းများကို သတ္တုရုပ်ရှင်များ အပ်နှံရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။

ALD/Atomic Layer Deposition သည် ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည့် အက်တမ်ဖလင်အလွှာကို အလွှာတစ်ခုပြီးတစ်ခု ကြီးထွားစေခြင်းဖြင့် အက်တမ်အလွှာအပေါ် အလွှာတစ်ခုပြီးတစ်ခု ပြိုကျခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ ၎င်းသည် ကောင်းမွန်သော အဆင့်လွှမ်းခြုံမှု၊ တူညီမှုနှင့် ညီညွတ်မှုရှိပြီး ဖလင်အထူ၊ ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံတို့ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

Semicorex သည် အရည်အသွေးမြင့်မှုကို ပေးသည်။SiC/TaC coated ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများepitaxial အလွှာကြီးထွားမှုအတွက်။ သင့်တွင် စုံစမ်းမေးမြန်းမှုများ သို့မဟုတ် နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များ လိုအပ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် တုံ့ဆိုင်းမနေပါနှင့်။

ဖုန်း # +86-13567891907 သို့ ဆက်သွယ်နိုင်ပါသည်။

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com