SiC epitaxy ဆိုတာဘာလဲ။

Silicon Carbide (SiC) epitaxy သည် အထူးသဖြင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ SiC သည် ကျယ်ပြန့်သော bandgap ပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားပြီး ဗို့အားမြင့်လုပ်ဆောင်မှုလိုအပ်သော application များအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

SiC epitaxy သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) သို့မဟုတ် မော်လီကျူလာအလင်းတန်း epitaxy (MBE) နည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခု ကြီးထွားလာခြင်းဖြစ်သည်။ epitaxial အလွှာတွင် တူညီသော ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံနှင့် တိမ်းညွှတ်မှု ရှိပြီး ပစ္စည်းနှစ်ခုကြားတွင် အရည်အသွေးမြင့် ကြားခံကို ဖန်တီးနိုင်စေသည့် အလွှာတစ်ခုအဖြစ် တူညီသည်။

SiC epitaxy ကို diodes၊ transistors နှင့် thyristors ကဲ့သို့သော ပါဝါကိရိယာများ အပါအဝင် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုခဲ့သည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများကို လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုများကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် အသုံးပြုပါသည်။

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ လျှပ်စစ်ကားများနှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် စွမ်းအားမြင့်စက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် SiC epitaxy ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် စိတ်ဝင်စားမှု ကြီးထွားလာခဲ့သည်။ ပိုမိုထိရောက်ပြီး ရေရှည်တည်တံ့သော စွမ်းအင်စနစ်များ လိုအပ်ခြင်းကြောင့် လာမည့်နှစ်များတွင် အဆိုပါစက်ပစ္စည်းများ၏ ၀ယ်လိုအားသည် လျင်မြန်စွာကြီးထွားလာမည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။

ဤတောင်းဆိုမှုကို တုံ့ပြန်ရန်အတွက် သုတေသီများနှင့် ကုမ္ပဏီများသည် အရည်အသွေးမြှင့်တင်ရန်နှင့် လုပ်ငန်းစဉ်၏ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချရန် အာရုံစိုက်ခြင်းဖြင့် SiC epitaxy နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံကြသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အချို့သောကုမ္ပဏီများသည် wafer တစ်ခုအတွက်ကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန် ပိုကြီးသောအလွှာများပေါ်တွင် SiC epitaxy ကိုတီထွင်နေပြီး အချို့သောကုမ္ပဏီများသည် အပြစ်အနာအဆာများ၏သိပ်သည်းဆကိုလျှော့ချရန်နည်းပညာအသစ်များကိုရှာဖွေနေပါသည်။

SiC epitaxy ကို ဓာတ်ငွေ့ အာရုံခံခြင်း၊ အပူချိန် အာရုံခံခြင်းနှင့် ဖိအား အာရုံခံခြင်း အပါအဝင် အပလီကေးရှင်း အမျိုးမျိုးအတွက် အဆင့်မြင့် အာရုံခံကိရိယာများ တီထွင်ရာတွင်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ SiC တွင် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းကဲ့သို့သော ဤအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် စံပြဖြစ်စေသော ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။