CVD နည်းလမ်းဖြင့် TaC coating

Tantalum carbide coating သည် အပူချိန်အမြင့်ဆုံး ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဒြပ်ပေါင်းများစွာထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး အရည်ပျော်မှတ် 4273°C အထိရှိသော ဓာတုဗေဒနည်းအရ တည်ငြိမ်သော အပူချိန်မြင့်မားသော ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်မြင့်စက်ဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ မြန်နှုန်းမြင့်လေစီးဆင်းမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ သုတ်လိမ်းခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ကာဗွန်/ကာဗွန်ပေါင်းစပ်မှုများနှင့် ကောင်းမွန်သော ဓာတုဗေဒနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လိုက်ဖက်မှုရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၊ GaN LEDs နှင့် SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများဖြစ်သော MOCVD ၏ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ TaC coating သည် H2, HCl, NH3 ကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဂရပ်ဖိုက်အလွှာပစ္စည်းများကို အပြည့်အဝကာကွယ်နိုင်ပြီး ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်ကို သန့်စင်စေသည်။

TaC coating သည် အပူချိန် 2000°C အထက်တွင် တည်တည်ငြိမ်ငြိမ်ရှိပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် 1200-1400°C တွင် ပြိုကွဲသွားကာ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ သမာဓိကိုလည်း များစွာတိုးတက်စေပါသည်။ Tantalum carbide coatings များကို CVD မှ အဓိကအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများပေါ်တွင် ပြင်ဆင်ထားပြီး SiC ပါဝါကိရိယာများနှင့် GaNLEDs epitaxial ကိရိယာများအတွက် လိုအပ်ချက်ကိုဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် TaC coatings များ၏ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို ပိုမိုမြှင့်တင်သွားမည်ဖြစ်ပါသည်။

ဓာတုငွေ့ထုတ်ခြင်း (CVD) ဖြင့် ကာဗွန်ပစ္စည်းများတွင် တန်တလမ်ကာဘိုင်အလွှာများကို အပ်နှံရန်အသုံးပြုသည့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုစနစ်သည် TaCl5၊ C3H6၊ H2 နှင့် Ar ဖြစ်ပြီး၊ Ar ကို ဖျော့ဖျော့နှင့် ဓာတ်ငွေ့သယ်ဆောင်ခြင်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။

Tantalum carbide coatings များသည် MOCVD ကို အသုံးပြု၍ GaN LEDs နှင့် SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများသည် အပူချိန်မြင့်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့်ဆက်စပ်သော ပြင်းထန်သောအခြေအနေများတွင် ၎င်းတို့၏သက်တမ်းရှည်ကြာမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေသည့် အရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများကို ကာကွယ်ပေးသည်။

SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများနှင့် GaN LEDs များအတွက် လိုအပ်ချက်များ ဆက်လက်မြင့်တက်နေသဖြင့် tantalum carbide coatings များ၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို တိုးချဲ့ရန် စီစဉ်ထားသည်။ ထုတ်လုပ်သူများသည် အပူချိန်မြင့်နည်းပညာ၏ ဆင့်ကဲပြောင်းလဲမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေမည့် အဆိုပါစက်မှုလုပ်ငန်း၏ ကြီးထွားလာနေသော လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် အသင့်ရှိနေပါသည်။

နိဂုံးချုပ်အားဖြင့်,တန်တလမ်ကာဘိုင်အလွှာများအပူချိန်မြင့်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင် ပစ္စည်းများ၏ကြာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုသေချာစေရန်အတွက် မယုံနိုင်လောက်အောင်နည်းပညာခုန်ပျံကျော်လွှားမှုကိုကိုယ်စားပြုသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနှင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ကဏ္ဍများကို တော်လှန်ပြောင်းလဲနေချိန်တွင် အဆိုပါအလွှာများသည် ခေတ်မီနည်းပညာမြင့်တိုးတက်မှုများ၏ အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ၎င်းတို့၏အဆင့်အတန်းကို အလေးပေးဖော်ပြသည်။