လျှပ်စစ်ကားများတွင် SiC နှင့် GaN ကိုအသုံးပြုခြင်း။

SiCMOSFETs များသည် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်များတွင် ချို့ယွင်းမှုနှုန်း နည်းပါးသော ပါဝါသိပ်သည်းဆကို ပေးဆောင်သည့် ထရန်စစ္စတာများ ဖြစ်သည်။ SiC MOSFET ၏ဤအားသာချက်များသည် တာရှည်မောင်းနှင်နိုင်သည့်အကွာအဝေး၊ ပိုမိုမြန်ဆန်စွာအားသွင်းခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာနိုင်သည့်ဘက်ထရီလျှပ်စစ်ကားများ (BEVs) အပါအဝင် လျှပ်စစ်ကားများ (EVs) အတွက် အကျိုးကျေးဇူးများစွာကို ဆောင်ကြဉ်းပေးပါသည်။ လွန်ခဲ့တဲ့ ငါးနှစ်၊SiCMOSFET များကို Tesla နှင့် Hyundai ကဲ့သို့သော OEM များမှ မော်တော်ယာဉ်များတွင် EV ၏ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုခဲ့သည်။ တကယ်တော့ SiC အင်ဗာတာများသည် 2023 တွင် BEV စျေးကွက်၏ 28% ရှိသည်။

GaNHEMTs များသည် EV စျေးကွက်တွင် နောက်လာမည့် အဓိကနှောင့်ယှက်ဖွယ်ရှိသော နည်းပညာအသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ GaN HEMTs များသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသော်လည်း အဆုံးစွန်သော ပါဝါကိုင်တွယ်နိုင်မှုစွမ်းရည်များကဲ့သို့သော မွေးစားခြင်းတွင် သိသာထင်ရှားသော စိန်ခေါ်မှုများနှင့် ရင်ဆိုင်ရဆဲဖြစ်သည်။ SiC MOSFETs နှင့် GaN HEMTs များကြားတွင် များစွာသော ထပ်နေမှုများရှိပြီး နှစ်ခုစလုံးသည် မော်တော်ကားပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာဈေးကွက်တွင် နေရာတစ်ခုရရှိမည်ဖြစ်သည်။

အဆောက်အဦများ လျင်မြန်စွာ တိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ SiC MOSFET ၏ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်တို့ကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းခဲ့ပြီး ၎င်း၏ကုန်ကျစရိတ်မှာ သိသိသာသာ ကျဆင်းသွားခဲ့သည်။ SiC MOSFET များ၏ ပျမ်းမျှစျေးနှုန်းသည် ညီမျှသော Si IGBT ထက် ၃ ဆ ပိုစျေးကြီးနေသော်လည်း ၎င်း၏ထူးခြားချက်များမှာ Tesla၊ Hyundai နှင့် BYD ကဲ့သို့သော ထုတ်လုပ်သူများအကြား ရေပန်းစားစေသည်။ Stellantis၊ Mercedes-Benz နှင့် Renault-Nissan-Mitsubishi Alliance အပါအဝင် အခြားကုမ္ပဏီများသည် အနာဂတ်တွင် SiC MOSFETs များကို မွေးစားကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။

SiCMOSFET များတွင် သေးငယ်သောပုံစံအချက်တစ်ချက်ရှိပြီး traction အင်ဗာတာများတွင် inductors ကဲ့သို့သော passive အစိတ်အပိုင်းများ၏ အရွယ်အစားကိုလည်း လျှော့ချနိုင်သည်။ အင်ဗာတာတွင် Si IGBTs များကို SiC MOSFETs များဖြင့် အစားထိုးခြင်းဖြင့်၊ BEV များသည် ပိုမိုပေါ့ပါးပြီး ပိုမိုထိရောက်နိုင်ပြီး ၎င်းတို့၏အကွာအဝေးကို 7% ခန့် တိုးလာနိုင်သည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ SiC MOSFETs ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ပေါ့ပါးသော၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး ရေရှည်တည်တံ့သောကားများကို ဖန်တီးရန် ကူညီပေးသည့် ဘက်ထရီပမာဏကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် တူညီသောအကွာအဝေးကို ရရှိနိုင်သည်။

ဘက်ထရီပမာဏ တိုးလာသည်နှင့်အမျှ အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အလုံးစုံ စွမ်းအင်ချွေတာနိုင်မည်ဖြစ်သည်။SiCMOSFET တွေလည်း တိုးလာတယ်။ အစကတော့၊SiCMOSFET နှင့် ပိုကြီးသော ဘက္ထရီများကို အလယ်အလတ်မှ အဆင့်မြင့် EV များ အတွက် သီးသန့် ထားခဲ့သည်။ MG MG4၊ BYD Dolphin နှင့် Volvo EX30 ကဲ့သို့သော ပင်မရေစီးကြောင်းနှင့် စီးပွါးရေးယာဉ်အသစ်များနှင့်အတူ SiC MOSFETs များသည် ဥရောပနှင့် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ပင်မခရီးသည်တင်ကားအပိုင်းကို ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်လာခဲ့သည်။ Tesla သည် ၎င်း၏ Model 3 တွင် SiC MOSFETs ကို အသုံးပြုသည့် ပထမဆုံး အဓိက OEM ဖြစ်ကာ အမေရိကန်မှ ရရှိသော ဦးဆောင်မှုဖြင့် လိုက်ပါသွားပါသည်။ SiC MOSFETs များ၏ ဝယ်လိုအားသည် အဓိကအားဖြင့် 2023 နှင့် 2035 အကြား 10 ဆတိုးလာမည်ဟု သတင်းများရှိပါသည်။ အင်ဗာတာများ၊ on-board chargers နှင့် DC-DC converters များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် ပိုမိုထိရောက်မှုနှင့် မြင့်မားသောဗို့အားပလပ်ဖောင်းများကို လက်ခံကျင့်သုံးခြင်း။

Semicorex သည် အရည်အသွေးမြင့်မှုကို ပေးသည်။SiCwafersနှင့်GaN wafers. သင့်တွင် စုံစမ်းမေးမြန်းမှုများ သို့မဟုတ် နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များ လိုအပ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် တုံ့ဆိုင်းမနေပါနှင့်။

ဖုန်း # +86-13567891907 သို့ ဆက်သွယ်နိုင်ပါသည်။

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com